公开(公告)号：CN101556437B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910005762.X

申请日：2009-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施仁杰 ,  叶孝蔚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/76816 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，通过该预期开口蚀刻该基底，其中在蚀刻该基底期间，该图案化感光材料层覆盖该光致抗蚀剂图案的该留白开口。本发明通过进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，以缩小临界尺寸及/或增加聚焦深度。

公开(公告)号：CN100504613C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510132871.X

申请日：2005-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施仁杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明公开了一种利用光酸产生剂制造半导体组件的方法，该方法包括提供一基底，在该基底上形成一可微影叠层结构，该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层，其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。采用本发明的方法，可避免现有技术中某些由于微影步骤而发生的问题。

公开(公告)号：CN100470734C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200710079933.4

申请日：2007-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何邦庆 ,  施仁杰 ,  陈建宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明是有关于一种制作半导体元件的方法，包含形成第一牺牲层于欲蚀刻的第一层上，其中第一牺牲层具有复数个贯穿第一牺牲层的孔洞，且每一孔洞使第一层对应孔洞的部分曝露于外；形成第一光阻层于第一牺牲层上，且第一光阻层填充贯穿第一牺牲层的孔洞；形成复数个开口于该第一光阻层上，每一开口叠于孔洞上，其中每一孔洞的截面积小于每一开口的截面积；以及藉由第一牺牲层上的孔洞与第一光阻层上的开口蚀刻第一层，更包含曝露第一层于蚀刻溶剂中。本发明制作半导体元件的方法可以降低孔洞间距的比例，进而能够增加所形成孔洞的密度。

公开(公告)号：CN101030539A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710079933.4

申请日：2007-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何邦庆 ,  施仁杰 ,  陈建宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明是有关于一种制作半导体元件的方法，包含形成第一牺牲层于欲蚀刻的第一层上，其中第一牺牲层具有复数个贯穿第一牺牲层的孔洞，且每一孔洞使第一层对应孔洞的部分曝露于外；形成第一光阻层于第一牺牲层上，且第一光阻层填充贯穿第一牺牲层的孔洞；形成复数个开口于该第一光阻层上，每一开口叠于孔洞上，其中每一孔洞的截面积小于每一开口的截面积；以及藉由第一牺牲层上的孔洞与第一光阻层上的开口蚀刻第一层，更包含暴露第一层于蚀刻溶剂中。本发明制作半导体元件的方法可以降低孔洞间距的比例，进而能够增加所形成孔洞的密度。

公开(公告)号：CN1841206A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610066854.5

申请日：2006-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何邦庆 ,  施仁杰

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

Abstract: 一种制造半导体元件的方法，包括形成负光刻胶层，此负光刻胶层形成后可被显影剂溶解。负光刻胶层利用无铬膜光刻掩膜形成图案，此图案化至少改变负光刻胶层的一部分，使被改变部分不被显影剂所溶解。将已图案化的负光刻胶层显影，并移除未改变的部分以在负光刻胶层上产生至少一个孔洞，并加热负光刻胶层使之流动。

公开(公告)号：CN1828424A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510132871.X

申请日：2005-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施仁杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明公开了一种利用光酸产生剂制造半导体组件的方法，该方法包括提供一基底，在该基底上形成一可微影叠层结构，该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层，其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。采用本发明的方法，可避免现有技术中某些由于微影步骤而发生的问题。

公开(公告)号：CN1790165A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510079341.3

申请日：2005-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施仁杰 ,  林本坚 ,  高蔡胜 ,  刘如淦 ,  陈俊光 ,  林进祥 ,  曾鸿辉

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种浸入式光学投影系统与集成电路晶片的制造方法。该浸入式光学投影系统包括：一末端镜片元件；一晶圆基座，用于握持一晶圆；一透明板，于该浸入式光学投影系统使用时座落于该末端镜片元件与该晶圆间。该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面，该浸入式光学投影系统具有一镜片侧流体层，位于该末端镜片元件与该透明板的该镜片侧表面之间；以及该浸入式光学投影系统具有一晶圆侧流体层，位于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆之间。该晶圆侧流体层与该镜片侧流体层之间并无流通，且该镜片侧流体层可与该晶圆侧流体层相同或不同。本发明较少污染镜片，且仍保有一般浸入式系统的优点与功能。