公开(公告)号：CN103387236B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201310342874.0

申请日：2013-08-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 罗学涛 ,  黄柳青 ,  赖惠先 ,  卢成浩 ,  方明 ,  陈娟 ,  李锦堂

IPC: C01B33/037

Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。

公开(公告)号：CN102616787B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210078794.4

申请日：2012-03-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 罗学涛 ,  余德钦 ,  林彦旭 ,  方明 ,  卢成浩 ,  李锦堂

IPC: C01B33/037

Abstract: 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔，渣料2为CaO-CaSi2；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热使物料熔化，渣料1为SiO2-Na2CO3-CaF2；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kW，待温度下降；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。

公开(公告)号：CN103011169A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210546258.2

申请日：2012-12-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 罗学涛 ,  卢成浩 ,  方明 ,  黄柳青 ,  赖惠先 ,  陈娟 ,  李锦堂

IPC: C01B33/037

Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。