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公开(公告)号：CN111865227A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010824154.8
申请日：2020-08-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H03F1/08
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管集成的放大器，包括单端放大电路单元，其中输入放大电路用于输入放大电路用于对其信号输入端接收的信号进行放大；自举上拉电路用于对信号输出端所输出信号的电位进行上拉，并增大自举上拉电路的输出阻抗，以提升单端放大电路单元的放大增益；本发明还包括双端放大电路单元，其中正/负相输入电路用于对其正/负相信号输入端接收的正/负相位信号进行放大；正/负相位自举上拉电路用于对正/负相位输出信号的电位进行上拉，并增大正/负相位自举上拉电路的输出阻抗，以提升双端放大电路单元的放大增益；本发明通过提升单端放大电路单元、双端放大电路单元的放大增益，使得薄膜晶体管集成的放大器具有较优的性能。
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公开(公告)号：CN114615445B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202210259636.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N25/47 , H04N25/53 , H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种具有光电响应的光电晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域；其中在光照阶段和积分阶段，所述光电晶体管的底栅电极和顶栅电极电压不同，且使所述光电晶体管处在关态工作区；所述积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间段；其中所述具有光记忆功能的半导体材料包括金属氧化物半导体。本发明还涉及一种利用双栅光电晶体管感光的方法，其中所述双栅光电晶体管的有源层材料包括具有光记忆功能的材料。本发明还涉及一种图像传感器阵列。
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公开(公告)号：CN111865227B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010824154.8
申请日：2020-08-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H03F1/08
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管集成的放大器，包括单端放大电路单元，其中输入放大电路用于输入放大电路用于对其信号输入端接收的信号进行放大；自举上拉电路用于对信号输出端所输出信号的电位进行上拉，并增大自举上拉电路的输出阻抗，以提升单端放大电路单元的放大增益；本发明还包括双端放大电路单元，其中正/负相输入电路用于对其正/负相信号输入端接收的正/负相位信号进行放大；正/负相位自举上拉电路用于对正/负相位输出信号的电位进行上拉，并增大正/负相位自举上拉电路的输出阻抗，以提升双端放大电路单元的放大增益；本发明通过提升单端放大电路单元、双端放大电路单元的放大增益，使得薄膜晶体管集成的放大器具有较优的性能。
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公开(公告)号：CN112511769B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011226144.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/341 , H04N5/353 , H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电成像技术领域，具体涉及一种图像传感像素电路、图像传感阵列以及图像传感器。其中，像素电路包括光敏单元、存储单元和读出单元；光敏单元用于接受入射光曝光以产生光电信号，并且该光敏单元在光照撤去之后其产生的光电信号仍能保持第一预设时间；存储单元与光敏单元耦合，该存储单元用于在积分阶段将光电信号进行存储得到第一电信号，积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间；读出单元用于将存储单元存储的第一电信号输出。本申请的光敏单元的曝光以及积分方法使得光敏单元具有的良好的光电转化能力，从而在较高的帧率情况下，以较快的速度读出图像信号，并且图像传感像素电路的结构简单、可实现较高的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN111355901B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010184227.1
申请日：2020-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供了一种光电传感器，包括光敏单元，配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流，其具有光记忆功能，即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流；以及存储单元，耦合到所述光敏单元，配置为在积分阶段将所述光生电流转化为光生电荷或光生电压并进行存储或保持，其中所述积分阶段至少包括曝光阶段结束后的预设时间段。本申请还提供了包括这种光电传感器的像素电路、包含这种像素阵列的图像传感器和电子设备以及相应的光电感测方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113014837B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110194463.6
申请日：2021-02-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N25/77 , H04N25/778
Abstract: 一种实施例中提供一种光电式的传感像素电路，包括了光敏单元，放大和驱动的单元，以及选通单元；选通单元用于响应于行扫描信号选通放大和驱动的单元；放大和驱动的单元包括读出单元，所述读出单元包括复位单元、存储单元和放大单元；存储单元用于将光生电流信号进行积累并转换为相应的电压信号；放大单元用于将所述存储单元所转换的电压信号进行放大后输出；放大单元包括跨导单元，用于将存储单元所转换的电压信号转换为电流信号。通过薄膜晶体管工艺，光电式的传感像素电路被集成为图像传感阵列，进而形成图像传感器。优选地，所述光电式传感像素电路可以由不同类型有源层材料的两种薄膜晶体管工艺在相同的基板上集成为光电图像传感阵列。
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公开(公告)号：CN114615445A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210259636.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/341 , H04N5/353 , H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种具有光电响应的光电晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域；其中在光照阶段和积分阶段，所述光电晶体管的底栅电极和顶栅电极电压不同，且使所述光电晶体管处在关态工作区；所述积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间段；其中所述具有光记忆功能的半导体材料包括金属氧化物半导体。本发明还涉及一种利用双栅光电晶体管感光的方法，其中所述双栅光电晶体管的有源层材料包括具有光记忆功能的材料。本发明还涉及一种图像传感器阵列。
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公开(公告)号：CN112511769A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011226144.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/341 , H04N5/353 , H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电成像技术领域，具体涉及一种图像传感像素电路、图像传感阵列以及图像传感器。其中，像素电路包括光敏单元、存储单元和读出单元；光敏单元用于接受入射光曝光以产生光电信号，并且该光敏单元在光照撤去之后其产生的光电信号仍能保持第一预设时间；存储单元与光敏单元耦合，该存储单元用于在积分阶段将光电信号进行存储得到第一电信号，积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间；读出单元用于将存储单元存储的第一电信号输出。本申请的光敏单元的曝光以及积分方法使得光敏单元具有的良好的光电转化能力，从而在较高的帧率情况下，以较快的速度读出图像信号，并且图像传感像素电路的结构简单、可实现较高的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN111355901A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010184227.1
申请日：2020-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供了一种光电传感器，包括光敏单元，配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流，其具有光记忆功能，即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流；以及存储单元，耦合到所述光敏单元，配置为在积分阶段将所述光生电流转化为光生电荷或光生电压并进行存储或保持，其中所述积分阶段至少包括曝光阶段结束后的预设时间段。本申请还提供了包括这种光电传感器的像素电路、包含这种像素阵列的图像传感器和电子设备以及相应的光电感测方法。
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公开(公告)号：CN113014837A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110194463.6
申请日：2021-02-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 一种实施例中提供一种光电式的传感像素电路，包括了光敏单元，放大和驱动的单元，以及选通单元；选通单元用于响应于行扫描信号选通放大和驱动的单元；放大和驱动的单元包括读出单元，所述读出单元包括复位单元、存储单元和放大单元；存储单元用于将光生电流信号进行积累并转换为相应的电压信号；放大单元用于将所述存储单元所转换的电压信号进行放大后输出；放大单元包括跨导单元，用于将存储单元所转换的电压信号转换为电流信号。通过薄膜晶体管工艺，光电式的传感像素电路被集成为图像传感阵列，进而形成图像传感器。优选地，所述光电式传感像素电路可以由不同类型有源层材料的两种薄膜晶体管工艺在相同的基板上集成为光电图像传感阵列。
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