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公开(公告)号：CN1801500A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510110566.0
申请日：2005-11-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L33/0087 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)或锌镁镉氧(ZnxMgyCd1－x－yO，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)。本发明具有可以保护衬底表面不与生长气氛接触、从而防止在铟镓铝氮材料或锌镁镉氧材料生长前形成无定型氮化硅层、提高薄膜质量的优点。
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公开(公告)号：CN1794477A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030874.2
申请日：2005-10-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面，所述的N型欧姆电极包括至少包含由金、锗、镍三种金属成分构成的金锗镍接触层。该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
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公开(公告)号：CN1770484A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510030319.X
申请日：2005-09-30
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L21/02642 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，它通过引入金属镁进行在线区域掩膜，即先在硅衬底上形成一层镁掩模层或金属过渡层，然后再形成一层金属过渡层或镁掩模层，最后形成一层铟镓铝氮半导体层；先在硅衬底上形成一层金属过渡层，然后再分别依次向上形成一层第一铟镓铝氮半导体层、镁掩模层和第二铟镓铝氮半导体层。本发明可以减少硅衬底上生长的铟镓铝氮材料的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN1734799A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510027808.X
申请日：2005-07-13
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。所述铟镓铝氮叠层中包含至少一个氮化铝低温缓冲层，且该氮化铝低温缓冲层直接生长于钛过渡层上。本发明通过使用金属钛作为过渡层，可以防止硅衬底氮化形成不利于铟镓铝氮材料生长的氮化硅和金属镓的回熔，生长出高质量的铟镓铝氮材料。
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公开(公告)号：CN1719631A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510027807.5
申请日：2005-07-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导体层上的第二欧姆电极，特征是第二导电类型半导体层表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二欧姆电极的厚度，且第二欧姆电极形成于凹坑内。衬底和第一导电类型半导体层之间有一金属叠层。所述的第一导电类型半导体层为P型层，所述的第二导电类型半导体层为N型层，N型层和P型层之间还有一发光层。本发明可改善传统半导体发光元件的电极牢固度问题，从而解决影响欧姆接触性能和元件长期工作的可靠性的难题。
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公开(公告)号：CN119630132A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411495607.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/825
Abstract: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除特定深度的P型GaN层；激活所述P型GaN。使用低直流偏压的刻蚀程序刻蚀至暴露P型GaN层，使用无损伤或微损伤的方式去除P型GaN层的表面损伤层，再高温退火才能达到激活的效果，最终达到P型GaN干法刻蚀损伤修复的目的，从而推进新型结构半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN113921600B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111097152.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50‑150nm。该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。
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公开(公告)号：CN115036378A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。
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公开(公告)号：CN114744088A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210236915.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。
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公开(公告)号：CN113257973B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011418472.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
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