公开(公告)号：CN118797030A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410990946.0

申请日：2024-07-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  陈璟琦 ,  汤思琦 ,  袁少杰 ,  徐群道 ,  胡恒怿 ,  缪向水

IPC: G06F16/335 ,  G06F16/332 ,  G06F18/22 ,  G06T17/00 ,  G06F16/25 ,  G06F21/31

Abstract: 本申请属于计算机技术领域，具体公开了一种非晶材料数据查询系统，该系统包括：非晶材料查询模块和非晶材料可视化模块；非晶材料查询模块用于接收用户的搜索输入，以及响应于搜索输入，显示各个目标非晶材料对应的内容摘要、三维结构查看控件以及材料特性查看控件；非晶材料可视化模块用于在三维结构查看控件被触发的情况下，基于目标非晶材料对应的三维结构模型，显示目标非晶材料的三维结构；或，在材料特性查看控件被触发的情况下，基于目标非晶材料对应的材料特性数据，显示目标非晶材料的材料特性图。本申请通过快速响应用户的搜索输入，并显示与搜索内容相匹配的非晶材料的内容摘要、三维结构和材料特性图，实现高效地查询非晶材料数据。

公开(公告)号：CN119968106A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510062575.4

申请日：2025-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  袁少杰 ,  汤思琦 ,  徐群道 ,  胡恒怿 ,  陈璟琦 ,  王欢 ,  王雨豪 ,  缪向水

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种无砷元素的多元素共掺杂的选通管材料，属于微电子技术与器件领域。本发明选通管材料为Ge基硫系化合物，所述Ge基硫系化合物中具有两种元素的共掺杂，且不含有砷元素掺杂。所述Ge基硫系化合物的化学表达式优选为GeSe、GeS、GeTe6或GeTe9。所述两种元素的共掺杂优选为C和Te共掺杂、P和Sb共掺杂、Si和N共掺杂、B和S共掺杂、In和Se共掺杂。本申请通过提出一种双元素共掺杂策略，在物理结构与化学性质上对砷元素掺杂进行等效取代，实现性能优化的同时避免有毒元素的引入。相较于传统的砷掺杂策略，本申请提出的掺杂策略在对选通管材料进行性能优化的同时具有安全性高、成本更低等优点。

公开(公告)号：CN118175920A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410351823.2

申请日：2024-03-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  胡恒怿 ,  缪向水 ,  麦贤良 ,  王欢

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/10

Abstract: 本申请提供了一种抑制阈值电压漂移的选通管及其制备方法，属于微电子技术领域，选通管包括：第一金属电极层、选通开关层和第二金属电极层；选通开关层包括选通材料层和抑制层；选通材料层在电流或电压激励下产生离域态缺陷，形成第一金属电极层和第二金属电极层之间的导电通道；抑制层提高选通材料层的离域态激发能垒，同时抑制第二金属电极层和选通材料层的相互作用。本申请提供的选通管可以抑制阈值电压的漂移以及降低漏电流，降低了选通开关层的功耗，以实现更高循环次数的应用需求。

公开(公告)号：CN119968110A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510067925.6

申请日：2025-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  徐群道 ,  唐飞宇 ,  汤思琦 ,  袁少杰 ,  陈璟琦 ,  胡恒怿 ,  王欢 ,  闫祎凡 ,  缪向水

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种导电桥阈值转换器件及其制备方法，该导电桥阈值转换器件自下而上包括衬底、第一惰性金属电极层、功能介质层、活性金属电极层和第二惰性金属电极层；其中，功能介质层是以非晶态的硫系化合物作为功能介质材料；当向第二惰性金属电极层施加正电压时，活性金属电极层中的金属元素将被氧化成金属阳离子并向功能介质层迁移，最终在功能介质层中与功能介质材料的阴离子结合形成导电丝。本发明通过选取特定的活性金属元素，通过活性金属与硫族元素在电场作用下结合形成低电阻态的晶态导电丝来实现高低组态的切换，可以抑制活性金属离子在功能层中的过度扩散/注入，从而防止器件失效。

公开(公告)号：CN119968107A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510062631.4

申请日：2025-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  袁少杰 ,  徐群道 ,  汤思琦 ,  胡恒怿 ,  陈璟琦 ,  王欢 ,  王雨豪 ,  缪向水

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种基于Ga元素的硫系化合物的选通管材料和选通管器件单元，属于微电子技术领域。本发明选通管材料的化学通式为GaxMxQ1‑2x，其中，M为硫系元素S，Se，Te任意一种，Q为掺杂材料，且为In、C、N、Si、As、Sc、Y中的至少一种，x为元素的原子百分比，且0.35≤x≤0.5，0≤1‑2x≤0.3。本申请实施例所提供的选通管材料仅由两种主要元素或两种元素与少量掺杂元素组成，组分相对简单，易于调控，具有漏电流较小，热稳定性较高，开关比较大的优势，集成在三维相变存储器单元中能够有效的降低串扰与静态功耗。

公开(公告)号：CN118759617A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410959570.7

申请日：2024-07-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  罗霄 ,  胡恒怿 ,  王欢 ,  徐群道 ,  缪向水

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00 ,  G02B1/10 ,  G02F1/00 ,  G02B6/126 ,  G02B27/28

Abstract: 本申请提供了一种基于相变材料与MIM结构的长波红外光吸收器，属于集成光子器件的领域，吸收器包括：反射层、双介质层和超表面层；超表面层用于使光波通过衍射的方式进入双介质层内；反射层与超表面层构成两个反射面，用于使光波经过多次反射，发生FP腔共振；当超表面层为晶态，且光波偏振态与超表面层非平行状态时，反射层与超表面层同时具备金属特性，用于当入射光波的频率与金属中自由电子的集体振荡频率相匹配时，发生等离子体共振；FP腔共振与等离子体共振均导致双介质层内电磁场的局域化和增强，进而增强对光波的吸收。本申请通过改变相变材料的相态，使吸收器在两种光波吸收状态之间发生可逆转换。