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公开(公告)号：CN113241410A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110461230.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能级渐变的Ni(1‑x)MgxO钙钛矿太阳能电池及制备方法，现有技术中反式结构钙钛矿太阳能电池存在HTM能级结构不匹配、导电性差等问题，其包括在导电基底上通过磁控溅射，采用双靶阶梯式差异化溅射，制备多层不同Mg掺杂Ni(1‑x)MgxO薄膜的能级渐变的空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbY3，A＝CH3NH3+或CH(NH2)2+或Cs+或三者混合物；Y＝Cl‑、Br‑、I‑或其混合物)，随后沉积一层电子传输层C60，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF或BCP)，最后沉积一层金属电极(Cu或Ag)。所述能级渐变型Ni(1‑x)MgxO薄膜作为空穴传输层，减少载流子传输过程中的能量损失，改善了钙钛矿太阳能电池的光电转换性能，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
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公开(公告)号：CN110660911B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201810683527.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，钙钛矿薄膜按如下方法制备：在钙钛矿的前驱液中加入一定量的二苯基亚砜，搅拌至充分溶解；将上述溶液制备成一层前驱液薄膜；对前驱液薄膜进行萃取处理，退火处理即得；应用上述钙钛矿薄膜的钙钛矿模组包括透明基底、透明电极、第一传输层、钙钛矿薄膜、第二传输层和背电极。本发明通过在钙钛矿的前驱液中添加二苯基亚砜固体添加剂，与钙钛矿材料形成配位，使得前驱液薄膜稳定化，从而获得较大的工艺窗口以便应用于大面积制备技术中；利用萃取剂将前驱液薄膜中的二苯基亚砜和残留的溶剂萃取出来得到钙钛矿薄膜，并通过退火处理，提高薄膜结晶性并去除其他残留物质。
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公开(公告)号：CN110660911A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810683527.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种大面积高质量高均匀性钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，钙钛矿薄膜按如下方法制备：在钙钛矿的前驱液中加入一定量的二苯基亚砜，搅拌至充分溶解；将上述溶液制备成一层前驱液薄膜；对前驱液薄膜进行萃取处理，退火处理即得；应用上述钙钛矿薄膜的钙钛矿模组包括透明基底、透明电极、第一传输层、钙钛矿薄膜、第二传输层和背电极。本发明通过在钙钛矿的前驱液中添加二苯基亚砜固体添加剂，与钙钛矿材料形成配位，使得前驱液薄膜稳定化，从而获得较大的工艺窗口以便应用于大面积制备技术中；利用萃取剂将前驱液薄膜中的二苯基亚砜和残留的溶剂萃取出来得到钙钛矿薄膜，并通过退火处理，提高薄膜结晶性并去除其他残留物质。
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公开(公告)号：CN113241411A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110461288.2
申请日：2021-04-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于原位反应的FAPbI3钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于光电材料与器件领域。本发明将碘化铅、碘化甲脒和甲酸铅按照一定特定比例溶解于DMF/DMSO混合溶剂中配制FAPbI3钙钛矿前驱体溶液，通过刮涂工艺在溅射有空穴传输材料的ITO透明导电玻璃上制备FAPbI3钙钛矿薄膜，经过退火处理后形成表面致密平滑，结晶度高，缺陷态密度低且晶体取向好的FAPbI3钙钛矿薄膜。使用该钙钛矿薄膜所制备的FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率和出色的器件稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070834B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510450181.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX3，A＝CH3NH3+或CH(NH2)2+或两者混合物；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物)，随后沉积一层电子传输层PCBM，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiOX的一种)，最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层，电池性能稳定、高效、迟滞现象小，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
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公开(公告)号：CN105070832A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510397349.8
申请日：2015-07-07
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种新的二元金属盐钙钛矿材料及其制备方法，以及其在多种结构钙钛矿太阳能电池制备中的应用方法。本材料由卤化甲基胺、卤化铅、卤化锶，以及溶剂配制成，相比现有的CH3NH3PbI3钙钛矿材料，降低了铅离子的含量，有利于环境保护，为钙钛矿太阳能电池大规模商业化奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN105070834A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510450181.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0001 , H01L51/44
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX3，A＝CH3NH3+或CH(NH2)2+或两者混合物；X＝Cl-、Br-、I-或其混合物)，随后沉积一层电子传输层PCBM，接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiOX的一种)，最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层，电池性能稳定、高效、迟滞现象小，有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
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公开(公告)号：CN103387261A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210139452.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种锐钛矿型二氧化钛纳米棒及其制备方法，该方法以钛醇盐为钛源，有机碱为解胶剂，乙二醇～水或乙二醇～水～乙醇为溶剂，首先低温解胶，然后高温水热反应，控制晶体生长按照取向键接的方式发生，最终产物形貌控制为特殊纳米棒状，取向键接方向为 方向，晶体暴露面为{101}面。根据反应条件不同，纳米棒直径在5～60nm范围、棒长为50～400nm范围内可调。本发明纳米棒生长过程是由多颗锐钛矿晶粒按照一定的择优方向，通过共享共同的晶体面的晶体点阵匹配发生局部键接融合，最终形成具有一定长径比、良好的分散性和巨大表面积的纳米棒，利用该纳米棒制备的电极材料容易获得更高的电子收集效率，具有较高的光电性能。
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公开(公告)号：CN103387261B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210139452.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种锐钛矿型二氧化钛纳米棒及其制备方法，该方法以钛醇盐为钛源，有机碱为解胶剂，乙二醇～水或乙二醇～水～乙醇为溶剂，首先低温解胶，然后高温水热反应，控制晶体生长按照取向键接的方式发生，最终产物形貌控制为特殊纳米棒状，取向键接方向为 方向，晶体暴露面为{101}面。根据反应条件不同，纳米棒直径在5～60nm范围、棒长为50～400nm范围内可调。本发明纳米棒生长过程是由多颗锐钛矿晶粒按照一定的择优方向，通过共享共同的晶体面的晶体点阵匹配发生局部键接融合，最终形成具有一定长径比、良好的分散性和巨大表面积的纳米棒，利用该纳米棒制备的电极材料容易获得更高的电子收集效率，具有较高的光电性能。
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