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公开(公告)号：CN116036062B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202211088926.1
申请日：2022-09-07
Applicant: 厦门大学附属心血管病医院
IPC: A61K31/192 , A61P7/02
Abstract: 本发明提供阿达帕林在制备抑制血小板功能的药物中的应用，涉及医药技术领域。通过试验发现阿达帕林对血小板聚集、铺展和释放等功能具有显著的抑制作用，且可显著抑制由三氯化铁诱导的血栓的形成。本发明既发掘了阿达帕林的新用途，也为抑制血小板功能提供了新的靶点药物和途径。此外，本发明为血小板内可能存在的阿达帕林的新靶点研究提供基础。
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公开(公告)号：CN117498146A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311195683.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，所述发射激光器从上至下依序包括曲面介质膜DBR、谐振腔层、平面介质膜DBR，还包括：平面衬底，该平面衬底设置于平面介质膜DBR远离谐振腔层一侧；该平面衬底用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器，且该平面衬底的热导率≥100Wm/K，厚度范围为10‑500μm。在传统的大腔长曲面介质膜DBR结构氮化镓基垂直腔面发射激光器中引入平面衬底，避免传统曲面介质膜DBR垂直腔面发射激光器中较薄的自支撑外延层易碎的工艺难题，进一步改善器件散热。平面衬底为具有高热导率的平面结构，相比曲面结构，与其他光学元件以及系统集成具有更好的机械稳定性，同时高热导率特性有助于改善器件的散热特性。
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公开(公告)号：CN119545983A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410781867.9
申请日：2024-06-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/832 , H10H20/858 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管的制备方法及其制品。其中，所述方法依序包括如下步骤：在原始衬底上外延生长氮化镓基外延层，在氮化镓基外延层一表面制备若干曲面结构；在该曲面结构沿一第一方向依序沉积电流扩展层、曲面反射镜、过渡层，并在每个曲面结构的过渡层表面制备与过渡层尺寸对应的区域金属基底；将区域金属基底一侧置于一临时衬底，去除原始衬底并抛光减薄和平坦化氮化镓基外延层另一表面；在氮化镓基外延层另一表面沉积平面反射镜，并制备电极；去除临时衬底获得单个独立氮化镓基谐振腔发光二极管。本发明能够改善获得独立器件时的金属卷边和侧壁损伤、优化实验工艺，提升器件的光输出功率等性能。
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公开(公告)号：CN116036062A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211088926.1
申请日：2022-09-07
Applicant: 厦门大学附属心血管病医院
IPC: A61K31/192 , A61P7/02
Abstract: 本发明提供阿达帕林在制备抑制血小板功能的药物中的应用，涉及医药技术领域。通过试验发现阿达帕林对血小板聚集、铺展和释放等功能具有显著的抑制作用，且可显著抑制由三氯化铁诱导的血栓的形成。本发明既发掘了阿达帕林的新用途，也为抑制血小板功能提供了新的靶点药物和途径。此外，本发明为血小板内可能存在的阿达帕林的新靶点研究提供基础。
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公开(公告)号：CN118137289A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410299386.4
申请日：2024-03-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR；所述激光器还包括：设置于曲面介质膜DBR一侧的平面基板；所述平面基板用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器、并作为所述氮化镓基垂直腔面发射激光器中一侧的电极，且该平面基板的热导率≥100Wm/K，电导率≥7×106S/m，厚度范围为10‑500μm。本发明引入平面基板后，不仅可避免传统器件因为较薄的自支撑外延层引起的易碎难题，而且可进一步改善器件散热和电流拥堵。具有热导率的平面基板，有助于有源区层中产生的热量通过n型氮化物层传导至平面基板，改善器件的散热效果。同时，由于平面基板为高电导率的平面，可进行垂直电流注入，改善器件电流拥堵效应。
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