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公开(公告)号：CN116115796A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310104981.3
申请日：2023-02-13
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明公开了一种公共建筑中央空调冷凝水盘自动消毒装置，包括传动履带，所述传动履带通过外部转矩驱动运转，所述传动履带的两侧通过螺栓安装有主基座，所述主基座的一侧通过点焊安装有工位切换马达，所述工位切换马达的输出端通过联轴器连接有中间杆，所述中间杆与主基座通过轴承活动连接，所述中间杆的侧壁呈圆周通过点焊安装有若干个延伸部，所述延伸部的一侧通过点焊安装有旋转气缸，所述旋转气缸的输出端通过点焊连接有甩动杆，所述甩动杆的外部设置有抵持圆盘，所述主基座的底部设置有消毒剂盒，所述传动履带的外壁均匀排列安装有冷凝水盘夹具，所述中间杆位于传动履带的下方，本发明具有实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN105514278B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201511000522.2
申请日：2015-12-24
Applicant: 华中科技大学 , 杭州众能光电科技有限公司
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了三种新的二元金属盐钙钛矿材料AB1B2X3(X：Cl、Br、I)及其制备方法，以及其在多种结构的钙钛矿太阳能电池制备中应用，属于新材料太阳能电池领域。本材料由有机卤化物金属卤化物B1X2、B2X2(B1:Pb2+；B2:Mg2+、Ca2+、Ba2+；X：Cl、Br、I)，以及有机溶剂(N,N-二甲基甲酰胺DMF、二甲基亚砜DMSO或者γ-丁内酯溶剂)配制成，相比现有的钙钛矿材料降低了有毒铅离子的含量，减小了对环境的污染，有利于实现钙钛矿太阳能电池的产业化应用。
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公开(公告)号：CN119968110A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510067925.6
申请日：2025-01-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种导电桥阈值转换器件及其制备方法，该导电桥阈值转换器件自下而上包括衬底、第一惰性金属电极层、功能介质层、活性金属电极层和第二惰性金属电极层；其中，功能介质层是以非晶态的硫系化合物作为功能介质材料；当向第二惰性金属电极层施加正电压时，活性金属电极层中的金属元素将被氧化成金属阳离子并向功能介质层迁移，最终在功能介质层中与功能介质材料的阴离子结合形成导电丝。本发明通过选取特定的活性金属元素，通过活性金属与硫族元素在电场作用下结合形成低电阻态的晶态导电丝来实现高低组态的切换，可以抑制活性金属离子在功能层中的过度扩散/注入，从而防止器件失效。
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公开(公告)号：CN116568125A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310383982.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳电子技术领域，更具体地，涉及一种Hf‑Te‑M选通管材料、选通管单元及其制备方法。选通管材料为至少包括Hf及Te的化合物，选通管材料的化学通式为HfxTeyM100‑x‑y，其中M包括掺杂材料，且5≤x≤55，45≤y≤90，0≤100‑x‑y≤15。本发明的选通管材料选用HfxTey材料，该材料用于选通管单元时具有漏电流小的优点，有利于降低在相变存储器三维集成中的串扰。本发明的选通管以Hf Te合金为基底材料掺入掺杂材料M，可以调节和优化该选通管材料制作的选通管单元的开通电流、阈值电压及漏电流等；可以提高选通管单元的热稳定性、循环特性以及可重复性。
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公开(公告)号：CN115688661A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211715979.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明提供一种VFTO抑制用螺旋管式阻尼母线全电路参数的建模方法，包括：基于螺旋管式阻尼母线的电感并电阻等效电路，建立每匝线圈包含杂散参数和间隙击穿阻抗的阻尼母线全电路参数等效电路；基于所述全电路参数等效电路计算阻尼母线的等效电感、杂散电容、杂散电感和间隙击穿阻抗。本发明在现有的电感并电阻等效模型基础上，考虑了杂散参数的影响，能很好地等效阻尼母线真实情况，进而为更好地为抑制VFTO、优化螺旋管式阻尼母线设计提供理论依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070834B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510450181.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX3，A＝CH3NH3+或CH(NH2)2+或两者混合物；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物)，随后沉积一层电子传输层PCBM，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiOX的一种)，最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层，电池性能稳定、高效、迟滞现象小，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
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公开(公告)号：CN105070832A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510397349.8
申请日：2015-07-07
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种新的二元金属盐钙钛矿材料及其制备方法，以及其在多种结构钙钛矿太阳能电池制备中的应用方法。本材料由卤化甲基胺、卤化铅、卤化锶，以及溶剂配制成，相比现有的CH3NH3PbI3钙钛矿材料，降低了铅离子的含量，有利于环境保护，为钙钛矿太阳能电池大规模商业化奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN119864167A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510336678.5
申请日：2025-03-21
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: G16H50/30 , G16H50/70 , G16H50/20 , G06F18/211 , G06N5/04 , G06F18/27 , G06N3/0464 , G06N3/0985
Abstract: 本发明涉及糖尿病肾病发病风险技术领域，具体涉及一种2型糖尿病肾病的发病风险预测方法及系统，包括以下步骤：利用多因素Logistic回归模型筛选出对2型糖尿病肾病发病具有显著影响的特征因素；基于特征因素的贡献度，确定用于对所述特征因素进行中心化处理的特征权重，以及确定用于对所述特征因素进行去中心化处理的特征权重；在去中心化处理后的特征权重和中心化处理后的特征权重之间进行博弈，得到最优特征权重；基于经最优特征权重加权后的特征因素，构建2型糖尿病肾病的发病风险预测模型。本发明构建出能够高效识别高风险人群的预测模型，实现通过特征因素预测出病患的2型糖尿病肾病发病风险，做到客观准确且标准统一的风险预测。
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公开(公告)号：CN118354614A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410394342.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种OTS选通管初始化方法、装置、设备及存储介质，属于微纳米电子技术领域。本申请方案首先加热OTS选通管至初始化温度；再对所述OTS选通管施加初始化电压脉冲；随后将所述OTS选通管降温至室温。其中，初始化电压脉冲为梯形波脉冲、方波脉冲或三角波脉冲；初始化温度和室温相差50℃～300℃；初始化电压脉冲幅值为1V～15V，频率为0.01kHz～10kHz。通过本申请方法降低了选通管中形成稳定缺陷态所需的激活能，使其在高温下形成了十分稳定的缺陷态，极大提高了其在阈值开关过程中的可靠性，具体表现在阈值电压的稳定性提高以及选通管中漏电流的降低。
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公开(公告)号：CN118175920A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410351823.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种抑制阈值电压漂移的选通管及其制备方法，属于微电子技术领域，选通管包括：第一金属电极层、选通开关层和第二金属电极层；选通开关层包括选通材料层和抑制层；选通材料层在电流或电压激励下产生离域态缺陷，形成第一金属电极层和第二金属电极层之间的导电通道；抑制层提高选通材料层的离域态激发能垒，同时抑制第二金属电极层和选通材料层的相互作用。本申请提供的选通管可以抑制阈值电压的漂移以及降低漏电流，降低了选通开关层的功耗，以实现更高循环次数的应用需求。
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