-
公开(公告)号：CN105910737A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610516121.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L1/22
Abstract: 本发明提供一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法，无需使用集成技术就可实现应力的实时定位。所述应力定位传感器包括：相对设置的两个基底、导电层和电极，且每个电极覆盖与其对应的导电层的一端；两个基底上设置的所述电极之间设置有绝缘胶。所述制作方法包括：提供两个基底；在每个基底上均形成导电层；在每个基底上的导电层上形成电极，每个电极覆盖与其对应的导电层的一端；将两个基底相对设置，并使用绝缘胶将两个电极粘合。所述应力定位方法包括：获取待测试应力作用所述应力定位传感器后，测得的电流；查询预设的距离与电流之间的映射关系表，获取所述待测试应力的作用位置。本发明适用于力电传感技术领域。
-
公开(公告)号：CN101844798B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010176968.1
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，Sn}相的铜基片作为反应基底；将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1～12小时；取出基片，反复清洗后干燥，得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列，合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
-
公开(公告)号：CN109580688B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811565087.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域，提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法，包括：制备样品，样品包括M个测试区域，不同的测试区域的GaN的厚度不同，使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域，使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射，获取电子能量损失谱，根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；按照相同的方式分析第2～M个测试区域；根据第1～M个测试区域内的杂质原子的数量，得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％。
-
公开(公告)号：CN109632925A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811578076.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括：在试样表面转移石墨烯；将转移石墨烯的试样放置于二次离子质谱仪的样品室内，并抽真空；向样品室内通入氧气；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图；获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对AlN中痕量杂质元素浓度及分布进行高精度检测，可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
-
公开(公告)号：CN109580688A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811565087.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域，提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法，包括：制备样品，样品包括M个测试区域，不同的测试区域的GaN的厚度不同，使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域，使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射，获取电子能量损失谱，根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；按照相同的方式分析第2～M个测试区域；根据第1～M个测试区域内的杂质原子的数量，得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702776B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610075220.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种自驱动光探测器及其制作方法，涉及光探测技术领域，能够实现自驱动光电探测，且响应时间短、响应度高、能够对具有一定波长范围的光线进行探测。该自驱动光探测器包括基底，位于所述基底上的沟道层，位于所述沟道层上的栅介质层，位于所述栅介质层上的栅极，以及与所述沟道层的两端连接的银电极和铂电极，所述沟道层的材料为二维二硫化钼，所述沟道层包括1~5个原子层。本发明用于进行光探测。
-
公开(公告)号：CN102054991A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010562546.8
申请日：2010-11-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于燃料电池领域，具体是固体氧化物燃料电池阴极材料领域。本发明一种固体氧化物燃料电池阴极材料，分子式为LaxSr2-xFeO4±δ，其特征在于：x＝1.2，分子式为La1.2Sr0.8FeO4±δ。本发明还公开了上述阴极材料的制作方法。与现有技术相比，本发明所提供的甘氨酸法制备固体氧化物燃料电池阴极材料具有以下优点：1.与固态反应法相比，甘氨酸法制备周期短，粉末的热处理温度低，得到的粉末相比较纯，可以大批量生产。2.与柠檬酸-硝酸盐法和EDTA-柠檬酸法相比，甘氨酸法制备的工艺简单，不需要对溶液的pH值调节。3.氧化剂选用甘氨酸，加快反应的速度，可获得较小的颗粒直径。
-
公开(公告)号：CN1821053B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610011195.5
申请日：2006-01-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: B82B3/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种低温无催化剂气相沉积制备四针状氧化锌纳米棒的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉放置于瓷舟中，然后将硅基片倒扣于瓷舟上，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，使用流量计调节通入石英管中的氩气和氧气的总流量及两种气体的比例。在此气氛下将管式炉升温至600℃～700℃，然后保温20～25分钟，之后取出硅片，其上沉积的白色绒状物即为所需产品。本发明的优点在于：实现了无催化剂、低温制备四针状ZnO纳米棒，并保证产品质量高、可控性好、形貌丰富，具备规模化生产的前景。
-
公开(公告)号：CN101844876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176983.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种大面积高取向性的氧化锌纳米薄片阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将等摩尔数的六水合硝酸锌和六亚甲基四胺溶解于去离子水中，并进行长时间超声波处理得反应溶液；将载有200nm厚的氧化锌薄膜的FTO导电玻璃基片用丙酮、无水乙醇及去离子水进行反复清洗，最后将其烘干作为生长基片。将上述处理好的基片放入第一步配制好的反应溶液中，密封后分阶段保温，清洗干燥后得到氧化锌纳米片阵列。本发明的优点在于：制得的产物产量大、比表面积大；合成方法反应温度低、效率高、成本低、适合在染料敏化太阳能电池等器件上的应用，特别适合工业化大规模生产。
-
公开(公告)号：CN100386884C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610011356.0
申请日：2006-02-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/12
Abstract: 本发明提供了一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：首先将硅片用金刚石刀裁剪成小片，放到培养皿中；取纯锌粉和氯化锰粉末以1∶1至1∶3的重量比混合；在管式炉中反应，得到硅片上沉积上一层浅黄色的产物；用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米线。本发明的优点在于：用这种制备方法所做出的一维掺锰氧化锌纳米线的直径在50nm，表面平滑，而且产量比较高，表现出良好的磁学性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.022 seconds)
