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公开(公告)号：CN101789363B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010128839.5
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。
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公开(公告)号：CN101789374B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010100174.7
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选择性湿法腐蚀源区、漏区和碰撞电离区上方的介质膜，可以依次自对准的将它们制备出来，由此消除了传统制备IMOS工艺中多次光刻之间对准偏差的影响，有利于制备出特性稳定可靠的平面IMOS器件。
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公开(公告)号：CN102082096A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010506130.4
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，首先在衬底上的隔离层上形成多晶硅栅；然后形成高K材料的栅介质层；再在栅介质层上淀积SiGe薄膜；对SiGe薄膜进行源漏掺杂后光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；最后对SiGe侧墙进行氧化，去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或高Ge含量的SiGe纳米线。该方法基于侧墙工艺和Ge聚集技术，在不采用先进光刻设备的条件下制备出Ge或SiGe纳米线场效应晶体管，制备成本低，而且与CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN101789363A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010128839.5
申请日：2010-03-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。
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公开(公告)号：CN101777499B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010100144.6
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/66356
Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097296A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010506128.7
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , G03F7/00 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。
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公开(公告)号：CN101859782A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010164465.2
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明所述的制造方法包括：a)在硅片上通过热氧化生长方法形成第一SiO2层；b)在第一SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成多晶硅牺牲层；c)在多晶硅牺牲层上通过热氧化生长方法形成第二SiO2层；d)在第二SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成P型硅层。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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公开(公告)号：CN101859781A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010164464.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层和衬底层之间还包括牺牲层，所述牺牲层在SOI器件经总剂量辐照后产生负电荷。所述牺牲层的材料为氮化硅。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的制造方法包括：a)在硅片上形成SiO2埋氧层；b)在SiO2埋氧层上形成氮化硅牺牲层；c)在氮化硅牺牲层上形成P型硅衬底层。本发明可应用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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公开(公告)号：CN101847576A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010153583.3
申请日：2010-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/316 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。
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公开(公告)号：CN101777499A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010100144.6
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/66356
Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。
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