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公开(公告)号：CN1402291A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131345.8
申请日：2002-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1－10％，铼占0－5％，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1－10％的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入0－5％的铼，在氢气气氛中，500－650℃下还原0.5－1.5小时，800－1000℃下还原保温1－3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN1089813C
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN99109750.5
申请日：1999-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电子管阴极材料及其制备方法属于稀土金属-钼材料技术领域。本发明的电子管阴极材料，它含有La2O3和Y2O3中的一种或两种稀土氧化物，稀土氧化物占钼的总重量为3.0～5.0%。电子管阴极材料的制备方法采用的一次碳化工艺中，碳化温度控制在1300～1500℃之间，碳化时间为8分钟，碳化时苯压为8.5～9.5Pa，碳化度为5～10%，碳化后在丝材表面形成Mo2C层，晶粒取向与丝材表面垂直。用该方法制备出的电子管阴极材料，工作温度低，寿命长。
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公开(公告)号：CN1360079A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01139972.4
申请日：2001-11-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La2O3和Y2O3两种稀土氧化物,其稀土氧化物占钼的总重量为10－40%(重量百分比),其中,La2O3∶Y2O3=1∶3(重量比)。该二元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中,以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的二元稀土氧化物La2O3和Y2O3,然后在500－550℃的氢气中处理1－5小时,经过800－1000℃的还原处理后,得到掺杂稀土氧化物的钼粉,然后采用粉末冶金的方法制备稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好。该材料应用于磁控管次级发射材料领域。
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公开(公告)号：CN1351905A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01134722.8
申请日：2001-11-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于金属载体表面预处理技术领域。本发明所提供的金属载体表面的预处理方法,其特征在于:将金属箔材进行阳极氧化使其表面形成氧化膜过渡层,电解液为2～8%(重量百分比)的草酸,氧化电压8～12V,氧化时间5～120s。将氧化后的金属箔材浸入Al(OH)3胶体溶液中,Al(OH)3胶体溶液对氧化膜完全浸润,浸渍凝固后的Al(OH)3胶体与氧化箔材结合较好。通过该方法处理后的金属载体表面可实现催化剂的担载。
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公开(公告)号：CN1056419C
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN97111785.3
申请日：1997-05-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 氧化镧钼箔带材及其制造方法属于稀土钼箔带材制造领域，它的主要成分是金属钼，它还含有占钼的重量比为0.2～0.6%的La2O3，其宽度1.5～4.0mm，厚度0.02～0.06mm。将La2O3-Mo丝材处理后在1300～1400℃下进行轧制前预退火、对其作第一道次变形量为20～30%的冷轧也可作第一道次变形量为30～50%的温轧、当总变形量达到60～65%时在900～1100℃下退火、室温下精轧至总变形量为70～80%、在800℃下退火后直接轧制至成品箔带材。其加工性能好、强度高、不易弯曲脆断、成品率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810531A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610162295.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/04
CPC classification number: H01J9/047
Abstract: 含钪扩散表面车制阴极材料制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。本对阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行车制以及表面清洗，阴极基体为Sc2O3和W，其中Sc2O3占阴极总重量的1?10％wt，其余为钨；浸渍的阴极发射活性盐为铝酸钡钙；首先将浸渍阴极发射活性盐的阴极车制成规定尺寸阴极，并在车制后将阴极置于浓度为0.5?10％wt酸溶液中，保持10?60秒；随后分别用去离子水、无水乙醇清洗，最后将阴极在氢气气氛中加热到830?860℃，保温20?30分钟后冷却。经过二次处理的阴极脉冲电压测试电流密度在950℃可以达到116A/cm2。
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公开(公告)号：CN103700557B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310723707.0
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种碳化稀土氧化镥掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中的稀土氧化镥含量为1‐4wt%，其余为钼。制备方法为：将七钼酸铵溶液与硝酸镥和柠檬酸溶液混合，机械搅拌并水浴加热，得到凝胶。凝胶经过烘干、分解、还原得到稀土氧化镥掺杂钼粉。粉体经过压制、烧结、碳化处理获得阴极材料。该阴极热发射性能良好，满足微波炉用磁控管中阴极的使用要求。
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公开(公告)号：CN101764006A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010033827.4
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤：1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液；然后，将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合，混合溶液的浓度为20-40g/L；采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末，进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min；进口温度150℃，出口温度稳定在95℃；2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末，在500-550℃，大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原；还原分两步进行，首先在500-600℃保温1-2小时，再将温度升至800-950℃保温1-2小时，获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素，可重复性强，工艺简单，便于规模生产，制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
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公开(公告)号：CN101625950A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y 2 O 3 ，Y 2 O 3 占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al 2 O 3 三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm 2 下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm 2 。
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公开(公告)号：CN101624286A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种La掺杂CeO 2 过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO 2 过渡层薄膜由Ce 1-x La x O 2 复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO 2 过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce 1-x La x O 2 过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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