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公开(公告)号：CN103603049B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310649657.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101257080B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200810101681.5
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
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公开(公告)号：CN113946089B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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公开(公告)号：CN111430218B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910019649.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。
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公开(公告)号：CN113584580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318307A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN106757359B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201611110488.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法，包括釜体和设在釜体内的加热器，所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚，该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接，釜体上设有升降移动控制机构，该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接，带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。本发明实现反应物液体在两个坩埚间循环流动，该流动会进一步促进反应物液面的波动，增强反应物液体与氮气的进一步混合，提高材料生长速率和质量。
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公开(公告)号：CN111155163A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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公开(公告)号：CN110690106A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911008284.8
申请日：2019-10-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种单晶金刚石芯片的制备方法，本发明首先通过制备芯片沉积模板，并在芯片沉积模板制备设有开窗的掩膜，对芯片沉积模板进行隔离，然后放进CVD反应室，进行N型金刚石外延层生长，完成N型金刚石外延层生长后，接着进行P型外延层生长，然后在芯片沉积模板的背面和P型外延层的外侧进行欧姆接触电极的制备，接着去除掩膜，形成排列于芯片沉积模板的若干个单晶金刚石芯片，本发明的制备方法，解决了金刚石因为材料尺寸太小而不能产业化问题，可直接在隔离后的芯片沉积模板上外延生长成小尺寸的芯片，切割后即可直接封装进行使用。
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公开(公告)号：CN109738458A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910162017.X
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G01N21/91
Abstract: 本发明涉及一种表面微裂纹检测方法，包括以下步骤：首先，对基材进行加工并去除基材表面的异物；然后，将加工后的基材放入含有环保型染料的溶液中进行染色；接着，将染色后基材表面的环保型染料溶液擦拭去除并干燥；最后，将表面处理干净的基材放置在强光下进行观察，本发明通过染料染色的方式预先在基材表面进行染色处理，使裂纹与基材之间有明显的颜色差异，再在强光下对基材表面进行观察检测，检测更加快捷、准确，彻底改变了现有的裂纹检测方法，并且通过采用环保型染料替代现有的渗透液和显示液，更加环保安全，染色过程中无有毒气体释放，同时，本发明的微裂纹检测方法操作简单、无需使用复杂的设备与仪器，有效降低了检测成本。
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