公开(公告)号：CN113213460A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110501774.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  钱峰松 ,  邓军 ,  解意洋 ,  王秋华 ,  胡良辰

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种图形化生长垂直取向石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上光刻出所需要的垂直取向石墨烯的图形；依次沉积氧化物牺牲层和金属牺牲层；通过超声进行剥离，使图形区域的衬底显露出来，而非图形区域被氧化物/金属双牺牲层覆盖；使用等离子增强化学气相沉积技术生长垂直取向石墨烯；牺牲层在垂直取向石墨烯生长结束后脱离衬底，用氮气将牺牲层残留物吹净。本发明采用氧化物/金属双牺牲层的方法减少了后续的光刻、刻蚀等工艺对垂直取向石墨烯造成的沾污与破损，且图形化精细度高，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN108660430B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201810455783.0

申请日：2018-05-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  孙捷 ,  董毅博 ,  解意洋 ,  潘冠中 ,  王秋华 ,  钱峰松

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。本发明采用CVD法在不具有石墨烯生长催化作用的氧化物绝缘衬底上类直接生长石墨烯，石墨烯免转移可以直接制备器件。通过在绝缘衬底镀一层金属作为催化剂，利用CVD首先在金属表面生长石墨烯，在生长同时使金属表面形成孔洞形貌。之后旋凃PMMA，以PMMA作为石墨烯支撑层利用湿法腐蚀金属。腐蚀液会穿过PMMA和石墨烯腐蚀下层的金属。金属腐蚀干净后石墨烯和PMMA会落在衬底上，再用有机溶剂去除石墨烯表面的PMMA，最终得到在绝缘衬底上类直接生长的石墨烯薄膜样品。本发明工艺简单，可重复性高，生长出的石墨烯质量高，大面积，几乎无破损。

公开(公告)号：CN107768979B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710962891.2

申请日：2017-10-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  徐晨 ,  王秋华 ,  潘冠中 ,  董毅博 ,  安亚宁 ,  吴俊

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，普通的氧化型垂直腔面发射激光器，由于其自身氧化限制层材料的各向异性及有源区材料增益的各向异性等特点，导致其出现偏振不确定或不稳定现象，对于传统的外腔压窄线宽方法通常过于复杂，集成度低，不利于芯片级的设计。本发明中我们采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的腔长，通过一次外延的方式形成低折射率介质层作为光栅支撑层和光栅介质层；再通过刻蚀光栅介质层形成光栅微结构，达到控制光偏振的同时压窄线宽。

公开(公告)号：CN106058642B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610500581.4

申请日：2016-06-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  徐晨 ,  王秋华 ,  荀孟 ,  潘冠中 ,  董毅博 ,  安亚宁

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。

公开(公告)号：CN106058642A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610500581.4

申请日：2016-06-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  徐晨 ,  王秋华 ,  荀孟 ,  潘冠中 ,  董毅博 ,  安亚宁

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18386

Abstract: 本发明公开了高对比度光栅耦合腔窄光谱线宽面发射激光器，属于光电子技术领域。将具有高反射率和反射带宽的高对比度光栅作为反射镜，通过微纳米加工工艺集成到基横模垂直腔面发射激光器顶部，通过高对比度光栅的高反射率对器件出射光进行反馈，对器件进行光注入，形成新型的耦合腔集成面发射激光器，实现器件的有效谐振腔的延长，进而压缩基横模垂直腔面发射激光器的光谱线宽，得到窄光谱线宽面发射激光器。低折射率支撑高对比度光栅结构的采用，简化上集成外腔制备难度，降低了器件加工工艺，且制备工艺为纯平面工艺，可有效提高器件的成品率及可靠性，具有光谱线宽调节范围大，压窄效果明显等优势，且设计制备简单。

公开(公告)号：CN207588820U

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201820238241.3

申请日：2018-02-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  安亚宁 ,  潘冠中 ,  解意洋 ,  王秋华 ,  董毅博

IPC: H03H11/24

Abstract: 本实用新型涉及一种衰减器，属于信号传输技术领域，尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2，pHEMT管M1，pHEMT管M2，负载电阻RL和射频输出端RFOUT。衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小，或作为去耦原件，还可以用于改善阻抗匹配等。本实用新型设计的衰减器，主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本实用新型采用相位相消的方式实现信号衰减，具有衰减范围大(43dB以上)，衰减幅度可连续调节，且芯片面积小的优点。