公开(公告)号：CN112466915A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011298860.X

申请日：2020-11-19

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  张盛东 ,  王鹏飞 ,  王云萍 ,  廖聪维 ,  周晓梁

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，衬底以及位于衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层；第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管，传感器件晶体管用于感应外部环境信息。由于将显示器件和传感器件做在同一背板上，并将两种器件的控制TFT设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，同时还将独立的传感器件替换为具有其相同功能的薄膜晶体管，使得原本至少为两层的光感器件层和光感器件控制TFT层简化为一层，大大的减少了屏内光感传感器工艺流程，降低屏内光感应用的工艺成本。

公开(公告)号：CN107464848B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201710532464.0

申请日：2017-07-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  邵阳 ,  王漪 ,  梁婷

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟道保护层经图形化形成沟道保护区；所述方法还包括，在所述有源区和所述沟道保护区上形成掺杂材料层以及随后的退火操作，从而在所述有源区中形成所述薄膜晶体管的源区和漏区。本申请还公开了根据该方法制备的底栅氧化物半导体薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN111355901A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010184227.1

申请日：2020-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  廖聪维 ,  周晓梁 ,  彭志超 ,  梁键 ,  安军军

IPC: H04N5/235 ,  H04N5/353

Abstract: 本申请提供了一种光电传感器，包括光敏单元，配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流，其具有光记忆功能，即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流；以及存储单元，耦合到所述光敏单元，配置为在积分阶段将所述光生电流转化为光生电荷或光生电压并进行存储或保持，其中所述积分阶段至少包括曝光阶段结束后的预设时间段。本申请还提供了包括这种光电传感器的像素电路、包含这种像素阵列的图像传感器和电子设备以及相应的光电感测方法。

公开(公告)号：CN107464848A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710532464.0

申请日：2017-07-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  邵阳 ,  王漪 ,  梁婷

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟道保护层经图形化形成沟道保护区；所述方法还包括，在所述有源区和所述沟道保护区上形成掺杂材料层以及随后的退火操作，从而在所述有源区中形成所述薄膜晶体管的源区和漏区。本申请还公开了根据该方法制备的底栅氧化物半导体薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN214477466U

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202122197756.8

申请日：2021-09-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  王云萍 ,  张盛东 ,  周晓梁 ,  李莹

IPC: H01L27/32

Abstract: 一种全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板，包括：摄像头区域，摄像头区域包括：显示功能区以及感应区，其中，显示功能区包括依次层叠设置的衬底基板层、TFT阵列器件层、发光功能层以及背板层，感应区能够透光，包括衬底基板层、层间介质以及背板层，感应区的底部用于设置屏下摄像头。由于将屏下摄像头设置在感应区，此感应区中不布置TFT阵列，从而能够保障光线直接穿过显示面板至屏下摄像头，避免光线经过TFT阵列，不会在屏下摄像头处形成衍射和干涉图形，降低对屏下摄像头的摄像品质的影响。

公开(公告)号：CN212486631U

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202020322745.0

申请日：2020-03-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  廖聪维 ,  周晓梁 ,  彭志超 ,  梁键 ,  安军军

IPC: H04N5/235 ,  H04N5/353

Abstract: 本实用新型提供了一种光电传感器，包括光敏单元，配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流，其具有光记忆功能，即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流；以及存储单元，耦合到所述光敏单元，配置为在积分阶段将所述光生电流转化为光生电荷或光生电压并进行存储或保持，其中所述积分阶段至少包括曝光阶段结束后的预设时间段。本申请还提供了包括这种光电传感器的像素电路、包含这种像素阵列的图像传感器和电子设备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利