公开(公告)号：CN113213460A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110501774.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  钱峰松 ,  邓军 ,  解意洋 ,  王秋华 ,  胡良辰

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种图形化生长垂直取向石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上光刻出所需要的垂直取向石墨烯的图形；依次沉积氧化物牺牲层和金属牺牲层；通过超声进行剥离，使图形区域的衬底显露出来，而非图形区域被氧化物/金属双牺牲层覆盖；使用等离子增强化学气相沉积技术生长垂直取向石墨烯；牺牲层在垂直取向石墨烯生长结束后脱离衬底，用氮气将牺牲层残留物吹净。本发明采用氧化物/金属双牺牲层的方法减少了后续的光刻、刻蚀等工艺对垂直取向石墨烯造成的沾污与破损，且图形化精细度高，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN113213460B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202110501774.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 徐晨 ,  钱峰松 ,  邓军 ,  解意洋 ,  王秋华 ,  胡良辰

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种图形化生长垂直取向石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上光刻出所需要的垂直取向石墨烯的图形；依次沉积氧化物牺牲层和金属牺牲层；通过超声进行剥离，使图形区域的衬底显露出来，而非图形区域被氧化物/金属双牺牲层覆盖；使用等离子增强化学气相沉积技术生长垂直取向石墨烯；牺牲层在垂直取向石墨烯生长结束后脱离衬底，用氮气将牺牲层残留物吹净。本发明采用氧化物/金属双牺牲层的方法减少了后续的光刻、刻蚀等工艺对垂直取向石墨烯造成的沾污与破损，且图形化精细度高，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN114606466A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210173116.X

申请日：2022-02-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  曹芳 ,  赵旭鹏 ,  胡良辰 ,  徐晨

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  B22F9/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种改善低成本可集成且大规模制备金属纳米颗粒方法，第一步：在需要制备金属纳米结构的衬底上旋涂一层PMMA。并将PMMA烘干待用。第二步：准备合适尺寸的AAO膜将其在丙酮溶液中浸泡3min—5min直至其表面的PMMA溶解，用亲水处理后的硅片将其转移至清水中，再将其转移至旋涂了PMMA的衬底上并烘干。第三步：利用磁控溅射的方法将金属均匀溅射到AAO膜的孔洞中，溅射完成后将AAO膜清洗即可制得周期性的金属纳米结构。该方法制备工艺简单、成本较低，适合制备大面积的周期性金属纳米结构。