公开(公告)号：CN104593746A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410594553.4

申请日：2014-10-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭霞 ,  范修军 ,  李冲 ,  董建 ,  刘白 ,  刘巧莉

IPC: C23C16/32 ,  C01B31/36 ,  C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/14 ,  C23C16/325

Abstract: 一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5-30nm，高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单壁碳纳米管阵列的顶层完成3C-SiC纳米盘的制备，3C-SiC纳米盘的分离。工艺简化，样品均匀，高结晶质量。