公开(公告)号：CN108219369B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201711287937.1

申请日：2017-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  曾兰英 ,  卢振亚 ,  陈志武

IPC: C08L63/00 ,  C08K9/06 ,  C08K9/02 ,  C08K3/04 ,  C08K3/24 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明属于电介质材料的技术领域，公开了一种复合填充粉体、聚合物基复合介质材料及其制备与应用。所述复合填充粉体是将含有表面氧化的炭黑的二氧化钛溶胶与氢氧化钡溶液进行水热反应得到。聚合物基复合介质材料是将环氧树脂溶液与表面活化复合填充粉体超声搅拌处理得到，所述表面活化复合填充粉体是采用硅烷偶联剂对导电材料/陶瓷复合填充粉体进行改性而成。所述聚合物基复合介质材料用于制备电容器。本发明将炭黑经过氧化处理，与钛酸钡通过化学键复合，复合填充粉体更加稳定，炭黑在复合填充粉体以及复合填充粉体在环氧树脂中具有更优异的分散性，损耗更低。本发明制备的聚合物基复合介质材料具有低损耗和高介电性。

公开(公告)号：CN110252382A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910573482.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  姚黎平 ,  王歆 ,  卢振亚

IPC: B01J27/25 ,  B01J37/10 ,  B01J37/16 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开了一种含铋的碱式盐的复合光催化剂及其制备方法：将一水葡萄糖和五水硝酸铋，加入去离子水配置成反应前驱液；将反应前驱液转入反应釜中，在150～180℃的烘箱内反应8～12h，沉淀物经洗涤干燥得到掺碳的铋的碱式盐粉体，将其加入NaBH4还原液中，洗涤、干燥。复合光催化剂化学式为C-[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O/Bi；Bi单质以纳米颗粒的形式负载在C-[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O材料上。本发明通过简单的两步改性就将[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O的吸收光谱扩展至可见光范围，且在常温下成功引入金属Bi纳米粒子，操作简单，节省能源。

公开(公告)号：CN103525014B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310530647.0

申请日：2013-10-31

Applicant: 华南理工大学 ,  扬州拓声电子科技有限公司

Inventor： 王歆 ,  刘继红 ,  夏亚飞 ,  卢振亚 ,  任媛 ,  郑良辉

IPC: C08L63/02 ,  C08K9/10 ,  C08K9/06 ,  C08K9/04 ,  C08K9/02 ,  C08K3/24 ,  C08K3/04 ,  H01G4/00 ,  H01G4/06

Abstract: 一种三相复合高介电性能材料、制备方法及加工方法。本发明的三相复合高介电性能材料：包括表面活化钛酸钡、包硅炭黑和环氧树脂。按以下步骤进行制备：1）钛酸钡预加工；2）炭黑预加工；3）粉状表面氧化炭黑再加工；4）环氧树脂预处理；5）取表面活化钛酸钡和包硅炭黑加入环氧树脂丁酮溶液中。按以下步骤进行操作：1）材料预处理；2）固化剂预处理；3）铜箔预处理；4）涂覆面；5）固化。本发明在控制介电损耗前提下，利用导电颗粒替代部分铁电陶瓷制备了一种能够有效提高聚合物基复合材料的介电常数的导体/陶瓷/聚合物三相复合介质材料，同时有效地解决了炭黑在聚合物中分散困难和炭黑含量上升后易形成导电通路增大介质损耗的问题。

公开(公告)号：CN100354996C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410052105.8

申请日：2004-11-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 庄志强 ,  刘勇 ,  王悦辉 ,  王歆

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种低频细晶电容器介质材料配方粉体的制备方法，以及进一步制备成介质陶瓷的方法。该陶瓷电容器介质材料配方粉体的制备方法，以水热钛酸钡或者锆钛酸钡纳米晶粉体为主晶相成分，以金属离子鳌合物为前驱物的改性成分，经过分散主晶相粉体、制备前驱溶液、制备复合螯合溶液、制备配方粉体、成型胚膜、干燥、排胶和烧结，得陶瓷介质层膜。本发明的方法尤其适应于应用丝网印刷成膜技术制造超细晶粒、超薄介质层的MLCCs和大电容量片式陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1604245A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410052105.8

申请日：2004-11-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 庄志强 ,  刘勇 ,  王悦辉 ,  王歆

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种低频细晶电容器介质材料配方粉体的制备方法，以及进一步制备成介质陶瓷的方法。该陶瓷电容器介质材料配方粉体的制备方法，以水热钛酸钡或者锆钛酸钡纳米晶粉体为主晶相成分，以金属离子鳌合物为前驱物的改性成分，经过分散主晶相粉体、制备前驱溶液、制备复合螯合溶液、制备配方粉体、成型胚膜、干燥、排胶和烧结，得陶瓷介质层膜。本发明的方法尤其适应于应用丝网印刷成膜技术制造超细晶粒、超薄介质层的MLCCs和大电容量片式陶瓷电容器。