公开(公告)号：CN102163568A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110053772.8

申请日：2011-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨东 ,  谭斐 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  G06F17/50

CPC classification number: G01R31/2621 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明公布了一种提取MOS管沿沟道电荷分布的方法，应用于MOS管中界面态与栅介质电荷分布的提取。包括：把一个MOS管加入到测试电路中，用电荷泵电流测试法测得应力前后MOS管两条漏端开路或源端开路的电荷泵电流曲线，一条为原始曲线，一条为应力后曲线；寻找原始曲线上任意一点A对应到应力后曲线上一点B，通过局部点的电荷泵电流变化量和电压的变化估算局部产生界面态电荷和栅介质层电荷量。与现有的提取分布方法相比，这种方法在能够计算机的辅助下能简单快捷提取出从漏或源端到沟道中电荷的分布，省去了大量的繁琐的反复测试，可以为器件可靠性的改进提供有效的依据。