公开(公告)号：CN119968106A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510062575.4

申请日：2025-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  袁少杰 ,  汤思琦 ,  徐群道 ,  胡恒怿 ,  陈璟琦 ,  王欢 ,  王雨豪 ,  缪向水

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种无砷元素的多元素共掺杂的选通管材料，属于微电子技术与器件领域。本发明选通管材料为Ge基硫系化合物，所述Ge基硫系化合物中具有两种元素的共掺杂，且不含有砷元素掺杂。所述Ge基硫系化合物的化学表达式优选为GeSe、GeS、GeTe6或GeTe9。所述两种元素的共掺杂优选为C和Te共掺杂、P和Sb共掺杂、Si和N共掺杂、B和S共掺杂、In和Se共掺杂。本申请通过提出一种双元素共掺杂策略，在物理结构与化学性质上对砷元素掺杂进行等效取代，实现性能优化的同时避免有毒元素的引入。相较于传统的砷掺杂策略，本申请提出的掺杂策略在对选通管材料进行性能优化的同时具有安全性高、成本更低等优点。

公开(公告)号：CN119968110A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510067925.6

申请日：2025-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  徐群道 ,  唐飞宇 ,  汤思琦 ,  袁少杰 ,  陈璟琦 ,  胡恒怿 ,  王欢 ,  闫祎凡 ,  缪向水

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种导电桥阈值转换器件及其制备方法，该导电桥阈值转换器件自下而上包括衬底、第一惰性金属电极层、功能介质层、活性金属电极层和第二惰性金属电极层；其中，功能介质层是以非晶态的硫系化合物作为功能介质材料；当向第二惰性金属电极层施加正电压时，活性金属电极层中的金属元素将被氧化成金属阳离子并向功能介质层迁移，最终在功能介质层中与功能介质材料的阴离子结合形成导电丝。本发明通过选取特定的活性金属元素，通过活性金属与硫族元素在电场作用下结合形成低电阻态的晶态导电丝来实现高低组态的切换，可以抑制活性金属离子在功能层中的过度扩散/注入，从而防止器件失效。

公开(公告)号：CN118522374A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410647784.0

申请日：2024-05-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  徐群道 ,  缪向水 ,  汤思琦 ,  袁少杰

IPC: G16C20/70 ,  G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G16C20/30 ,  G06F18/213 ,  G06F18/2415 ,  G06N3/0499

Abstract: 本申请属于半导体材料技术领域，具体公开了一种基于非晶态结构筛选硫系相变存储材料的机器学习方法，包括：基于第一性原理计算方法进行建模，得到非晶体模型；对非晶体模型进行分子动力学模拟，计算在目标时间范围内非晶体模型的局部结构，得到特征数据；采用开源程序包读取非晶材料结构文件，得到材料堆叠率，读取材料的化学式信息，得到电负性差异特征；基于特征数据、材料堆叠率以及电负性差异特征建立用于训练模型的数据集，确定训练集对应的样本标签；基于训练集和样本标签对机器学习模型进行训练，得到训练好的机器学习模型。通过本申请，能够提高相变材料筛选的精确度和效率性。

公开(公告)号：CN118354614A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410394342.X

申请日：2024-04-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  王欢 ,  罗霄 ,  陈璟琦 ,  汤思琦 ,  辜融川 ,  麦贤良 ,  缪向水

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本申请公开了一种OTS选通管初始化方法、装置、设备及存储介质，属于微纳米电子技术领域。本申请方案首先加热OTS选通管至初始化温度；再对所述OTS选通管施加初始化电压脉冲；随后将所述OTS选通管降温至室温。其中，初始化电压脉冲为梯形波脉冲、方波脉冲或三角波脉冲；初始化温度和室温相差50℃～300℃；初始化电压脉冲幅值为1V～15V，频率为0.01kHz～10kHz。通过本申请方法降低了选通管中形成稳定缺陷态所需的激活能，使其在高温下形成了十分稳定的缺陷态，极大提高了其在阈值开关过程中的可靠性，具体表现在阈值电压的稳定性提高以及选通管中漏电流的降低。

公开(公告)号：CN119968107A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510062631.4

申请日：2025-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  袁少杰 ,  徐群道 ,  汤思琦 ,  胡恒怿 ,  陈璟琦 ,  王欢 ,  王雨豪 ,  缪向水

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种基于Ga元素的硫系化合物的选通管材料和选通管器件单元，属于微电子技术领域。本发明选通管材料的化学通式为GaxMxQ1‑2x，其中，M为硫系元素S，Se，Te任意一种，Q为掺杂材料，且为In、C、N、Si、As、Sc、Y中的至少一种，x为元素的原子百分比，且0.35≤x≤0.5，0≤1‑2x≤0.3。本申请实施例所提供的选通管材料仅由两种主要元素或两种元素与少量掺杂元素组成，组分相对简单，易于调控，具有漏电流较小，热稳定性较高，开关比较大的优势，集成在三维相变存储器单元中能够有效的降低串扰与静态功耗。

公开(公告)号：CN119365065A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411393430.4

申请日：2024-10-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  熊昌鹰 ,  唐飞宇 ,  沈佳豪 ,  汤思琦 ,  缪向水

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请属于微电子器件技术领域，具体公开了一种导电桥型阈值开关器件和电子设备。通过本申请，硒化物层为二维NbSe2，氧化物层为Nb2O5，形成二维NbSe2‑Nb2O5的异质双层薄膜结构，相较于钒硒氧混合物层(VSe2‑xOx的电阻率小于1.1×104S/cm)，Nb2O5的禁带宽度更大，电阻率提升了7‑8个数量级，使得器件高阻态阻值更高，至少降低泄露电流3个数量级。

公开(公告)号：CN118797030A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410990946.0

申请日：2024-07-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  陈璟琦 ,  汤思琦 ,  袁少杰 ,  徐群道 ,  胡恒怿 ,  缪向水

IPC: G06F16/335 ,  G06F16/332 ,  G06F18/22 ,  G06T17/00 ,  G06F16/25 ,  G06F21/31

Abstract: 本申请属于计算机技术领域，具体公开了一种非晶材料数据查询系统，该系统包括：非晶材料查询模块和非晶材料可视化模块；非晶材料查询模块用于接收用户的搜索输入，以及响应于搜索输入，显示各个目标非晶材料对应的内容摘要、三维结构查看控件以及材料特性查看控件；非晶材料可视化模块用于在三维结构查看控件被触发的情况下，基于目标非晶材料对应的三维结构模型，显示目标非晶材料的三维结构；或，在材料特性查看控件被触发的情况下，基于目标非晶材料对应的材料特性数据，显示目标非晶材料的材料特性图。本申请通过快速响应用户的搜索输入，并显示与搜索内容相匹配的非晶材料的内容摘要、三维结构和材料特性图，实现高效地查询非晶材料数据。