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公开(公告)号：CN112182798A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010955400.3
申请日：2020-09-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入板结构的连接构件的网格构建方法和结构，将连接构件在板结构的结构面上表达为简化节点；板结构网格划分为板结构单元和板结构节点，简化节点和板结构节点之间构建有构件单元作为连接构件的等效单元，模拟连接构件在板结构面内的结构响应；构件单元与板结构单元之间设有连接单元实现的结构响应同步，在简化节点坐标位置创建若干复制节点替换板结构单元中的简化节点，本发明的连接构件的等效单元保留构件的物理特征并通过一维单元与板结构单元进行自由度同步及结构响应的传递；板结构单元忽略了嵌入连接构件的几何外形而只保留中心位置信息，划分得到的网格数量大幅减少，大幅减小计算机数值计算规模，提高求解效率，缩短求解时间。
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公开(公告)号：CN107452689A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710826807.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/13 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L23/13 , H01L21/76898 , H01L23/5384 , H01L23/5386
Abstract: 本发明公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本发明还公开了其制作方法及在封装上的应用，利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN105811804A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610217284.9
申请日：2016-04-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/188
Abstract: 本发明提供了一种基于绳牵引的宽频压电振动能量收集装置，包括质量块、至少一个牵引梁、固定支架、牵引绳、压电片、上、下电极和受迫梁；固定支架具有一谐振腔；牵引梁根据外界振动方向设置，其一端与谐振腔的内壁连接，另一端为自由端；受迫梁位于牵引梁的上方或下方，其一端与谐振腔的内壁连接，另一端为自由端；质量块分别固定在每一个牵引梁与受迫梁自由端；牵引绳的一端连接于牵引梁的自由端，另一端连接于受迫梁的自由端；压电片固定在受迫梁上；上、下电极位于压电片的上下表面；牵引梁的牵引绳带动受迫梁发生振动，使受迫梁上的压电片发生形变产生电能，压电片通过连接上、下电极输出电能；当牵引梁的数量大于1时，其在水平面内呈阵列分布。
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公开(公告)号：CN116141683B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202310123133.7
申请日：2023-02-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于键合的聚二甲基硅氧烷(PDMS)封装方案，涉及封装的技术领域，聚二甲基硅氧烷(PDMS)封装将一个或多个零件组合的装配体放在抛光的底部基板上，装配体外围设置成形用和防止聚二甲基硅氧烷(PDMS)溢出的外框，外框上方放置注胶盖。本发明能够提供键合面平整度，与玻璃等可与聚二甲基硅氧烷(PDMS)键合的材质进行键合，并将异形件进行规整封装。
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公开(公告)号：CN115728141A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211411507.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及微纳设计制造领域，公开了一种嵌入基板的微纳连接构件力学特征参数测量装置、测量板和测量方法。测量装置包括一对装夹件和一个测量件，所述装夹件分别安装于测量件的前后两侧，所述测量件由多个测量结构串联而成，所述测量结构中嵌入待测件。测量板包含一个或多个测量装置。所有测量结构中都包含结构及尺寸完全一致的待测件，通过测量结构合适的结构尺寸组合，测量过程中所有待测件的受力条件完全一致，实现对微纳尺寸的变形的放大。测量板可用于测量微纳连接构件在一道或多道工艺流程后的力学特征参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115532327A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211062259.X
申请日：2022-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种采用柔性模具剥离工艺三明治结构的微流控芯片的制备方法，采用柔性衬底和图形化光刻胶作为柔性模具，在柔性模具上形成柔性薄层，将柔性薄层和柔性模具的复合结构键合于硬质底层上，剥离柔性模具后于柔性薄层上得到与光刻胶图形对应的流路结构，再在柔性薄层流路结构的表面键合硬质盖板，实现低成本高良率的三明治结构的微流控芯片，且中间层为超薄的柔性。此外针对采用柔性模具剥离工艺制备的具有中间层为透气材料的三明治结构的微流控芯片，提出一种流体填充方式可形成多个独立反应单元，且微流控芯片的液体蒸发量较少，可应用在需要反应加热的蛋白质结晶和数字PCR等领域。
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公开(公告)号：CN109256364A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811202164.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端-TSV射频转接板-结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108766897A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105811804B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610217284.9
申请日：2016-04-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供了一种基于绳牵引的宽频压电振动能量收集装置，包括质量块、至少一个牵引梁、固定支架、牵引绳、压电片、上、下电极和受迫梁；固定支架具有一谐振腔；牵引梁根据外界振动方向设置，其一端与谐振腔的内壁连接，另一端为自由端；受迫梁位于牵引梁的上方或下方，其一端与谐振腔的内壁连接，另一端为自由端；质量块分别固定在每一个牵引梁与受迫梁自由端；牵引绳的一端连接于牵引梁的自由端，另一端连接于受迫梁的自由端；压电片固定在受迫梁上；上、下电极位于压电片的上下表面；牵引梁的牵引绳带动受迫梁发生振动，使受迫梁上的压电片发生形变产生电能，压电片通过连接上、下电极输出电能；当牵引梁的数量大于1时，其在水平面内呈阵列分布。
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公开(公告)号：CN103647475B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310686868.7
申请日：2013-12-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供了一种宽频压电振动能量收集装置，包括至少为两个呈阵列分布的悬臂梁、质量块、碰撞尖端、固定支架、压电片和基底；悬臂梁的一端与固定支架连接，悬臂梁的自由端下表面固定有碰撞尖端；质量块与悬臂梁一一对应，并固定于悬臂梁的自由端；压电片位于基底表面；压电片设置有上电极和下电极；基底位于阵列分布的悬臂梁的正下方，且固定于固定支架上。通过利用阵列式悬臂梁把外界振动转变为悬臂梁对基底的机械撞击，使设置于基底表面的压电片产生形变，进而转化为电能形式输出。根据实际环境中的振动源频率范围，设计悬臂梁的个数和谐振频率，使阵列式悬臂梁的谐振频率范围覆盖环境中振动源频带宽度，实现宽频的能量收集。
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