公开(公告)号：CN109742177A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811584882.5

申请日：2018-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  柳柏杉 ,  张铮 ,  张先坤 ,  杜君莉 ,  肖建坤 ,  胡津铭 ,  王如意 ,  王双欣 ,  赵紫薇 ,  熊向晖

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于材料应用技术领域，具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下，在半导体基底上部分沉积绝缘层，在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列，采用湿法转移技术将二维层状材料转移到上述阵列上，利用水分蒸发过程中的毛细作用诱导二维层状材料在半导体纳米阵列上产生周期性应变，最后通过电子束曝光结合热蒸镀构筑电极，完成器件的构筑。这种具有周期性应变的范德华异质结型光电器件为设计高性能的光电探测器提供了新的思路，具有重大的商业价值和深远的现实意义。

公开(公告)号：CN108281493A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810011780.8

申请日：2018-01-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  杜君莉 ,  张铮 ,  柳柏杉 ,  张先坤 ,  王可汗 ,  于慧慧 ,  高丽

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。

公开(公告)号：CN106549064A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610885644.2

申请日：2016-10-11

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  张先坤 ,  张铮 ,  刘硕 ,  林沛 ,  申衍伟 ,  杜君莉 ,  柳柏杉

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/12 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66128

Abstract: 本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。