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公开(公告)号：CN105374700B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510845332.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种高密度集成电路键合精度控制方法，步骤如下：(1)选取待使用的所有高密度集成电路所用的外壳；所述的外壳为窄宽度高密度键合指外壳；(2)采用金丝键合机上的视频引脚定位器VLL对步骤(1)中的外壳进行预先筛选；所述的视频引脚定位器VLL筛选过程中所用参数为：后定位线的长度比键合指宽度长10um‑15um，前定位线的长度比键合指宽度长5um‑10um，端头定位点的误差识别范围为0‑4um，键合位置点的误差识别范围为0‑2um，识别速度为5‑8mm/ms；(3)将利用步骤(2)参数能够识别出焊点位置的外壳标识为一组，对其他外壳继续执行步骤(4)；(4)按照允许的键合位置点误差识别范围上限，调节视频引脚定位器VLL上的键合点位置，从步骤(2)开始执行，直至所有外壳归类完成。
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公开(公告)号：CN105374719A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510891404.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67 , H01L21/67011 , H01L21/67121
Abstract: 一种集成电路高精度定位装置，属于集成电路封装工艺领域，包括定位模具、高精度载物台、位移显示装置和底盘；其中定位模具包括横梁底座、导杆、横梁、拨针底座、针座、拨针、旋杆、螺旋微调台和针座导杆；位移显示装置固定安装在底盘后端，高精度载物台固定安装在底盘上端，定位模具固定安装在高精度载物台上端；本发明将高精度载物台与定位模具相结合，组成一套环氧树脂装片高精度定位系统，通过该系统对环氧树脂装片定位精度进行调整，使环氧树脂装片定位精度范围达±10μm以内。
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公开(公告)号：CN104002003B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410256784.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)、将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。
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公开(公告)号：CN118730665A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411002444.9
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明属于集成电路封装领域，具体涉及了一种无粘连低孔隙率纳米银烧结试样的制备方法，其工艺步骤包括：使用点胶机将纳米银胶在点胶工装的点胶区域上进行点胶，得到完成点胶的点胶工装；所述点胶区域由无粘连材料组成；将完成点胶的点胶工装放入烧结炉进行第一段烧结，得到带有固定形状纳米银试样的点胶工装；将带有固定形状纳米银试样脱模；将脱模后的纳米银试样放入烧结辅助工装的上下压块之间，放入烧结炉进行第二段烧结，得到无粘连低孔隙率纳米银烧结试样。采用上述工艺，易于纳米银试样脱模，并且能够烧结得到孔隙率较低的纳米银试样。
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公开(公告)号：CN117790395A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311832939.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , B22D33/06
Abstract: 本发明涉及一种适用于浅腔体芯片叠层电路镀膜工艺的夹具，涉及集成电路封装技术领域。所述夹具包括：上模和下模；所述上模的中心开设有矩形阶梯通孔，开设有多个第一螺孔，且底部开设有定位孔，设置有第一密封圈；下模的上部嵌入有定位柱、第二螺孔、密封凹槽；所述下模的上部的中心处开设有定位凹槽，所述定位凹槽内设置有中心定位组件。通过定位孔与定位柱、第一螺孔与第二螺纹孔的匹配，实现实现上模与下模的精准定位，同时保证上模的第一密封圈与下模的密封凹槽准确配合，保证密封性；同时通过设置在定位凹槽中的中心定位组件，可保证电路被定位至中心位置，避免安装上模时电路出现移动造成电路损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116153774A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211105028.2
申请日：2022-09-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及集成电路封装领域，具体公开了一种硅转接板的制备方法，包括：将硅圆片的A面贴于第一划片膜上；在硅圆片的B面进行开槽切割；对第一划片膜进行解胶，揭掉第一划片膜，并将A面贴于第一减薄膜上；针对B面上的划片区域进行减薄；对第一减薄膜进行解胶，揭掉第一减薄膜，并将B面贴于第二减薄膜上；对A面进行减薄，减薄到开槽深度的位置，以从硅圆片上分离出硅转接板；将分离后的转接板转移至第二划片膜上，并解胶揭掉第二减薄膜；对第二划片膜进行解胶，利用分选设备将转接板取下。本申请的方案有利于避免芯片叠层封装硅转接板崩裂的可能性，减小硅转接板表面损伤，减小由于工艺带来的残余应力，降低转接板的翘曲度。
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公开(公告)号：CN111081593B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910907612.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种用于单芯片减薄的工装，包括单晶硅片和减薄膜，单晶硅片中心加工有圆孔，待减薄的单颗芯片通过减薄膜固定在圆孔内部；单晶硅片的厚度为待减薄芯片厚度±5μm，圆孔的直径小于90mm，且大于等于待减薄芯片对角线的2倍。本发明进一步公开了一种用于单芯片减薄的方法，首先制备工装，然后利用工装固定芯片，设置减薄机粗磨和精磨参数，实现粗磨减薄和精磨减薄，保证减薄后的芯片厚度、TTV和自身强度满足设计要求。利用本发明中的工装及方法，可高效、稳定的完成单颗芯片的减薄，实现对MPW拼版圆片上不同厚度要求芯片的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN112635385B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011529470.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN109244012B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811042993.3
申请日：2018-09-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器电路清洗的工装及方法，属于CMOS图像传感器电路封装领域。相比于传统方法，本发明能够快速、有效地去除附着在芯片、外壳以及玻璃盖板表面的沾污、灰尘以及其他形式的多余物，解决了CMOS图像传感器电路由于内部存在多余物致使感光部位受到遮挡而形成坏点导致的可靠性低的问题，同时不会影响电路内部键合丝的键合强度。利用本发明的方法可以有效去除CMOS图像传感器电路内部多余物，保证了CMOS图像传感器电路封装后的可靠性，有效的缩短了生产周期，且清洗方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN113035746A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110215119.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于大尺寸芯片的金丝球焊键合装置，包括：固定框、引脚放置盘、加热片；集成电路，包括外壳和芯片；引脚放置盘的外侧与固定框的内侧固连；引脚放置盘的内侧形成待键合区域；键合设备的有效键合区域为键合设备的劈刀的运动范围的包络在待键合区域内的投影；待键合区域面积大于键合设备的有效键合区域面积；待键合区域分为键合区与非键合区，键合区位于键合设备的有效键合区域内，键合区面积小于键合设备的有效键合区域面积；待键合区域内键合区以外的区域为非键合区；加热片位于键合区内，加热片与引脚放置盘连接。解决大尺寸芯片在进行键合时出现的键合可行性问题，同时保证大尺寸电路键合的可靠性。
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