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公开(公告)号：CN110342456A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910558477.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法，本发明中的气压计芯片主要采用半导体微纳加工工艺，由SOI硅片上的发射体、门极、阳极构成；发射体是图案化的碳纳米管(CNT)阵列，使用CNT阵列作为冷阴极发射体材料，利用CNT优异的电学和热学性能等，可以降低气压计整体功耗，增强散热性能，从而提高气压计的稳定性；门极(Grid)采用深硅刻蚀加工形成具有高深宽比的三维(3D)对称劈尖结构，有效增强了门极中心的电场强度，这种对称的、具有高深宽比的3D尖端结构形成的高电场可以有效的吸收电子，进而可以明显的提升气压计的精度；通过分开放置气压计的上下两部分，可以根据实际需求切割相应大小的芯片，提高了对芯片资源的利用率，能做到量产和小型化。
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公开(公告)号：CN107572474B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710725952.3
申请日：2017-08-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种封装间距可高精度控制的MEMS封装结构及封装方法，包括：硅基底、限位装置、第一封装环、上盖帽以及第二封装环，限位装置的高度大于第一封装环和第二封装环的高度之和；限位装置和第一封装环设置在硅基底上，第二封装环设置在上盖帽上，第一封装环与第二封装环的位置相对应；限位装置与上盖帽制备封装环的一面接触，第一封装环上承载有流动性的封装焊料，以使第一封装环与第二封装环在流动性的封装焊料的作用下进行键合封装；限位装置的熔点高于焊料以及焊料与第一封装环、第二封装环所形成的合金的熔点，以使第一封装环与第二封装环进行键合封装时，限位装置保持固态，固定封装间距。本发明通过限位装置实现封装间距的高精度控制。
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公开(公告)号：CN106646646B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201611163659.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种力平衡式传感器标度因子调节方法，力平衡式传感器包括机械部分、传感计算部分和反馈调节部分；在反馈调节部分中加入一个与输出成比例的调节电压或电流，通过改变该比例因子从而改变标度因子。反馈调节部分包括：第一加法器、反馈放大器模块和调节放大器模块，反馈放大器模块的输入端连接输出电压，调节放大器模块的输入端连接输出电压，第一加法器的第一输入端连接至反馈放大器模块的输出端，第一加法器的第二输入端连接至调节放大器模块的输出端，第一加法器的输出端连接机械部分的反馈控制端。本发明可实现对标度因子的大范围调节，能广泛应用于旋转加速度计重力梯度仪中，有效抑制沿转台平面的平动加速度噪声以及沿转台转轴的角加速度噪声。
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公开(公告)号：CN107907915A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711296974.9
申请日：2017-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V7/00
CPC classification number: G01V7/00
Abstract: 本发明公开了一种三分量重力仪探头及井中重力仪系统，三分量重力仪探头包括结构相同的X轴重力测量模块、Y轴重力测量模块和Z轴重力测量模块；各单轴重力测量模块包括单轴重力加速度传感器、信号处理电路和电子元器件；各单轴重力加速度传感器包括重力敏感单元和位移传感组件；各轴重力敏感单元用于实现测量重力沿各轴方向的加速度，包括X轴方向、Y轴方向及Z轴方向三个方向；重力敏感单元包括弹性结构、检验质量块及支撑体，检验质量块位于支撑体内部，检验质量块通过弹性结构与支撑体连接；各轴重力敏感单元中的弹性结构的位移移动方向同个轴方向相同，本发明通过三个方向的重力测量模块，能够实现井中的三分量重力测量。
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公开(公告)号：CN107857231A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710997592.2
申请日：2017-10-24
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: B81B7/00 , B81B2201/0235 , B81C1/00015
Abstract: 本发明公开一种微机电加速度计及其制备方法，包括：检验质量、正摆弹簧与倒摆弹簧；检验质量与正摆弹簧和倒摆弹簧相连接，正摆弹簧和倒摆弹簧分布在所述检验质量的两侧，检验质量在正摆弹簧和倒摆弹簧的约束下受外界力的作用而运动，检验质量的质心位置或者检验质量所受的等效重力加速度可以用于对微机电加速度计的本征频率进行调节；检验质量上制备有密绕导电线圈，当密绕导电线圈通电流时，在垂直与密绕导电线圈方向的磁场的作用下，检验质量的等效质心位置或者所受的等效重力加速度发生变化。本发明利用电磁力进行检验质量的等效质心或者等效重力加速度调节，克服了微机电加速度计由于检验质量过小，而引起的调节力度不够的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103896206B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410141817.0
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。
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公开(公告)号：CN103950887A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410140457.2
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。
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公开(公告)号：CN119470972A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411625824.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本申请属于惯性传感器技术领域，具体公开了一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法。通过本申请，在拾取电极背部正对位置形成镂空区域，降低拾取电极与上盖硅衬底之间的正对面积降低寄生电容。此外，在拾取电极之间设置接地极板，屏蔽了激励电极与上盖板硅衬底之间的相对运动，进一步降低了激励电极与硅衬底之间寄生电容的影响。通过薄膜支撑结构，结合等离子体干法刻蚀，在MEMS加速度计拾取电极背部形成镂空区域，该制备方法工艺简单，适用于各种电容式MEMS加速度计或重力仪中，具有较好的兼容性和实用性。
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公开(公告)号：CN115231509A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210800894.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及MEMS器件封装领域，公开了一种三明治式微机电系统的圆晶级真空封装腔及封装方法，包括：通过设计下、中、下层封装环，将一般的单层封装环扩展为双层或者多层封装环，通过控制隔开缓冲腔的封装环的具体宽度，保证其强度和完整器件的尺寸；通过设计中层封装环，在中层的两道封装环之间的位置设计出贯穿通孔，从而保证下层缓冲腔和上层缓冲腔的连通；对下层和中层先进行对准键合；然后与上层完成对准键合，完成整体的封装工艺，键合方式包括热压键合、直接键合、阳极键合等键合技术。本发明能有效降低真空封装的MEMS器件的内部压强上升速度，提升真空器件的寿命。
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公开(公告)号：CN113777671B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110912567.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01V13/00 , G01V7/02 , G01R33/022
Abstract: 本发明公开了一种旋转式重力梯度仪的磁场效应评估方法、装置及系统，属于重力梯度测量领域，包括：利用安装于转台上的n对磁力计实时测量磁场强度，成对的磁力计相位相差180°；对于每对磁力计，计算三个方向的磁梯度，并解调得到各方向、各通道的磁梯度分量，所用解调信号比梯度仪的解调信号相位提前φ(φ为取逆时针方向为正时磁力计与第一个加速度计的相位角度差)；对于每一个加速度计，在每一个通道上，根据三个方向的磁系数与三个方向的磁梯度分量计算各通道对应的梯度影响；将四个加速度计的梯度影响相加，得到磁场贡献；将磁场贡献平均值作为评估得到的磁场噪声。本发明能够准确评估旋转式重力梯度仪在重力梯度测量过程中的磁场噪声。
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