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发明公开
一种提升器件光学特性的处理方法审中-实审

公开(公告)号：CN116682881A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310481493.4

申请日：2023-04-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张冠张 , 李蕾 , 王仕栋

IPC: H01L31/18

Abstract: 一种提升器件光学特性的处理方法，包括：提供一待处理器件以及第一流体，待处理器件为光学元件或光电子器件；对第一流体进行超临界处理，得到超临界态的第一流体；通过超临界态的第一流体对待处理器件处理，对待处理器件进行杂质萃取，或进行杂质萃取与进行晶体缺陷修复。本申请可以提高待处理器件的光学特性。

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