公开(公告)号：CN221727116U

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202322388187.4

申请日：2023-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴啟维 ,  江欣哲 ,  叶震亚

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体结构包括：第一晶体管，包含从基板突出的第一鳍片和设置在第一鳍片上方的第一栅极结构；第二晶体管，包含从基板突出并经由第一隔离特征与第一鳍片分隔的第二鳍片、和设置在第二鳍片上方的第二栅极结构；以及第一介电质特征其与第一和第二栅极结构直接接触，并沿着垂直于第一和第二栅极结构的方向纵向延伸，以提供介于第一和第二栅极结构之间的隔离，其中第一介电质特征包括含氮的介电质填充层和沿着含氮的介电质填充层的侧壁和底表面延伸的不含氮的介电质衬垫。

公开(公告)号：CN220731535U

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202322073076.4

申请日：2023-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江欣哲 ,  黄俊宏 ,  吴启维 ,  王淑慧 ,  叶震亚

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构，包括第一晶体管，第一晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第一鳍片和第二鳍片、在第一鳍片和第二鳍片的通道区上方的第一栅极结构、设置并跨越第一鳍片和第二鳍片的第一源极/漏极特征。半导体结构还包括第二晶体管，第二晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第三鳍片和第四鳍片、在第三鳍片和第四鳍片的通道区上方的第二栅极结构、设置并跨越第三鳍片和第四鳍片的第二源极/漏极特征。半导体结构还包括鳍片隔离结构，鳍片隔离结构设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间，并沿着平行于第一栅极结构和第二栅极结构的方向延伸。鳍片隔离结构提供第一晶体管和第二晶体管之间的隔离。鳍片隔离结构的底表面整体与基板直接接触。