公开(公告)号：CN104609396A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410596634.8

申请日：2014-10-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭霞 ,  范修军 ,  李冲 ,  刘白 ,  刘巧莉 ,  董建

IPC: C01B31/04

Abstract: 一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用，属于碳纳米材料制备技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直石墨烯纳米带，石墨烯纳米带由单壁碳纳米管展开而来，石墨烯纳米带依然保持与硅片垂直状态。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管，然后再将单壁碳纳米管展开。石墨烯纳米带应用在到超级电容器中。

公开(公告)号：CN102312293A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110257469.X

申请日：2011-09-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  徐宏 ,  范修军 ,  王越

IPC: C30B29/16 ,  C30B13/00

Abstract: 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法，属于晶体生长领域。包括以下步骤：将Ta2O5粉料经过球磨、烘干；装入橡胶管中，放入等静压下压制成素坯棒；将素坯棒经烧结后获得多晶棒；将素坯棒或多晶棒作为料棒，并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一直线，其接触点与卤素灯处于同一水平线上；升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；通过聚焦镜的移动或上下棒的移动，使熔区远离聚焦点，使熔区温度下降实现结晶，晶体生长速度10～60mm/h；生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短，制备效率高，能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。

公开(公告)号：CN101575213B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910086805.1

申请日：2009-06-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王越 ,  范修军 ,  黄强 ,  胡振江 ,  蒋毅坚

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/495

Abstract: 一种提高Sr2-xCaxNaNb5O15陶瓷介电和压电性能的制备工艺属于无铅压电陶瓷的制备领域。本发明将SrCO3、CaCO3、Na2CO3、Nb2O5试剂按Sr2-xCaxNaNb5O15的化学计量比进行配料、球磨，其中x＝0.05～0.20，在1150℃保温12h条件下预反应；添加粉料质量的0.3％～0.7％的MnO2作为助烧剂，进行球磨后，并烘干；加入聚乙烯醇作为黏和剂，与粉料均匀混合后，压制成陶瓷坯体；以100℃/小时升温速率升至1230～1270℃烧结3～6h。本工艺相对于现有工艺，具有一次烧结成瓷，保温时间短(3～6h)、制备周期短、耗能低的特点。此优点适于工业化生产。

公开(公告)号：CN102061522A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010538332.7

申请日：2010-11-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王越 ,  范修军 ,  徐宏 ,  蒋毅坚

IPC: C30B29/20 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了大尺寸Al2O3基晶体的二步法制备方法。将Al2O3粉料和掺杂粉料制成素坯棒，将素坯棒作为籽晶棒或料棒，使籽晶棒顶端或料棒末端与卤素灯处于同一水平线上；在空气氛围中，卤素灯以2720～3060W/h的功率输出，对素坯棒往复扫描加热，直至素坯棒熔化、结晶，得到多晶料棒；将多晶料棒一根作为籽晶，一根作为原料棒，使原料棒末端与籽晶棒顶端接触，并且接触处与卤素灯处于同一在水平线上，在空气氛围中，卤素灯以3200～3400W/h的功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、向上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明方法得到的晶体无杂质，小角度晶界较少，表现出良好的晶体质量。

公开(公告)号：CN101984150A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN201010532360.8

申请日：2010-10-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 蒋毅坚 ,  徐宏 ,  范修军 ,  王越

IPC: C30B29/20 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明公开了浮区法生长蓝宝石晶体的方法，属于晶体生长领域。包括以下步骤：将高纯原料按照需要生长晶体的配比进行混合；将步骤(1)中制得的混合料经过球磨、烘干，然后压制成棒状的料棒；将制得的料棒经过烧结后获得多晶棒；将多晶棒放入浮区炉中，设置升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；然后设置晶体生长速度进行晶体生长；设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明无污染，能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量蓝宝石晶体，且操作简单，成本相对较低，可重复性强。