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公开(公告)号:CN107705704B
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN201710730067.4
申请日:2017-08-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 一种显示设备,包括一可挠性基板、多个像素单元、以及图案化金属层。可挠性基板具有实质上平坦的第一表面及相对第一表面的第二表面。可挠性基板包含第一部分和第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有第二厚度。第一厚度大于第二厚度。第二厚度和第一厚度的差为第三厚度。像素单元配置于可挠性基板的第一表面。图案化金属层配置于可挠性基板的第二表面对应第二部分处。图案化金属层具有第四厚度。第三厚度大于第四厚度。
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公开(公告)号:CN106098705B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201610552506.2
申请日:2016-07-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种可挠式像素阵列基板及可挠式显示面板,该可挠式像素阵列基板包括可挠式基板、像素单元、绝缘层及三维信号线。可挠式基板具有主动区及主动区外的周边区。像素单元配置于可挠式基板的主动区。绝缘层覆盖可挠式基板。三维信号线配置于可挠式基板的周边区且与至少一像素单元电性连接。三维信号线包括第一部分与第二部分。第一部分包括第一分支与第二分支。第一分支与第二分支彼此分离且不呈现直线排列。第二部分配置于绝缘层上。第二部分的相对两端与相邻的第一分支与第二分支连接。
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公开(公告)号:CN108520895A
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201810588352.1
申请日:2018-06-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种显示面板包括基底、像素阵列、复合绝缘层与封装层。基底具有显示区与外围区,像素阵列位于基底上且位于显示区内,像素阵列包括多个薄膜晶体管、多个电激发光元件与像素定义层。多个电激发光元件分别电性连接对应的薄膜晶体管的漏极,像素定义层位于薄膜晶体管上。复合绝缘层位于基底上且位于外围区,复合绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层,第二绝缘层位于第一绝缘层与基底之间,沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。封装层位于像素阵列与复合绝缘层上,封装层与沟槽重叠。
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公开(公告)号:CN107134466A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710549599.8
申请日:2017-07-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种软性面板,具有基板、第一绝缘层、第二绝缘层、牺牲层及金属走线层。基板定义有主动区、周边电路区及中介区。第一绝缘层位于基板所述的三个区域,位于中介区的第一绝缘层具有第一图形。第二绝缘层位于第一绝缘层上,位于中介区的第二绝缘层具有第一开口沿着第一方向延伸,使第二绝缘层未覆盖第一绝缘层的第一图形。牺牲层位于中介区的第一绝缘层与第二绝缘层之间,未覆盖第一绝缘层的第一图形。金属走线层延伸于主动区与周边电路区之间,于主动区与周边电路区中位于第二绝缘层上方,于中介区则经由第一开口接触第一绝缘层的第一图形。
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公开(公告)号:CN106098705A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610552506.2
申请日:2016-07-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种可挠式像素阵列基板及可挠式显示面板,该可挠式像素阵列基板包括可挠基板、像素单元、绝缘层及三维信号线。可挠基板具有主动区及主动区外的周边区。像素单元配置于可挠基板的主动区。绝缘层覆盖可挠基板。三维信号线配置于可挠基板的周边区且与至少一像素单元电性连接。三维信号线包括第一部分与第二部分。第一部分包括第一分支与第二分支。第一分支与第二分支彼此分离且不呈现直线排列。第二部分配置于绝缘层上。第二部分的相对两端与相邻的第一分支与第二分支连接。
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公开(公告)号:CN105448999A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510872131.3
申请日:2015-12-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: G02F1/3618 , G02F1/1368 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L29/78672 , H01L21/324 , H01L29/6675
Abstract: 一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法,包括下列步骤。提供基板,并形成具有多个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程,将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层,并同时将缓冲层内的一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层,以形成有源层。形成栅极绝缘层于有源层上。形成栅极于栅极绝缘层上。形成源极掺杂区与漏极掺杂区于有源层内。
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公开(公告)号:CN104659107A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201510101338.0
申请日:2015-03-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/324 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法,该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘图案、栅极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及漏极。氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及通道区,且通道区位于源极区以及漏极区之间。栅绝缘图案位于氧化物半导体层的通道区上。栅极位于栅绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及漏极位于供氧层的上方,且分别电连接氧化物半导体层的源极区以漏极区。此外,包括上述薄膜晶体管的显示面板及薄膜晶体管的制造方法也被提出。
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公开(公告)号:CN102931136A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201210385224.X
申请日:2012-10-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: B29D11/0073 , B32B43/006 , H01L27/1218 , H01L29/78603 , Y10T156/1158
Abstract: 一种可挠式显示模块的制作方法,主要包括下列步骤。提供一透光载具,其具有一承载面以及相对于承载面的一背面。形成一感光离型膜于承载面上。提供一可挠式基板于感光离型膜上。形成一像素数组于该可挠式基板上。在形成像素阵列的过程中或是在形成像素阵列之后,由透光载具的背面对感光离型膜全面照光,以弱化感光离型膜与透光载具之间的接着力或是同时弱化该感光离型膜与该透光载具之间的接着力以及该感光离型膜的结构强度。之后,将可挠式基板由透光载具上移除,其中至少一部分的感光离型膜脱离承载面并且留在可挠式基板上。
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