公开(公告)号：CN117195625A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311053948.9

申请日：2023-08-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  刘贤文

IPC: G06F30/23 ,  G01N15/08 ,  G06F17/11

Abstract: 本发明涉及一种预测无机薄膜对水汽阻隔性能的方法和系统，方法包括：对无机薄膜内的水汽渗透进行机理分析，得到关于该水汽渗透的扩散方程；将所述水汽扩散方程和各物理场的方程进行匹配，初步建立仿真模型，采用该仿真模型不断求解，进而优化该仿真模型，最后将已知变量输入该优化后的仿真模型，得到相应的无机薄膜的水汽渗透率，根据该水汽渗透率的大小来预测所述无机薄膜对水汽阻隔的情况。本发明的方法求解方便简单，不同时刻无机薄膜内水汽浓度可直观的呈现，从结果端出发将无法准确测量或计算得到的参数优化，进而得到更加准确的仿真结果，本发明在实际应用中针对不同的材料只需确定材料各项参数，即可对薄膜的水汽阻隔性能进行预测。

公开(公告)号：CN113671741B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110963328.3

申请日：2021-08-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  翁乐 ,  刘贤文 ,  刘斌

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/167 ,  G02F1/1675 ,  G02F1/1685 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明提供了一种电子纸与液晶切换显示装置及方法，涉及电子显示技术领域，能够根据需要实现电子纸显示和液晶显示之间的切换或两者结合显示，有效减小功耗、提高色域；该显示装置包括依次叠置且能够实现液晶显示的：上基板，包括：带有黑矩阵的滤光片；液晶层，通过改变液晶分子的排列方式控制入射和出射的光能量；下基板；以及背光层；所述下基板和所述背光层之间设有带有电子墨水且能够在电场驱动下实现墨水粒子在黑矩阵区域和透光区域之间横向位移的电泳层。本发明提供的技术方案适用于电子显示的过程中。

公开(公告)号：CN108766890A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810331340.0

申请日：2018-04-13

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  栗旭阳 ,  程锦 ,  陈永华 ,  郭建

IPC: H01L21/477 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种低温制备金属氧化物薄膜晶体管的方法，该方法在低温制备In2O3薄膜的过程中，通过NH3等离子处理预退火后的In2O3薄膜，实现制备温度的进一步降低，实现在130℃大气退火4小时的条件下制备得到性能良好的In2O3薄膜。本发明所述方案具有成本低，工艺简单，产品性能好，制备环境环保，应用前景广阔等优点。大大提高了TFT与柔性基板的兼容性。

公开(公告)号：CN107134412A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710179475.5

申请日：2017-03-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及半导体加工制造领域，公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺，工艺为：在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案，实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜，再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀，最终Sputter形成源漏电极。由于湿刻方法具有高选择比的优点，Poly表面未受到原有工艺中干刻所造成的破坏，同时ILD孔径略小于Mo技术图案，S/D电极在Poly表面层接触面积扩展，在此基础上形成的S/D电极与Poly接触电阻能够明显减小，能够实现高PPI产品中形成的S/D电极和Poly接触电阻大幅度减小，避免高PPI产品中TFT由于线宽减小搭接电阻过大造成的电学性能下降问题。

公开(公告)号：CN106601755A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710017219.6

申请日：2017-01-10

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  闫伟 ,  郭建 ,  蒋玉蓉 ,  薛唯

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L27/1259

Abstract: 本发明提供了一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计中采用特殊LS遮光层，在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔，形成漏极处凸起结构，在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔，此时打孔深度将明显小于原有结构时孔洞深度，为像素电极线P‑ITO的淀积提供了更小的坡度角，能够避免因P‑ITO线断裂而产生的不良。

公开(公告)号：CN104699337A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510024672.0

申请日：2015-01-19

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  郭建 ,  张潇龙 ,  薛唯

IPC: G06F3/044

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明公开了一种On-cell消隐结构，通过在CF上表面制备一层倒梯形或者类似的顶部宽底部窄的有机树脂结构与ITO膜层搭接，利用有机树脂的折射率为1.5，与底层玻璃的原理，达到ITO膜层不可见的目的，通过在本发明的消隐结构中，玻璃所有位置均有高折射率的ITO膜层存在，使得整理透过率均一化，可以达到ITO膜层不可见的效果，本发明中，并未额外增加曝光、沉积等工艺次数，可以实现产能影响的最小化。