公开(公告)号：CN102176471A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110058727.1

申请日：2011-03-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  王斐 ,  闫聪博 ,  张德坤 ,  孙建 ,  魏长春 ,  张建军 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO；HGZO为H化Ga掺杂ZnO；其制备方法是利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜；该复合薄膜可应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点：MOCVD技术获得的BZO薄膜具有绒面结构，同时在较低B掺杂情况下有效地降低了自由载流子浓度，提高了薄膜电子迁移率，减少了对i近红外区域的吸收；磁控溅射技术生长高电导并且具有高电子迁移率的HGZO薄膜，降低了对太阳光谱中近红外区域的吸收。

公开(公告)号：CN102168256A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110066989.2

申请日：2011-03-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  王斐 ,  闫聪博 ,  张德坤 ,  孙建 ,  魏长春 ,  张建军 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜，而后采用正常情况下的掺杂，实现大晶粒尺寸，高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池，可进一步提高Si薄膜电池的性能。

公开(公告)号：CN101697364A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910071052.7

申请日：2009-10-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  王光红 ,  许盛之 ,  郑新霞 ,  魏长春 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发明的优点和积极效果：本发明在单室内沉积完上一个电池的n层后，在下一个电池进入反应室前，仅采用原位微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池沉积所用的反应气体来进行空腔室辉光的磷污染处理技术，以便降低对随后沉积下一个电池的p层材料特性的影响。这种方法既不增加新的设备改造投资，又不需要引入额外的其它非反应气体，并且可以有效降低磷污染，同时提高电池效率。

公开(公告)号：CN100511728C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710061325.0

申请日：2007-09-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵颖 ,  张晓丹 ,  魏长春 ,  熊绍珍 ,  耿新华 ,  孙建 ,  张德坤 ,  薛俊明 ,  侯国付 ,  任慧志 ,  张建军 ,  蔡宁

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种利用绒面临时衬底制备柔性转移衬底太阳电池的方法，该方法将金属衬底浸入电解液中进行表面处理，使金属衬底具有绒面结构，然后在绒面金属铝箔上制备前电极、然后激光切割、制备P-I-N层、激光切割、制备背电极、激光切割和层压聚合物衬底，最后再去除金属衬底制成柔性转移衬底太阳电池。所述本发明中作为柔性转移衬底的金属衬底表面平整且具有绒面结构，使在其表面沉积的前电极也随之具有一定的绒度，从而使所制备的太阳电池具有很好的陷光结构，提高太阳电池效率。

公开(公告)号：CN101430970A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810154057.1

申请日：2008-12-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  魏长春 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/04 ,  H01G9/022 ,  C08L39/06 ,  C08K3/22

Abstract: 一种以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂的光阳极浆料，原料包括乙醇、乙酰丙酮、聚乙二醇、曲拉通、松油醇，以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂；该浆料的制备步骤是：将聚乙烯吡咯烷酮在常温下溶解于酒精中；将光阳极粉、乙酰丙酮、曲拉通、松油醇放入上述溶剂中，研磨30分钟，使其成粘液状即可。本发明的优点是：用聚乙烯吡咯烷酮作为成膜剂，不但价钱便宜，而且使制备的光阳极浆料具有更优异的性能，如成膜性、粘接性；由于聚乙烯吡咯烷酮是一种水溶性的高分子化合物，具有优异的溶解性，吸湿性、热膨胀性和络合性好；利用PVP制备的薄膜，提高了TiO2薄膜吸附染料的数量和电池的短路电流密度，进而提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101217174A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810052036.9

申请日：2008-01-09

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宁 ,  赵颖 ,  张晓丹 ,  熊绍珍 ,  张建军 ,  孙建 ,  魏长春

IPC: H01L31/18 ,  H01L51/48 ,  H01L21/28 ,  H01G9/04 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01M4/04

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种简便的、可减轻甚至消除染料敏化太阳电池光阳极的微裂纹的修复方法。该方法针对烧结后有微裂纹的多孔TiO2电极，处理方法为：在易水解的浓度为0～0.4M的钛盐或钛醇盐(TiCl4、TiOSO4、Ti(SO4)2、Ti(OC3H7)4、Ti(OC4H9)4)水溶液中处理，处理条件：室温～90℃，时间0.1～48小时，然后再经过400～500℃烧结，可使电极的显微裂纹明显减轻甚至消除。