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公开(公告)号：CN116646418A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211536011.2
申请日：2022-12-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/103 , H10K30/00 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种CMOS一体化集成的硫化铅体材料探测芯片的制备方法，包括如下步骤：S1、将COMS基底浸没在含有铅源、碱性物质、硫源的混合物水溶液中，反应，得到表面具有硫化铅薄膜的CMOS基底；S2、对步骤S1中得到的CMOS基底表面的硫化铅薄膜进行VA族金属掺杂，得到表面具有VA族金属掺杂硫化铅薄膜的CMOS基底；S3、在步骤S2中得到的CMOS基底表面的VA族金属掺杂硫化铅薄膜上依次沉积电子传输层、沉积电极层，光刻刻蚀，切割封装，得到CMOS一体化集成的硫化铅体材料探测芯片。将硫化铅体材料薄膜制备与CMOS工艺结合，直接在CMOS芯片表面生长一层硫化铅体材料薄膜，实现了硫化铅体系与CMOS读出电路的兼容。
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公开(公告)号：CN113595133A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110767271.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中科技大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于能源路由器的配电网‑多微网系统及其调度方法，属于包括电力系统技术领域，系统包括：配电网，一个或多个能源路由器，以及多个冷热电联供型微网；每个微网与一个能源路由器之间搭建有电气联络线和热能管道，每一个能源路由器及与其相连的微网构成一个区域；能源路由器与配电网之间，以及能源路由器之间搭建有电气联络线。方法包括：建立配电网和微网的优化调度模型；求解配电网的优化调度模型，得到各电气联络线的交互功率，作为微网的优化调度模型的约束条件，并求解下层优化调度模型，得到各微网中各设备的出力；迭代选取最优调度计划。本发明能够降低系统运行成本，并提高配电网稳定性。
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公开(公告)号：CN108649128B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810388893.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单组分电致白光器件及其制备方法，该器件是以单组分的钙钛矿材料作为发光活性层，通过传输层电注入载流子，在活性层产生受限激子态的发光，其电致发光光谱可覆盖整个可见光区域。本发明通过引入一种新的机理进入电致白光领域，与现有技术相比制备工艺简单，仅需一个发光层即可实现宽光谱白光，并能够有效解决现有电致白光光谱不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN119815973A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510031569.2
申请日：2025-01-09
IPC: H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/30
Abstract: 本申请提供一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法，所述量子点探测器的制备方法，包括：在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层；在所述牺牲层的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx；在所述亲水层一侧表面制备n型电子传输层，在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极。本申请的方案在牺牲层C60表面上设置一层亲水层，水源沉积在亲水层上后，会大大减小接触角(根据实验结果，水的接触角为6°)，这会提高n型电子传输层质量，整体提升探测器的探测性能，此外，氧化钨界面层的引入以及电子传输层质量的提高可以一定程度上抑制卤素离子(I‑)迁移，提升器件稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119768009A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411775663.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法，该氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法包括：制备碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜；将氟化锑溶解在乙腈中，得到氟化锑乙腈溶液；将碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜浸泡在氟化锑乙腈溶液；利用乙腈洗涤碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜预设次数，得到氟化锑化学反应掺杂钝化的硫化铅量子点有源层。本申请能够提高含有源层的半导体器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN119768000A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780332.6
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜的制备方法，该基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜的制备方法包括：得到第五混合溶液；将第五混合溶液旋涂在目标样品上并退火处理预设退火时长，得到初始的硒化铅胶体量子点薄膜；将初始的硒化铅胶体量子点薄膜放入舱室，将舱室抽真空至气压达到预设压强，将初始的硒化铅胶体量子点薄膜升温至预设温度；向舱室通入三甲基铝气体，得到基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜。本申请能够提高胶体量子点探测器的迁移率。
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公开(公告)号：CN119753604A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780982.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种P型透明金属导电电极的制备方法，该P型透明金属导电电极的制备方法包括：准备Sb靶材和SnO2靶材；将Sb靶材和SnO2靶材放置于磁控溅射设备；在磁控溅射设备通入混合气体并调整磁控溅射设备内的气压至预设气压值；将磁控溅射设备的基底温度调整至预设基底温度，将磁控溅射设备的溅射功率调整至预设溅射功率，将磁控溅射设备的沉积时间调整至预设沉积时长，对Sb靶材和SnO2靶材进行磁控溅射，得到沉积薄膜；在预设退火温度下对沉积薄膜进行退火处理并保温预设保温时长，得到P型透明金属导电电极。本申请能够提高P型透明金属导电电极的中红外光透过率。
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公开(公告)号：CN119069567A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311787567.3
申请日：2023-12-25
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G01S7/486 , G01S7/4865
Abstract: 本申请公开了一种双PIN型探测器、制备方法及应用，属于光电探测器技术领域。该双PIN型探测器的结构由下至上依次为底电极、1‑N型层、1‑I型层、1‑P型层、隧穿层、牺牲层、2‑N型层、2‑I型层、2‑P型层以及顶电极；其中，底电极的材料为氧化铟锡，顶电极的材料为金，1‑N型层和2‑N型层的材料为氧化锌，1‑I型层和2‑I型层为PbSe胶体量子点薄膜，所述隧穿层的材料为金，所述牺牲层的材料为C60，当1‑N型层和2‑N型层的厚度相同，1‑I型层和2‑I型层的厚度相同以及1‑P型层和2‑P型层的厚度相同时，该双PIN型探测器光响应时间最短。本申请提供的双PIN型探测器与传统的单PIN探测器相比，其响应速度提升幅度在1倍以上，其增益带宽积也提升了1倍，体现出更优异的探测性能。
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公开(公告)号：CN119069494A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311834315.1
申请日：2023-12-28
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种仿人眼的曲面变分辨率探测器的制备方法及探测器，探测器制备方法包括：S1：在一基板上制备多个呈同心弧状分布的第一电极，同时制备多根与所述第一电极一一对应连接的第一引线；S2：在所述第一电极上依次制备第一功能层、PbS量子点吸光层和第二功能层；S3：在所述第二功能层上制备多个呈放射状分布的第二电极，得到柔性探测器；S4：通过压印或转印的方式，结合应力仿真，将柔性探测器贴附于曲面基底上，完成柔性探测器在曲面基底上的共形依附。第一电极和第二电极的一个交点形成一个探测器单元，而一个探测器单元对应一个像素点，能够得到中心密、外侧疏的类似人眼视网膜的变分辨率的注视成像效果。
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