公开(公告)号：CN103615961A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310584923.1

申请日：2013-11-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  文柯 ,  王琦

IPC: G01B7/004

Abstract: 本发明属于光电位敏探测定位技术领域，公开了一种螺旋光电位敏定位装置及方法；包括：基座、第一螺旋电极、第二螺旋电极以及第三螺旋电极；基座采用光电导材料；第一螺旋电极、第二螺旋电极以及第三螺旋电极均为螺旋线形结构，生长在基座上；第三螺旋电极的螺旋线铺设在第一螺旋电极的两条相邻螺旋线的正中位置；第二螺旋电极的螺旋线铺设在第一螺旋电极的螺旋线与第三螺旋电极的螺旋线的正中位置；第一螺旋电极与第三螺旋电极为阳极，外接电压测量装置；第二螺旋电极为公共阴极。本发明螺旋线形的电极在光斑照射位置形成电路通路，获得两组探测器之间的电压差，从而计算得到光斑照的二维极坐标值；结构简单精度高。

公开(公告)号：CN102902024A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210380270.0

申请日：2012-09-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  刘卫华 ,  许远忠 ,  刘文

IPC: G02B6/42

Abstract: 本发明涉及一种实现多芯光纤和光电子芯片阵列光耦合的方法，包括：将垫块固定在管壳中,然后在垫块上的小凹槽中放入焊料；将光电子芯片放在对应的凹槽中，使焊料融化以固定光电子芯片，再通过打线方式完成光电子芯片的电气连接；将多层波导的端面与垫块的出光面对准后，固定多层波导；调整并固定透镜组的位置，然后对准多芯光纤并固定，实现多芯光纤和光电子芯片阵列光耦合。本发明使用一种多层波导，将多芯光纤呈中心对称排列的模斑转换成呈直线排列的模斑，具有体积小，适合在管壳中进行封装等优点，容易实现低成本、大规模应用。

公开(公告)号：CN101320682A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810048015.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  元秀华 ,  黄黎蓉 ,  余永林 ,  刘文 ,  黄德修

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术，为一种改善金属－P型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为：①先合成和提纯纳米碳管；②在P型半导体上制备纳米碳管薄膜；③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再沉积一层光刻胶；然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定义所设计的图形，曝光后，将半导体器件置入显影液中显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽，刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；④在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金。本发明利用纳米碳管薄膜改善半导体器件的欧姆接触特性，具有制作工艺简单、成本低和适合大规模应用等优点，可以提高半导体器件的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN104767570B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201510135874.2

申请日：2015-03-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  文柯 ,  涂俊杰

IPC: H04B10/64

Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种偏振无关相干接收机，包括：本振光源，产生线偏本振光；本振光调制单元，将本振光转换成调制本振光；混频器，接收调制本振光和信号光，并进行混频生成混频信号光；光电转换模块，接收混频信号光，转换成中频信号输出；其中，本振光调制单元包括：偏振分束器、相位调制器以及偏振合束器；偏振分束器接收线偏本振光，并将其分成功率相等，偏振态相互垂直的第一线偏光和第二线偏光；相位调制器与偏振分束器相连，接收第一线偏光并调整其相位，产生第三线偏光；第三线偏光与第二线偏光产生调制相位差；偏振合束器，接收第三线偏光和第二线偏光，并将二者合束，产生调制本振光。本发明结构简单，易于控制，成本低廉。

公开(公告)号：CN105547470A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510897043.9

申请日：2015-12-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  田育充 ,  文柯 ,  解超 ,  涂俊杰

IPC: G01J1/44

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J2001/442 ,  G01J2001/4466

Abstract: 本发明属于通信技术领域，公开了一种自淬灭单光子探测系统，包括：混频器、雪崩光电二极管APD，跨阻放大器TIA、取样电阻R以及比较器；雪崩光电二极管APD的负极连接直流偏压VD，正极通过取样电阻R接地；雪崩光电二极管APD的正极与跨阻放大器TIA输入端相连；跨阻放大器TIA信号输出端分别与雪崩光电二极管APD的负极以及比较器相连；其中，待检单光子信号与本振光信号经由混频器混频后输出光信号，光信号发送给雪崩光电二极管APD的光输入端；跨阻放大器TIA的输出信号反馈调节雪崩光电二极管APD两端电压；比较器计数单光子脉冲。本发明提供了一种高效，便捷可靠性高的单光子探测系统。

公开(公告)号：CN104749706A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510112986.6

申请日：2015-03-13

Applicant: 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 孙敏 ,  朱以胜 ,  赵彦立

IPC: G02B6/26

CPC classification number: G02F1/0955

Abstract: 本发明公开了一种硅光隔离器，第一目标波导段用于使第二分光信号从第一分支耦合器的第二分支向第一定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第二目标波导段用于使第一分光信号从第一定向耦合器的第四端口向第二定向耦合器的第二端口传输时产生的非互易相移；第三目标波导段用于使第二分光信号从第一定向耦合器的第三端口向第二定向耦合器的第一端口传输时产生的非互易相移；第四目标波导段用于使第一分光信号从第二定向耦合器的第三端口向互易相移器传输时产生的非互易相移；互易相移器用于使经过互易相移器的第一分光信号产生的互易相移。采用该方案，能够有效地减少磁场分布的面积，提高了磁场的利用效率。

公开(公告)号：CN102916071B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210302467.2

申请日：2012-08-23

Applicant: 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 史翠华 ,  余长亮 ,  付生猛 ,  赵彦立

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的实施例公开了一种光电二极管及其制作方法，涉及光电技术领域，能够降低能量的损耗。该光电二极管包括：位于底层的衬底；覆盖衬底的下包层凸台，下包层凸台在入射波方向的末端的宽度宽于入射波方向始端的宽度，且下包层凸台在入射波方向的末端的两侧边平行，下包层凸台在入射波方向的始端的两侧边平行；覆盖下包层凸台的入射波导芯层；覆盖入射波导芯层的上包层；位于上包层上方的光匹配层，光匹配层包括：光匹配层前端和光匹配层后端，其中光匹配层前端包含有沿入射波方向延伸的至少一条空气缝，且空气缝将光匹配层前端分割成间隔设置的特征单元；位于光匹配层后端中部上方的雪崩光电二极管。本发明的实施例应用于光电二极管制造。

公开(公告)号：CN102916071A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210302467.2

申请日：2012-08-23

Applicant: 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 史翠华 ,  余长亮 ,  付生猛 ,  赵彦立

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的实施例公开了一种光电二极管及其制作方法，涉及光电技术领域，能够降低能量的损耗。该光电二极管包括：位于底层的衬底；覆盖衬底的下包层凸台，下包层凸台在入射波方向的末端的宽度宽于入射波方向始端的宽度，且下包层凸台在入射波方向的末端的两侧边平行，下包层凸台在入射波方向的始端的两侧边平行；覆盖下包层凸台的入射波导芯层；覆盖入射波导芯层的上包层；位于上包层上方的光匹配层，光匹配层包括：光匹配层前端和光匹配层后端，其中光匹配层前端包含有沿入射波方向延伸的至少一条空气缝，且空气缝将光匹配层前端分割成间隔设置的特征单元；位于光匹配层后端中部上方的雪崩光电二极管。本发明的实施例应用于光电二极管制造。

公开(公告)号：CN101777596B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010031383.0

申请日：2010-01-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘文 ,  邵晶 ,  王磊 ,  龚贻文 ,  李靖娟 ,  徐智谋 ,  赵彦立 ,  汪毅

IPC: H01L31/052

Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电领域，一种采用光子晶体的色散型太阳能电池包括：聚光单元、分光单元、环状光伏电池组，其分光单元实际是一种色散装置，它具有双锥形的圆对称结构，可以将广谱太阳光中不同频率分量分开，且不同频率的出射角度不相同；环状光伏电池组是一系列单结光伏电池，且为环状结构的外观，各个电池的最大吸收峰波长不同。本发明引入引入光子晶体结构来提高光电转换效率，从而进一步提高整个太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN108709645B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201810425446.7

申请日：2018-05-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  王润琦 ,  田育充

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了一种基于场效应管的单光子淬灭电路，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，雪崩光电二极管APD，滑动变阻器R以及取样电阻R0，APD阴极与R相连；APD阳极与R0和放大器的一端相连；R0与第一NMOS管的漏极相连；R与第二NMOS管的源极相连；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极与高压偏置电源相连；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极均与脉冲信号相连，雪崩信号经过放大器后输出。通过调节滑动变阻器阻值可有效的减小工作电流，降低功耗，利用两个MOSFET管即可实现单光子的自淬灭过程，结构简单，淬灭电路响应速度快，且工作电流可得到有效限制，有利于实现大规模雪崩光电二极管的集成。