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公开(公告)号：CN114705325A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210405184.4
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种热传感器，包括：第一温度敏感器件，生成第一温度依赖性信号，其中，第一温度敏感器件的两个支路电路中的每个包括带隙热感测器件和电流源，每个带隙热感测器件适于响应于通过带隙热感测器件的电流而生成信号；第二温度敏感器件，适于生成第二温度依赖性信号，其中，第二温度敏感器件包括单个带隙热感测器件和电流源，单个带隙热感测器件适于响应于通过单个带隙热感测器件的电流生成信号；信号处理电路，连接至第一温度敏感器件的两个支路电路，并且适于处理所接收的第一温度依赖性信号，以生成第一处理信号，其中，基于第一处理信号和第二温度依赖性信号热传感器生成输出信号。本发明的实施例还涉及温度测量的方法。
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公开(公告)号：CN118444738A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410420968.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种电压参考电路，包括：第一温度敏感器件，被配置为生成第一电压；第二温度敏感器件，被配置为生成第二电压；以及输出端子，被配置为生成参考电压，该参考电压是第一电压与第二电压之和。第一电压随着绝对温度单调增加。第二电压随着绝对温度单调减小。在该集成电路中，低压降调节器具有连接到输出端子的第一输入端和连接到功率调节晶体管的栅极的输出段。功率调节晶体管的沟道连接在被配置为接收第一电源电压的第一端子和被配置为生成第二电源电压的第二端子之间。本申请的实施还涉及电源电路和生成电源电压的方法。
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公开(公告)号：CN113053998A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011635105.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种用于偏置保护环结构的方法，包括将MOS晶体管的栅极偏置至第一偏置电压电平，将MOS晶体管的第一S/D区域和第二S/D区域偏置至电压域电压电平，将保护环结构的栅极偏置至第二偏置电压电平，以及将保护环结构的第一重掺杂区和第二重掺杂区偏置至电压域电压电平。第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个都有第一掺杂类型，第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型，以及第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个以及第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都被定位在具有第二掺杂类型的衬底区域中。本申请的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112444320A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010871076.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 介绍一种热传感器电路，其包含温度感测电路、模数转换器、处理器、除法器电路以及数字电路。温度感测电路产生第一温度相关电压和第二温度相关电压。数模转换器将第一温度相关电压和第二温度相关电压转换为第一位流和第二位流。处理器基于热系数产生第三位流。除法器电路用分母值除第一位流和第二位流中的一个以产生第四位流，其中根据第三位流的位值来确定分母值。数字电路从第四位流中减去第一位流和第二位流中的另一个以产生输出位流。处理器调谐热系数直到输出位流等同于参考模型的位流为止。
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公开(公告)号：CN110858265A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。
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公开(公告)号：CN221861656U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202420084258.3
申请日：2024-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , G01K7/00
Abstract: 一种半导体结构，包含基底、一个或多个介电层及导电结构。基底具有前侧及相对于前侧的背侧；一个或多个介电层位于基底的前侧上方。一个或多个介电层从俯视图中沿第二方向包含热感测区及将热感测区夹于中间的两虚设区，热感测区及两虚设区从俯视图中沿大致垂直于第二方向的第一方向纵向延伸。导电结构埋置于一个或多个介电层的热感测区中。导电结构包含彼此平行并沿第一方向纵向延伸的多个导线、电性连接多个导线的多个导电棒及多个导通孔。一个或多个介电层的相同介电层中的多个导线从俯视图中锯齿状一个接一个地电性连接。
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公开(公告)号：CN220120258U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202321148710.X
申请日：2023-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K7/16
Abstract: 本文公开了涉及用于感测温度的一种温度量测装置。一方面，装置包括第一电阻，包括第一层中的第一金属轨。第一金属轨可具有第一热阻系数。一方面，装置包括第二电阻，包括沿着一方向在第一层上方的第二层中的第二金属轨。第二金属轨可具有第二热阻系数。一方面，装置包括耦合到第一电阻和第二电阻的感测电路。感测电路可以用于根据具有第一热阻系数的第一金属轨和具有第二热阻系数的第二金属轨来确定温度。
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公开(公告)号：CN221147880U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202320847441.X
申请日：2023-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种半导体装置。根据本实用新型的一些实施例，一种装置包含串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者包含：第一栅极结构；第一漏极/源极区，其在所述第一栅极结构的一侧上；及第二漏极/源极区，其在所述第一栅极结构的另一侧上。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构经配置以接收偏压电压以对所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管加偏压且提供通过所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管的温度相依电阻以测量温度。
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