基于NFC与路径容量限制的聚集人群疏散路径选择方法

    公开(公告)号:CN103780703B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201410055927.5

    申请日:2014-02-19

    Abstract: 基于NFC与路径容量限制的聚集人群疏散路径选择方法,利用NFC在聚集人群之间传递信息的时效性,疏散指示系统能准确获取来聚集人群手机NFC模块中的个人信息,并估算出人员的行走速度,对所有的有效疏散路径按照路径长度从小到大的顺序进行排序,得到疏散路径序列,并逐一为不同类别的人员从路径序列中分配相应的疏散路径,分配操作优先考虑长度较短的疏散路径,同时还能将待分配人员中的超出部分的人员分配至疏散路径序列中的下一条路径,本发明考虑了路径的容量限制,按照疏散路径的长度从小到大依次对不同速度的人员进行路径分配,一方面避免了拥堵和踩踏的发生,另一方面也有效地减小了疏散所用时间,提高了疏散人员的生存率,运用范围广泛。

    基于人员特征的火灾疏散路径导航方法

    公开(公告)号:CN103776452B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201410017041.1

    申请日:2014-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于人员特征的火灾疏散路径导航方法,包括以下步骤:步骤一、通过火灾探测器获取火势信息,计算每条路径可用于逃生的有效时间范围;步骤二、利用RFID读写器读取人员标签信息,定位人员位置信息,并根据获取到的人员标签信息和人员位置信息进行人员疏散速度分类;步骤三、对于不同速度的人员,通过最短路径优先算法来为其计算疏散路径信息,包括从初始位置到出口结点D的最短路径长度值以及路径上的所有结点;步骤四、将所述最短路径长度值以及该路径上的所有结点发送给待疏散人员。本发明可以有效地提高路径的利用率。

    一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119767678A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411866864.1

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提出了一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法。所述存储器包括:Si衬底、隧穿层Al2O3薄膜、存储层Si3N4薄膜、阻挡层和Al电极层;所述隧穿层、存储层、阻挡层依次沉积在Si衬底表面,在所述阻挡层的表面蒸镀Al电极层;所述阻挡层为周期性交叠沉积生长HfO2和Al2O3形成铪铝氧化物复合介质薄膜。本发明通过周期性交叠沉积HfO2和Al2O3以形成不同Hf/Al元素比的HfO2‑Al2O3原子叠层结构,这种生长方式有利于Hf‑O与Al‑O之间元素扩撒和缺陷的填充,通过控制Hf/Al元素比例,可以提高阻挡层介电常数,在相同操作电压下,作用在隧穿层的电压更高,更多电荷被注入/擦出存储层,一定程度上提高了器件的存储窗口大小,且保持、疲劳特性与Al2O3作为阻挡层的器件相比没有变差。

    一种高探测率宽谱响应的光电晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117913176B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410123758.8

    申请日:2024-01-30

    Inventor: 刘璐 蒋伟超

    Abstract: 本发明提出了一种高探测率宽谱响应的光电晶体管及其制备方法,涉及光电子技术领域,所述光电晶体管由下至上依次设置有:衬底层,为硅基衬底;铁电层,为HfO2基铁电薄膜;金属纳米颗粒层,包括可提供等离子基元共振效应的金属纳米颗粒;介电层,用于作为铁电层的电容匹配层以及作为金属纳米颗粒层与半导体层之间的中间钝化层;半导体层,包括过渡金属硫族化合物;以及源漏电极。将金纳米颗粒与铁电材料同时引入光电晶体管中,能够利用铁电负电容引起的电压放大效应与金属纳米颗粒的局域等离子体激元共振,共同提升晶体管的光灵敏度,同时金属纳米颗粒的引入也使得光电晶体管的探测范围有了明显提升。

    一种高探测率宽谱响应的光电晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117913176A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410123758.8

    申请日:2024-01-30

    Inventor: 刘璐 蒋伟超

    Abstract: 本发明提出了一种高探测率宽谱响应的光电晶体管及其制备方法,涉及光电子技术领域,所述光电晶体管由下至上依次设置有:衬底层,为硅基衬底;铁电层,为HfO2基铁电薄膜;金属纳米颗粒层,包括可提供等离子基元共振效应的金属纳米颗粒;介电层,用于作为铁电层的电容匹配层以及作为金属纳米颗粒层与半导体层之间的中间钝化层;半导体层,包括过渡金属硫族化合物;以及源漏电极。将金纳米颗粒与铁电材料同时引入光电晶体管中,能够利用铁电负电容引起的电压放大效应与金属纳米颗粒的局域等离子体激元共振,共同提升晶体管的光灵敏度,同时金属纳米颗粒的引入也使得光电晶体管的探测范围有了明显提升。

    一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法

    公开(公告)号:CN119767679A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411867049.7

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提出了一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法。所述制备方法包括以下步骤:S1,清洗衬底,随后在衬底表面沉积隧穿层;S2,在隧穿层表面沉积m层Si3N4薄膜和p层TiN薄膜,将这一过程重复x次,最后再沉积n层Si3N4薄膜得到TiN掺杂Si3N4的存储层;其中25≤m≤50,25≤n≤50,p=1,5≤x≤11;S3,在存储层表面沉积阻挡层,随后在阻挡层表面蒸镀Al电极。本发明通过对存储层Si3N4薄膜掺杂TiN,提供了更多的电荷陷阱,提高了存储层电荷陷阱密度,与未掺杂的对照组相比,存储窗口更大,器件疲劳特性更好,保持性能优异,极大提高电荷俘获型存储器的可靠性。

    一种过程工业信息物理系统异常检测方法

    公开(公告)号:CN117668608A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311580287.5

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明属于过程工业信息物理系统信息安全防护领域,具体涉及一种过程工业信息物理系统异常检测方法,包括:基于当前过程对象的传感与控制测量采样状态集合数据及对应的控制指令,采用时空增强机理模型,生成距离当前一个预设预测周期时刻下的状态数据集;采用生成器对该数据集重构,比较重构偏差与阈值,确定系统异常与否;其中状态数据集包括用于分别对传感与控制测量采样状态集合进行空间扩展和种类扩展的传感与控制虚拟采样状态集合;采用机理模型,以高于在线采集频率的预测频率,生成不同时刻下的状态数据集,向各数据集注入异常以训练生成对抗网络,其生成器用于将含异常的数据集重构回原始数据集。本发明可增强对系统异常的时空灵敏度。

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