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实用新型
存储器单元及集成装置有权

公开(公告)号：CN222602894U

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202420842114.X

申请日：2024-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 奥雷斯特·马迪亚

IPC: H10B41/30 , H10B41/23

Abstract: 本实用新型的各种实施例是关于一种存储器单元及集成装置，存储器单元包括设置在基底之上且沿着垂直方向延伸的通道层。浮置栅极设置在基底之上且沿着第一侧向通过栅极介电质与通道层分离。控制栅极沿第一侧向设置于浮置栅极及通道层的一侧，且通过穿隧介电质与浮置栅极分离。源极/漏极端子对设置于通道层及浮置栅极的与控制栅极相对的另一侧。

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