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公开(公告)号：CN113591019B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202110667924.7
申请日：2021-06-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供的一种解方程的方法、系统和存储介质，在坐标系中，对待解方程组中每个方程的曲线上的点赋予一个强度；其中，点的强度随时间逐渐衰减，且可叠加；预设时间后，获取所述每个方程的曲线上的点的强度；曲线的交点处即为方程组的解，由于点的强度可叠加，交点处的强度较高，而所有点的强度以相同的速率衰减，故将强度最大的点作为所述待解方程组的解。可见，本发明无需迭代计算，利用强度随时间逐渐衰减的特点，只需等待一定的时间即可得到待解方程组的解，而且跟待解方程组的复杂程度无关，功耗很低。
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公开(公告)号：CN118588126A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410640603.1
申请日：2024-05-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G11C5/02 , G11C5/10 , G11C11/401 , G11C11/4063 , G06F17/11
Abstract: 本申请公开了一种用于遗忘计算的动态随机存储器和遗忘计算系统和方法，动态随机存储器包括存储器阵列、写行地址译码器、写列地址译码器、读行地址译码器、数据输入模块和数据输出模块。存储器阵列包括多个存储单元，每个存储单元用于存储用于遗忘计算的初始矩阵中的一个元素，每个存储单元包括开关管和数据电容，其中数据电容的电压值与该存储单元存储的矩阵元素的值有对应关系。由于遗忘计算的实现是通过控制存储单元中数据电容的电压值来实现的，不但能以存算一体的方式执行遗忘计算，还使得用于遗忘计算的运算装置计算速度更快、更节能。
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公开(公告)号：CN116682881A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310481493.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种提升器件光学特性的处理方法，包括：提供一待处理器件以及第一流体，待处理器件为光学元件或光电子器件；对第一流体进行超临界处理，得到超临界态的第一流体；通过超临界态的第一流体对待处理器件处理，对待处理器件进行杂质萃取，或进行杂质萃取与进行晶体缺陷修复。本申请可以提高待处理器件的光学特性。
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公开(公告)号：CN116650830A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310685825.0
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种可植入的电刺激设备、控制方法以及控制系统，电刺激设备包括：电极探针，与控制电路电连接；第一电磁线圈，用于通过电磁感应与外部的终端设备进行无线通信，通过电磁感应接收外部的终端设备提供的电能；控制电路，与第一电磁线圈电连接，用于通过第一电磁线圈获取外部的终端设备提供的电能；还用于通过第一电磁线圈接收外部的终端设备发送的控制信号，在控制信号的触发下，通过电极探针释放对应该控制信号的电刺激信号。本申请可以实现通过电感线圈实现电刺激设备的控制与电刺激信号的释放，使用便捷。
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公开(公告)号：CN116454129A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310341507.2
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335 , H01L23/48
Abstract: 一种源漏端引入势垒的半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的主动层；形成在主动层的栅介质层、源极与漏极；形成在栅介质层上的栅极；第一势垒层，第一势垒层具有预设宽度与预设厚度，第一势垒层部分包裹在源极与漏极的侧壁，部分嵌入主动层，第一势垒层的材料为高肖特基势垒材料。本申请能够实现晶体管具有存算一体能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116322226A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310312035.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H10K71/00 , G01R31/26 , H10K71/12 , H10K71/60 , H10K71/70 , H10K85/10 , H10K10/20 , H10K10/40 , H10K10/46
Abstract: 一种生物兼容器件性能的测试方法、生物兼容器件及制造方法，测试方法，包括：配置生物兼容材料的第一溶液，采用多种不同PH值的酸碱盐向分别第一溶液进行掺杂，调整第一溶液的PH值，得到多种PH值的第一溶液；采用经PH值调整的第一溶液，制成半导体器件的功能层，得到半导体器件，半导体器件为生物兼容器件；对半导体器件进行待测性能测试，得到待测性能与第一溶液PH值的相关性。通过多种PH值的生物兼容材料制成半导体器件的功能层，并对半导体器件进行测试，可以得到半导体器件待测性能与功能层PH值的相关性。为了后续调节生物兼容器件的性能提供参考标准，通过测试得到的相关性，对应制造的生物兼容器件可以更好的匹配当前的应用环境。
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公开(公告)号：CN113856237B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110985897.8
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01D11/02
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法，包括：提供一有机半导体器件以及二氧化碳；获得超临界态的二氧化碳；通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质，如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质，会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时，水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此，有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能，能够进一步靠近理想模型，杂质带来的影响下降。
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公开(公告)号：CN113437187A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110984706.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供的发光二极管超临界处理方法，通过根据发光二极管的半导体结构所具有的第一元素，选取第二物质；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质的元素，对发光二极管的半导体结构进行晶体缺陷修复，使得其半导体结构趋向于理想晶体结构，其光学性能更加贴近理想模型，由此，发光二极管的电光转换，以及产生的发光光谱，更加符合理想模型。
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公开(公告)号：CN108597706A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810123723.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01C17/232
Abstract: 一种电阻TCR调零方法,包括：将正热敏电阻和负热敏电阻进行分类，选出负热敏电阻；将负热敏电阻置于压强小于10-13tor、温度为500-900℃的条件下进行持续50-70秒的退火对负热敏电阻进行退火处理，由于退火过程会使电阻TCR上升，获得TCR趋近于零的稳定电阻。本发明对TCR不合格的电阻进行调零处理，得到TCR趋近于零的稳定电阻，降低生产成本，减少环境污染。
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公开(公告)号：CN108339510A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810122881.2
申请日：2018-02-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种匀相超临界浓度控制结构，包括反应腔体、控制容器；反应腔体用于进行超临界处理，反应腔体内注入有溶质；控制容器部分或整体置于反应腔体内，控制容器内装有溶质，溶质上覆盖有有机层，所述有机层可对控制容器中的溶质吸附与解吸附。由于控制容器内上表层的有机层可对溶质进行吸附和解吸附，当反应过程中反应腔体内的溶质被消耗后，溶质浓度下降，有机层表面对溶质会解吸附，使反应腔体中浓度上升，控制反应腔体中的浓度稳。当反应腔体中溶质浓度上升时，有机层表面会对溶质产生吸附作用，使反应腔体中浓度下降，从而控制反应腔体中的浓度稳定。
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