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公开(公告)号：CN113249961B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110448844.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: D06M11/74 , D01F6/70 , D06M101/38 , G01D5/16
Abstract: 本发明提供基于导电纤维网络的柔性器件结构及其制备方法与应用，该柔性器件结构包括：导电纤维网络和封装所述导电纤维网络的弹性体材料；导电纤维网络中相邻的导电纤维之间相互连接、内部连通，从一根导电纤维的内部到达另外一根导电纤维的内部存在多条通路，且所有导电纤维沿轴向具有多个细管状的贯通性空腔从而使得横截面均为多孔隙结构，导电纤维被弹性体材料包裹。本发明提供的柔性器件结构解决了现有基于导电纤维网络的柔性器件功能单一、集多功能于一身困难的问题，可实现吸波、温度传感、应变传感、压力传感等多种功能并能集多种上述功能于一身，可用于人体运动监测、生命体征监测、姿态矫正、智能感知、电磁屏蔽等场景。
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公开(公告)号：CN114825041A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210376977.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。
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公开(公告)号：CN114447138A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111539713.1
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括衬底以及在所述衬底的顶面沿中心轴向设置的多个外延层，多个所述外延层包括吸收层，并基于对所述吸收层设置径向掺杂模式，生成目标电场。本发明提供的单行载流子光探测器，基于对吸收层设置径向掺杂模式，获得径向部分耗尽的吸收层结构，将器件内部电场改善为目标电场。能够提升载流子的运输速率，可以在不牺牲器件响应度的前提下，有效提升器件的3dB带宽，从而提高器件响应能力。
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公开(公告)号：CN111999279B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010707325.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于小球阵列的柔性SERS基底及其制备方法，所述制备方法包括将形成在硬质基底表面的小球阵列完全埋入进柔性基底中，经软硬分离得到带有小球阵列的柔性基底，再通过去除部分所述柔性基底使得小球阵列从所述柔性基底表面暴露出来，在暴露出来的小球阵列的顶部区域沉积SERS活性层。本发明的方法制备工艺简单、快速、可控性与重复性好，无需传统光刻、电子束光刻、纳米压印等昂贵的微纳加工技术，无需对小球排布的层数进行控制，制备出的柔性SERS基底面积大(可达晶圆级)、成本低、均匀性好、抗弯折性能优，在高灵敏度柔性表面增强拉散射检测领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN112531068A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011410152.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；所述多台面的雪崩光电二极管位于所述衬底层上方，从下至上依次分布吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层、边缘场缓冲层、N型接触层和N型电极。该雪崩光电二极管具有光利用率高，带宽高，灵敏度高、传输距离长的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151629A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011003961.X
申请日：2020-09-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏、气体传感、电子元器件等领域。
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公开(公告)号：CN107313046B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201710334855.1
申请日：2017-05-12
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种SERS基底及其制备方法，涉及拉曼光谱技术领域。所述方法包括：S0，对衬底依次进行清洗和亲水性处理；S1，采用单分散的纳米小球、纳米晶或量子点，在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构；S2，在所述自组装阵列结构的顶部沉积金属活性层；S3，在所述金属活性层上覆盖碳基纳米材料层得到所述SERS基底。本发明在大面积规则排布的自组装阵列结构上沉积金属活性层，无需退火就可以形成周期性的金属纳米结构，接着覆盖碳基纳米材料层使得金属纳米结构与空气隔绝而避免或减缓其氧化过程，进而使得SERS基底不仅具有非常高的灵敏度，还能维持长久的活性。
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公开(公告)号：CN109873296A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN107809381A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710976365.1
申请日：2017-10-19
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04L12/705 , H04L12/721 , H04L12/751
Abstract: 本发明公开了一种实现基于SDN中路由环路主动审计方法及装置，所述方法为：根据第三方网络转发规则修改请求，获得请求的匹配域及转发行为；通过OpenFlow协议获得网络结构及链路参数，对网络建模；获得相关交换机流表项，找出与请求匹配域重叠的项；模拟交换机转发原则，将重叠项与请求的优先级进行比较生成转发规则；网络中的每一跳转发行为都基于以上原则，最终获得转发路径；运行基于交换机-流表项的路由环路检测算法，判断请求是否导致路由环路；针对导致路由环路的请求，提供环路位置及错误信息。不会导致环路的请求，提供流量转发行为。所述基于SDN中路由环路主动审计方法及装置，减小额外流表空间占用率，减少控制器和交换机之间的信令交互次数。
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公开(公告)号：CN105185862A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510319023.3
申请日：2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法，涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅；外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片；采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅；最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域，具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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