公开(公告)号：CN108281493A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810011780.8

申请日：2018-01-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  杜君莉 ,  张铮 ,  柳柏杉 ,  张先坤 ,  王可汗 ,  于慧慧 ,  高丽

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。

公开(公告)号：CN108281493B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201810011780.8

申请日：2018-01-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  杜君莉 ,  张铮 ,  柳柏杉 ,  张先坤 ,  王可汗 ,  于慧慧 ,  高丽

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。