公开(公告)号：CN205211780U

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201521071523.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  林志霆 ,  陈淑琦

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304

Abstract: 本实用新型公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。本实用新型的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。

公开(公告)号：CN207282517U

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201720392713.6

申请日：2017-04-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张云鹏 ,  张子辰

IPC: H01L33/38

Abstract: 本实用新型公开了一种稻草人形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构；所述中心区域插指由一根垂直插指和两根平行插指组成；所述中心区域插指和焊盘相连组成稻草人形插指，所述稻草人形插指位于边缘多边形插指内部，所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连，与垂直插指底部相连。本实用新型的稻草人形N电极，很大程度上改善了传统米字型、十字型N电极电流分布不均，吸光严重的问题。本实用新型还公开了一种垂直结构LED芯片，包括所述的稻草人形N电极，克服了横向结构LED芯片的电流拥挤的缺点，极大的改善了电流在芯片内传输的均匀性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207217574U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201721075337.4

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  张云鹏 ,  郭晓萍 ,  曾禹 ,  黄振强

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: 本实用新型属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本实用新型在垂直结构LED芯片表面设置的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205211779U

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201521004869.X

申请日：2015-12-04

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  林志霆 ,  陈淑琦

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0304

Abstract: 本实用新型公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本实用新型的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。