公开(公告)号：CN115231509B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202210800894.7

申请日：2022-07-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈天佑 ,  范继 ,  赵坤伟

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及MEMS器件封装领域，公开了一种三明治式微机电系统的圆晶级真空封装腔及封装方法，包括：通过设计下、中、下层封装环，将一般的单层封装环扩展为双层或者多层封装环，通过控制隔开缓冲腔的封装环的具体宽度，保证其强度和完整器件的尺寸；通过设计中层封装环，在中层的两道封装环之间的位置设计出贯穿通孔，从而保证下层缓冲腔和上层缓冲腔的连通；对下层和中层先进行对准键合；然后与上层完成对准键合，完成整体的封装工艺，键合方式包括热压键合、直接键合、阳极键合等键合技术。本发明能有效降低真空封装的MEMS器件的内部压强上升速度，提升真空器件的寿命。

公开(公告)号：CN119470972A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411625824.8

申请日：2024-11-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范继 ,  赵坤伟 ,  陈天佑 ,  刘骅锋 ,  伍文杰

IPC: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请属于惯性传感器技术领域，具体公开了一种低寄生电容的MEMS加速度计及制备方法。通过本申请，在拾取电极背部正对位置形成镂空区域，降低拾取电极与上盖硅衬底之间的正对面积降低寄生电容。此外，在拾取电极之间设置接地极板，屏蔽了激励电极与上盖板硅衬底之间的相对运动，进一步降低了激励电极与硅衬底之间寄生电容的影响。通过薄膜支撑结构，结合等离子体干法刻蚀，在MEMS加速度计拾取电极背部形成镂空区域，该制备方法工艺简单，适用于各种电容式MEMS加速度计或重力仪中，具有较好的兼容性和实用性。

公开(公告)号：CN115231509A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210800894.7

申请日：2022-07-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈天佑 ,  范继 ,  赵坤伟

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及MEMS器件封装领域，公开了一种三明治式微机电系统的圆晶级真空封装腔及封装方法，包括：通过设计下、中、下层封装环，将一般的单层封装环扩展为双层或者多层封装环，通过控制隔开缓冲腔的封装环的具体宽度，保证其强度和完整器件的尺寸；通过设计中层封装环，在中层的两道封装环之间的位置设计出贯穿通孔，从而保证下层缓冲腔和上层缓冲腔的连通；对下层和中层先进行对准键合；然后与上层完成对准键合，完成整体的封装工艺，键合方式包括热压键合、直接键合、阳极键合等键合技术。本发明能有效降低真空封装的MEMS器件的内部压强上升速度，提升真空器件的寿命。