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公开(公告)号：CN107135034B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710474217.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种测量光纤色散的系统及方法，包括：通过连续激光器发射激光；利用激光引起的自发四波混频非线性效应产生宽谱的非简并的时间能量纠缠光子对；通过带通滤波器对宽谱的非简并的时间能量纠缠光子对和残留的激光进行滤波，得到波长位于带通区间的非简并的时间能量纠缠光子对；从通过色散补偿光纤后的波长位于带通区间的非简并的时间能量纠缠光子对中选出至少一对具有时间能量纠缠特性的光子；记录每对具有时间能量纠缠特性的光子到达双通道单光子探测器的时间差，每对具有时间能量纠缠特性的光子到达双通道单光子探测器的时间差用于确定色散补偿光纤在各波长点的色散系数。本发明通过低成本的连续激光器可降低光纤色散测量成本。
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公开(公告)号：CN112993065A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110337673.6
申请日：2021-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种基于Bragg光栅和横向波导结构的雪崩光电探测器，包括：衬底；形成于衬底之上的波导，用于光传输并将光场耦合到吸收层，同时作为电荷层对吸收层和倍增层的电场进行调节；位于波导两侧的倍增层，用于提供载流子雪崩倍增效应；位于倍增层两侧并与阴极电极形成欧姆接触的第一接触层；位于波导之上的吸收层，用于吸收光子并将其转化成为电子与空穴，以提供光电流；内嵌于吸收层上方并与阳极电极形成欧姆接触的第二接触层；与电源和第一接触层相连的阴极电极；与电源和第二接触层相连的阳极电极；位于波导末端的Bragg光栅，用于将波导末端出射光场进行反射。通过Bragg光栅与横向波导结合，使得器件响应度较高的同时减小Ge吸收层长度。
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公开(公告)号：CN110197990A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910579336.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种光学三倍频增强器，包括：基频激光器、聚焦透镜以及硅光子晶体平板。基频激光器用于输出基频激光，作为三倍频激光信号的泵浦源；聚焦透镜位于基频激光器的后侧，用于对基频激光进行聚焦，使其聚焦在硅光子晶体平板上；硅光子晶体平板带有周期性规则分布的孔状结构，使得聚焦在硅光子晶体平板的基频激光产生谐振效应，以对基频激光的三倍频增强，得到三倍频激光信号。本发明利用硅光子晶体平板的谐振效应，在微纳尺寸内提升激光与硅材料的相互作用，实现了三倍频的增强。本发明的硅光子晶体平板相较于非线性晶体尺寸小，有利于集成光学的应用；硅光子晶体平板利用谐振效应可以增强局域电磁场，使非线性响应得到有效提高。
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公开(公告)号：CN108711733A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810478393.5
申请日：2018-05-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S3/11
CPC classification number: H01S3/11 , H01S3/1115
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯和硅混合波导的被动调Q脉冲激光器，包括依次连接的掺铒光纤放大器、光隔离器、偏振控制器、石墨烯和硅混合波导、光纤输出耦合器，所述石墨烯和硅混合波导的两端设置有垂直耦合光栅，该光栅通过耦合光纤与外部光纤系统连接，所述光纤输出耦合器的一端作为脉冲激光输出端，另一端与掺铒光纤放大器输入端连接形成环形腔结构。本发明结构简单、石墨烯可饱和吸收体不易损伤且石墨烯的质量便于监测，石墨烯的饱和吸收参数可以调控。
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公开(公告)号：CN108089350A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711152828.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G02B1/005 , G02F1/0063 , G02F1/0126
Abstract: 本发明公开了一种基于硫系相变材料的全光开关及其制备方法，属于光通信领域，全光开关包括依次堆叠的覆盖层薄膜、硫系相变材料薄膜、隔离层薄膜、硅光子晶体和衬底。硅光子晶体包括纳米多孔结构，使得硅光子晶体具有法诺共振效应。全光开关在使用时，通过激光控制硫系相变材料薄膜的状态，调制硅光子晶体的共振状态，实现信号光透过率的调制，调制范围为通信波段1500nm至1600nm，实现光开关。本发明全光开关具有高对比度、高速率、低损耗的特点，其结构简单可降低生产成本，适应于CMOS集成易于匹配现代半导体工艺生产线，适用于工业生产和产品化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107135034A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710474217.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/079
CPC classification number: H04B10/07951
Abstract: 本发明公开了一种测量光纤色散的系统及方法，包括：通过连续激光器发射激光；利用激光引起的自发四波混频非线性效应产生宽谱的非简并的时间能量纠缠光子对；通过带通滤波器对宽谱的非简并的时间能量纠缠光子对和残留的激光进行滤波，得到波长位于带通区间的非简并的时间能量纠缠光子对；从通过色散补偿光纤后的波长位于带通区间的非简并的时间能量纠缠光子对中选出至少一对具有时间能量纠缠特性的光子；记录每对具有时间能量纠缠特性的光子到达双通道单光子探测器的时间差，每对具有时间能量纠缠特性的光子到达双通道单光子探测器的时间差用于确定色散补偿光纤在各波长点的色散系数。本发明通过低成本的连续激光器可降低光纤色散测量成本。
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公开(公告)号：CN101777596A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010031383.0
申请日：2010-01-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/052
Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电领域，一种采用光子晶体的色散型太阳能电池包括：聚光单元、分光单元、环状光伏电池组，其分光单元实际是一种色散装置，它具有双锥形的圆对称结构，可以将广谱太阳光中不同频率分量分开，且不同频率的出射角度不相同；环状光伏电池组是一系列单结光伏电池，且为环状结构的外观，各个电池的最大吸收峰波长不同。本发明引入光子晶体结构来提高光电转换效率，从而进一步提高整个太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN119045109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411334719.9
申请日：2024-09-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种生成光阱阵列的装置及系统，涉及光学设备技术领域，所述装置包括：同一光轴设置的超构全息器件和超构透镜；所述超构全息器件包括阵列设置的多个超构表面单元，所述超构全息器件用于将入射的平面光进行相位调制后输出，所述超构全息器件的每个所述超构表面单元以预设第一规则确定其相位调制值；所述超构透镜包括多个阵列设置的超构表面单元，所述超构透镜用于将所述超构全息器件输出的平面光聚焦到焦平面上生成光阱阵列，所述超构透镜的每个所述超构表面单元以预设第二规则确定其相位调制值。本发明的生成光阱阵列的装置，其超构全息器件和超构透镜均采用超构表面单元组成，具有光路简单、体积小、可拓展性强的特点。
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公开(公告)号：CN100440020C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610125588.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种微纳硅基光放大器及该放大器的增益介质的制备方法，它涉及一种硅基光放大器。本发明所述放大器包括光源部分、增益介质(2)和探测系统，增益介质(2)的两端分别通过保偏光纤与光源部分和探测系统连接，它的设计要点在于：所述增益介质的多层Si(Er)/Si结构层(2-1)的下方增设有金属光栅层，该金属光栅层的上表面周期地依次设置有若干个凹槽和凸起，所述凸起处在多层Si(Er)/Si结构层内。所述放大器的增益介质的制备方法，按照下述步骤进行：在Si基基片上溅射一层金属金箔；在金箔表面周期性间隔地生长一层光刻胶；将未被光刻胶覆盖的金箔垂直刻蚀；启动原子层沉积设备，交替生长Si(Er)层和Si层。本发明利用表面等离子体效应，结构简单，且与标准的CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101004532A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610125588.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种微纳硅基光放大器及该放大器的增益介质的制备方法，它涉及一种硅基光放大器。本发明所述放大器包括光源部分、增益介质(2)和探测系统，增益介质(2)的两端分别通过保偏光纤与光源部分和探测系统连接，它的设计要点在于：所述增益介质的多层Si(Er)/Si结构层(2－1)的下方增设有金属光栅层，该金属光栅层的上表面周期地依次设置有若干个凹槽和凸起，所述凸起处在多层Si(Er)/Si结构层内。所述放大器的增益介质的制备方法，按照下述步骤进行：在Si基基片上溅射一层金属金箔；在金箔表面周期性间隔地生长一层光刻胶；将未被光刻胶覆盖的金箔垂直刻蚀；启动原子层沉积设备，交替生长Si(Er)层和Si层。本发明利用表面等离子体效应，结构简单，且与标准的CMOS工艺兼容。
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