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公开(公告)号：CN113209998A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110386015.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光催化材料的技术领域，公开了一种石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法。方法：1)将g‑C3N4纳米片、有机溶剂和酸混合，获得混合物A；酸为醋酸或乳酸中一种以上；有机溶剂为乙醇或甲醇；2)将钛酸丁酯与混合物A混匀，获得混合物B；3)将氨水与混合物B中混匀，干燥，煅烧，获得复合光催化剂。本发明的方法简单，通过原位生长的方法在g‑C3N4纳米片上生长N‑TiO2，N‑TiO2纳米颗粒分散均匀，且与g‑C3N4纳米片具有充分的界面接触，两者结合更紧密，能够有效地提高光生电子和空穴的分离速度，从而提高量子效率，达到提高其催化效率的效果。本发明的催化剂在光催化制氢中具有较好的催化活性。
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公开(公告)号：CN112028622A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010898072.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于无机功能粉体材料领域，尤其涉及一种将硬团聚大颗粒BaTiO3转变为纳米及亚微米级颗粒的方法。本方法是采用熔盐刻蚀的方法，将团聚大颗粒BaTiO3粉体和熔盐充分混合在高温下进行熔盐刻蚀，得到纳米级和亚微米级BaTiO3粉体。具有操作简单、反应物可回收利用、所制备的BaTiO3颗粒具有结晶性增加、团聚减少、平均粒径减小且均匀性增加等优点。可以用来解决目前部分BaTiO3粉体粒径大，团聚严重，以及生产过程中环境污染等各种问题。
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公开(公告)号：CN108409306B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201810238077.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01C7/112 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。该ZnO压敏陶瓷材料的ZnO含量为97.24～97.26mol％,添加剂含量为2.74～2.76mol％；所述添加剂包括0.5mol％Bi2O3、0.5mol％Co2O3、0.72mol％Sb2O3、0.5mol％MnCO3、0.5mol％Ni203和0.02～0.04mol％的ZnCl2。本发明采用的半导化施主添加剂为ZnCl2，而不是采用常用的Al(N03)3.9H20，获得的氧化锌压敏电阻材料压敏电压在150V～260V/mm,非线性系数(I‑V非线性系数)a≥45,漏电流IL≦1uA,耐脉冲电流特性良好。
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公开(公告)号：CN103496732B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310461981.5
申请日：2013-09-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高电导率铝掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法，包括以下步骤：以醋酸锌和硝酸铝为原料，将醋酸锌和硝酸铝放入烧杯中，再加入乙二醇甲醚和乙醇胺的混合溶液，通过磁力搅拌配成均匀的溶胶。将生成的溶胶放到烘箱中，干燥后得到干凝胶，并经研磨得到干凝胶粉，即水热反应前驱物；将制备的水热反应前驱物放入水热釜中，并加入无水乙醇作为溶剂，以及NaOH作为矿化剂。密封反应釜，将反应釜置于120℃～180℃烘箱内，反应后取出产物，经过滤得到沉淀物；沉淀物经洗涤，干燥后得到铝掺杂氧化锌粉体。本发明实现了在低温条件下制备具有高电导率的铝掺杂氧化锌纳米粉体，不需要催化剂，工艺控制及合成所需仪器设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN104195642A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410412805.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶BiFeO3纳米片的方法，包括以下步骤：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶解于硝酸溶液中配成母盐溶液；将CTAB溶解于有机溶剂，配制两组CTAB溶液；将母盐溶液滴加到一组CTAB溶液中，搅拌得溶液A；将KOH溶液滴加到另一组CTAB溶液中，搅拌得溶液B；将溶液B滴加到溶液A中，搅拌后得水热反应前驱物；将水热反应前驱物、溶剂放入水热釜中；密封水热釜，于140～160℃烘箱内反应12～24h，过滤得沉淀物；沉淀物经洗涤，干燥后得单晶BiFeO3纳米片。本发明能在低温下合成纯相单晶BiFeO3纳米片，节省能源，产物结晶度高，工艺容易控制，所需设备简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271653C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410027743.4
申请日：2004-06-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/462 , C04B35/48 , H01B3/12
Abstract: 本发明涉及一种片式电容器用介质陶瓷材料的制备方法，包括：第一步，将第三副成分各组分混合，加热至熔融后，采用水冷淬火法制成玻璃碎并用球磨法粉碎至颗粒中粒径D50≤0.6μm即制成玻璃态物料；第二步，主成分、第一副成分混合并加水球磨或搅拌均匀制成料浆，将此料浆干燥成粉料；第三步，将第二步干燥得到的粉料在空气中1100～1250℃煅烧，保温0.5～5小时，加水球磨至颗粒中粒径D50≤0.7μm，干燥后获得主料；第四步，将上述主料、第二副成分、第一步得到的玻璃态物料混合均匀即得到特别适合制作贱金属电极多层片式电容器用介质陶瓷材料；其介电系数高，介电系数温度特性符合EIA标准规定的X7R特性要求，晶粒细小，适合制造介质膜厚度小于8μm的片式电容器。
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公开(公告)号：CN113241256B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110356882.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。
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公开(公告)号：CN113209998B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110386015.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光催化材料的技术领域，公开了一种石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法。方法：1)将g‑C3N4纳米片、有机溶剂和酸混合，获得混合物A；酸为醋酸或乳酸中一种以上；有机溶剂为乙醇或甲醇；2)将钛酸丁酯与混合物A混匀，获得混合物B；3)将氨水与混合物B中混匀，干燥，煅烧，获得复合光催化剂。本发明的方法简单，通过原位生长的方法在g‑C3N4纳米片上生长N‑TiO2，N‑TiO2纳米颗粒分散均匀，且与g‑C3N4纳米片具有充分的界面接触，两者结合更紧密，能够有效地提高光生电子和空穴的分离速度，从而提高量子效率，达到提高其催化效率的效果。本发明的催化剂在光催化制氢中具有较好的催化活性。
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公开(公告)号：CN114716243A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210379506.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/475
Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。
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公开(公告)号：CN108512535B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201810269318.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了采用正温度系数热敏电阻补偿的可控硅触发电路，在可控硅触发回路中串联用于补偿可控硅触发电流的正温度系数热敏电阻，利用热敏电阻的正温度系数特性补偿可控硅导通所需触发电流随温度变化的特性；所述正温度系数热敏电阻串联在可控硅的控制极。本发明解决了可控硅由于温度变化，产生温度漂移，引起的高温误触发以及正常信号低温不触发的问题，提高了可控硅的使用温度区间，扩大触发电流可选择范围。
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