一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110299430B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN201910490246.4

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域,公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液,将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积,对应得到20‑500nm厚的薄膜,利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜;(2)将衬底进行整体退火敏化处理;制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进,能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。

    一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109374687A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811299535.8

    申请日:2018-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法,其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜;接着,在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理;然后,向所述电极施加老化电压持续老化6~10天,即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进,得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜,该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜,制作工艺简单,成本低,无需高温(400℃以上)处理,在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化,且响应速度快,在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。

    一种基于毛细作用收集冷凝水的太阳能蒸馏器

    公开(公告)号:CN109292874A

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201811289847.0

    申请日:2018-10-31

    Abstract: 本发明属于水处理技术领域,公开了一种基于毛细作用收集冷凝水的太阳能蒸馏器。该太阳能蒸馏器包括一个或多个竖向依次叠加的太阳能蒸馏器子结构,其中,单个太阳能蒸馏器子结构包括底层无盖水箱、集水槽、冷凝板以及储水挡板,所述底层无盖水箱部含有储液槽,所述冷凝板包含冷凝面和垂滴面。本发明的太阳能蒸馏器,能够实现在充分利用太阳能资源的基础上实现对水蒸气余热的多级利用,同时通过毛细作用快速吸收、运输冷凝水并将该冷凝水聚集凝水,防止水珠散射阳光降低系统效率,进而在显著提高净水处理的效率基础上进一步提升了太阳能的利用率,而且还具备结构更为紧凑、便于操控、环境适应性更强和净水成本低等优点。

    一种QCM化学传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108007810B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201711103503.1

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于石英晶体微天平(QCM)的化学传感器及其制备方法,包括:石英晶体振荡片和涂覆在所述石英晶体振荡片上的敏感层,所述敏感层的材料为量子点或量子线。将胶体量子点或量子线涂覆在石英晶振表面均匀成膜,再利用适当的盐溶液进行配体处理,以去除量子点或量子线表面的长链配体。利用胶体量子点或量子线作为敏感层的QCM化学传感器与现有QCM化学传感器相比,敏感层能够在室温成膜并且结晶性好,工艺简便,能够在器件中保持纳米材料的高比表面积和活性,响应及恢复时间较快,并且响应高。

    一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110927094B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201911161561.9

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法,属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片;所述上层硅片和下层衬底键合形成气室,气室内蒸镀有反射层,硅片键合面上分布有气体扩散槽;所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部,在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口,MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层,发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成,并提高了灵敏度。

    一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110927094A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911161561.9

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法,属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片;所述上层硅片和下层衬底键合形成气室,气室内蒸镀有反射层,硅片键合面上分布有气体扩散槽;所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部,在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口,MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层,发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成,并提高了灵敏度。

Patent Agency Ranking