公开(公告)号：CN112133801A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202011022463.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 梅洋 ,  徐欢 ,  张保平 ,  应磊莹 ,  龙浩 ,  郑志威 ,  罗荣煌 ,  刘杨 ,  钟梦洁 ,  侯想

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，其中，氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜，下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成，介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成，金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中，介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。

公开(公告)号：CN107404066A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710609195.3

申请日：2017-07-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  梅洋 ,  许荣彬 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/02438

Abstract: 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p-down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。

公开(公告)号：CN107123928A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710326448.6

申请日：2017-05-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN118137289A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410299386.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  杨涛 ,  梅洋 ,  石磊 ,  应磊莹

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/024 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR；所述激光器还包括：设置于曲面介质膜DBR一侧的平面基板；所述平面基板用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器、并作为所述氮化镓基垂直腔面发射激光器中一侧的电极，且该平面基板的热导率≥100Wm/K，电导率≥7×106S/m，厚度范围为10‑500μm。本发明引入平面基板后，不仅可避免传统器件因为较薄的自支撑外延层引起的易碎难题，而且可进一步改善器件散热和电流拥堵。具有热导率的平面基板，有助于有源区层中产生的热量通过n型氮化物层传导至平面基板，改善器件的散热效果。同时，由于平面基板为高电导率的平面，可进行垂直电流注入，改善器件电流拥堵效应。

公开(公告)号：CN115799988A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211661483.0

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。本发明工艺简单，散热性好。

公开(公告)号：CN108521075B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810315250.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。

公开(公告)号：CN107863688A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711072492.5

申请日：2017-11-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  梅洋 ,  许荣彬 ,  翁国恩 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/187 ,  H01S5/34 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S5/065 ,  H01S5/3412

Abstract: 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。

公开(公告)号：CN220456887U

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202322132069.7

申请日：2023-08-09

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  张保平 ,  刘熠新 ,  林赛 ,  蔡琦 ,  游庆勇

IPC: H01S5/125

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，包括：依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；第二反射镜设于外延层的上表面中部，第二电极设于外延层的上表面两侧；透明导电层设于外延层的下表面中部，电流限制层设于外延层的下表面两侧；第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本实用新型在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数，降低器件热阻。