公开(公告)号：CN119368737A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411547970.3

申请日：2024-11-01

Applicant: 中国科学院空天信息创新研究院

Inventor： 丁师贤 ,  王子铭 ,  任峰 ,  王小霞 ,  张若琪 ,  孟鸣凤 ,  李云 ,  张琪

IPC: B22F3/11 ,  B22F9/22 ,  B22F3/04 ,  B22F3/26 ,  C22C27/04 ,  B22F7/08 ,  C22C1/08 ,  C23C14/22 ,  H05H7/00 ,  H01J9/04 ,  H01J1/146

Abstract: 本发明提供了一种钨钪基浸渍阴极、其制备方法和应用，属于热阴极材料技术领域。本发明提供的钨钪基浸渍阴极的制备方法包括：将偏钨酸铵和硝酸钪加入水中，得到混合溶液；对混合溶液进行冷冻干燥，得到混合均匀的前驱体粉末；对前驱体粉末进行热处理，得到多孔钨钪棒；对多孔钨钪棒进行后处理，得到钨钪基浸渍阴极；其中，混合溶液中偏钨酸铵的浓度为0.1~0.4 g/mL；混合溶液中偏钨酸铵和硝酸钪的比例为使得多孔钨钪棒中钨的含量为95~99wt%，氧化钪的含量为1~5wt%；冷冻干燥的温度小于‑50℃，冷冻干燥的真空度小于20Pa，冷冻干燥的时间为48~72h。

公开(公告)号：CN112201555A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011058470.5

申请日：2020-09-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 季聪 ,  顾璠

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/144 ,  H01J1/146 ,  H01J9/04

Abstract: 本发明公开一种铝酸钙热电子发射装置及制备方法，使用拥有低逸出功和良好的导电性的碳衍生物C12A7：C‑/C作为热阴极电子发射极的新型涂层材料，同时使用稀土氧化物涂层来提高接收极的吸收电子能力，在发射极与接收极间填充低真空氩气氛，使得热发射电子从发射极到接收极的传输过程由真空传输变为等离子体传输，从而减少了热电子传输过程中的损耗。在当前的热电子发射装置中，多使用电加热的方式使热阴极发射电子，以得到电子束，而本发明的热电子发射装置则允许光加热的方式产生热发射，以实现热电能量的直接转换并提高转换效率。

公开(公告)号：CN112117170A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202011099956.3

申请日：2020-10-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 樊鹤红 ,  龚雪 ,  董成坤 ,  孙小菡

IPC: H01J1/146 ,  H01J9/04

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯覆膜钨基热阴极，包括石墨烯层和钨基阴极层，钨基阴极层的上表面覆石墨烯层，钨基阴极层下设置灯丝。制备方法包括以下步骤：(1)制备表面光滑的钨基体；(2)在钨基体上覆石墨烯层；(3)装配阴极热子组件。本发明提出了一种结构简单、制备容易而发射性能优良的金属覆膜钨基热阴极，仿真表明其在表面覆单层石墨烯的情况下表面功函数为1.745eV。

公开(公告)号：CN109390195B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201811441984.1

申请日：2018-11-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘伟 ,  吴浩 ,  王金淑 ,  周帆 ,  杨韵斐 ,  李俊辉 ,  潘兆柳 ,  骆凯捷 ,  梁轩铭

IPC: H01J1/144 ,  H01J1/146 ,  H01J1/16 ,  H01J9/04 ,  B22F3/11

Abstract: 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末，经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体；对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体，将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极，最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大，发射均匀性好的特点，经充分激活后，在950℃工作温度下，最高发射电流密度可达100A/cm2，发射斜率达1.41以上。

公开(公告)号：CN106128903A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610765044.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 安徽华东光电技术研究所

Inventor： 王鹏康 ,  孟昭红 ,  周秋君 ,  朱刚 ,  贺兆昌

IPC: H01J1/146 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J1/146 ,  H01J9/04

Abstract: 本发明涉及一种新型阴极钼筒结构及其制造方法，属于电真空器件中阴极制造技术领域。钼筒本体的顶部开设有一台阶孔，钼筒本体的底部开设有一底孔，底孔内开设有等间距排列的圆台孔；本发明实现将钨基体焊接到台阶孔上，将热子及绝缘粉料烧结到等间距排列的圆台孔中，使得热子组件和阴极发射基体成为一个整体结构，热子组件和阴极发射基体距离仅为0.1mm‑0.2mm，大大提高热子组件的热利用率，降低热子组件和阴极基体间的温差，延长热子寿命，同时可使得阴极达到快速热启动；用于烧结热子的等间距排列的圆台孔设计成倒锯齿状，绝缘粉烧结熔化后能牢固的附着在圆台孔侧壁上，极大地避免发生热子绝缘层脱落现象，进而大大提高了阴极组件的可靠性。

公开(公告)号：CN101221869B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710190664.9

申请日：2007-11-28

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 沈春英 ,  丘泰 ,  卢平

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/146 ,  H01J9/02 ,  B22F9/00 ,  B22F3/16 ,  B22F3/26

Abstract: 本发明涉及一种高电流密度电子发射体材料及制备方法，尤其涉及一种含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法；本发明材料的基体为二氧化锆和钨，称取钨粉于氢炉内退火，粉碎，过80目筛后与ZrO2一起研磨混匀，成型，置于铝酸盐粉末中，氢气气氛中浸渍，清除浸渍后的浮盐，制得电子发射体材料。本发明所制得的锆钨基体的平均孔径变小，孔径分布变窄；阴极在工作温度1050℃时，发射电流密度为传统钡钨阴极的1.73-1.86倍。

公开(公告)号：CN1323050A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN01120707.8

申请日：2001-04-26

Applicant: 汤姆森许可公司

Inventor： J·M·罗夸伊斯 ,  F·波雷特 ,  R·莱多泽 ,  M·保罗

IPC: H01J1/146 ,  H01J29/04 ,  H01J1/142 ,  C22C19/03

CPC classification number: H01J1/142

Abstract: 一种制备用于阴极射线管的阴极(2)的镍合金,含有镁和铝,选择其比例以使发射氧化物层(12)能良好地附着在由合金构成的基体金属帽(11)上。

公开(公告)号：CN111834182B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202010698765.2

申请日：2020-07-20

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 李红年 ,  舒玉田 ,  袁鹏 ,  郭荣 ,  谭飞鸿

IPC: H01J9/04 ,  H01J1/146

Abstract: 本发明属于电极生产技术领域，具体涉及一种半导体电极材料的加工方法，包括如下步骤：1)灌胶；2)切割；3)双面磨片；4)去胶；5)端面腐蚀；6)抛光；本发明实现了标准化、批量化生产，其生产周期短，效率高。

公开(公告)号：CN113936981A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111167986.8

申请日：2021-09-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘伟 ,  胡志凯 ,  杨韵斐 ,  李世磊 ,  王金淑 ,  周帆 ,  高俊研 ,  刘乐奇

IPC: H01J9/04 ,  H01J1/142 ,  H01J1/146

Abstract: 一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。

公开(公告)号：CN108288576A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201710434871.8

申请日：2017-06-10

Applicant: 虞庆煌

Inventor： 不公告发明人

IPC: H01J1/146

CPC classification number: H01J1/146

Abstract: 本发明公开了一种钨热电子发射材料及其应用。该钨热电子发射材料由钨、铜和氮化硼制成，所述钨、铜和氮化硼的重量份之比为50-60:10-20:9-13。本发明提供的钨热电子发射材料性能优异，可以用于制备电子发射材料。