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公开(公告)号：CN110690108B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910942951.3
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a‑Ge和a‑Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火，实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。
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公开(公告)号：CN110690175B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910939228.X
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a‑Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a‑Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤短时间退火，实现Si基、SOI基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用手动化学机械抛光对Ge薄膜的剥离表面进行抛光；抛光后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用小功率RIE刻蚀技术对Ge薄膜表面的离子注入损伤层进行刻蚀，以获得高质量的Si基和SOI基剥离Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN111785953A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010649746.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 一种锂离子电池硅负极材料的改性方法，涉及新能源材料设计开发。以p型硅(100)片作为衬底，采用电化学微加工工艺进行电化学腐蚀，首先将衬底表面腐蚀为圆形孔，并逐渐增大，最后挤压成方形，腐蚀液和孔壁的界面处形成耗尽层；在电场的作用下，空穴载流子从衬底沿纵向孔壁迁移到孔壁与腐蚀液界面参与反应，反应过程中孔壁逐渐变薄；当相邻两个孔之间的壁厚接近耗尽层厚度时电化学反应自动停止，得到硅纳米带，硅纳米带的表面晶向为(110)，硅纳米带嵌锂后只沿着 晶向膨胀，硅纳米带脱锂后具有重结晶的特殊行为，具有高离子导，高稳定界面SEI，高稳定材料结构，能在保持硅负极电池高比容量条件下实现高功率、长寿命循环。
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公开(公告)号：CN108731993A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810347004.5
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573878A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810346961.6
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/50
Abstract: 无氧化层半导体低温键合方法，涉及半导体键合工艺。采用过渡层技术，在Si、Ge和SiO2半导体键合界面引入一层较薄的Ge层，利用Ge材料的低温晶化特性与晶化原子迁移特性实现无氧化层Si片键合、Ge/Si键合以及GOI键合。利用磁控溅射Ge层的低温晶化特性实现无界面氧化层的半导体键合界面，在清洗后的晶片表面生长一层半导体Ge过渡层，利用Ge的低温晶化特性，通过低温退火实现Ge过渡层的晶化，从而驱动原子在键合界面迁移，最终解离氧化层。该方法不仅可以解决直接亲水键合过程中在界面引入亲水氧化层的问题，而且能在300～400℃的低温下实现半导体键合界面过渡层的晶化，从而实现原子键键合。
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公开(公告)号：CN105679661A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610010259.3
申请日：2016-01-07
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/0234 , H01L21/28194
Abstract: 一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，涉及氧化铪。1)首先对p-Si(100)衬底进行RCA标准清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；2)将p-Si(100)衬底放入电子束真空镀膜系统中，沉积一层HfO2薄膜，得到HfO2/Si结构；3)将步骤2)得到的样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中，采用氧等离子体对其进行处理；4)将步骤3)处理后的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属作为上电极，在样品Si衬底的背面溅射金属作为背电极，即得MOS结构器件。既能降低热预算又可降低栅漏电流，即在沉积的HfO2材料上采用氧等离子体对其进行再氧化处理，从而达到减小氧空位密度，降低栅漏电流作用。
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公开(公告)号：CN105529257A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610053917.7
申请日：2016-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，涉及堆叠栅介质。对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al2O3薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al2O3/Ge结构；将Al2O3/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al2O3/Ge界面态的优化；在处理后的样品上生长HfO2高K介质；将获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得MOS结构器件，实现优化堆叠栅介质与锗界面。可优化高K介质/Ge界面态，并能维持钝化层的热稳定性，可减小工艺流程和时间成本。
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公开(公告)号：CN102790121B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210283318.6
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102779865B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210282587.0
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0687
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，涉及一种太阳能电池。设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。Ge隧穿结将Si与GaAs之间形成失配位错和反相畴的区域有效分割，解决了Si底电池与Ⅲ-Ⅴ族子电池间的串联、晶格匹配以及反相畴问题，有利于提高电池外延的晶体质量和电池转换效率。
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