-
公开(公告)号：CN109473347A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485406.8
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向硅中引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体掺杂技术领域。该方法首先将硅样品抛光并清洗；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部放置连接射频电源的极板，在极板上放置大硅片；将杂质源和硅样品置于大硅片上，杂质源放置在硅样品周围；进行电容耦合等离子体处理；最后将硅样品进行快速热退火处理，得到掺杂硅样品。本发明的方法能够有效地将杂质激活，等离子体的自偏压能够使氦离子与样品表层晶格发生碰撞，从而局部地破坏硅晶格周期性，而正是由于这一改变，硅样品在快速退火处理中，间隙位的杂质原子在周期性已经被部分破坏的硅中较容易地进入代位位置，从而被有效激活，使空穴浓度上升。
-
公开(公告)号：CN109473346A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811485333.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种向砷化镓材料引入杂质并将杂质激活的方法，属于半导体技术领域。该方法首先将砷化镓材料抛光并清洗，得到砷化镓样品；然后在电容耦合等离子体真空发生腔室底部样品台上放置连接射频电源的极板，在极板上放置纯砷化镓片；将杂质源和砷化镓样品放置在纯砷化镓片上，砷化镓样品被杂质源包围，砷化镓样品抛光面朝上；进行电容耦合等离子体处理；最后进行退火处理。本发明在室温下利用CCP向砷化镓材料中引入杂质，杂质种类包括金属和非金属，利用极板上的偏压，使得He+离子破坏了局部砷化镓晶格的周期性。与没有自偏压的等离子体掺杂中的完整砷化镓晶格相比，本发明的方法在较低退火温度和较短退火时间下较易使杂质激活。
-
公开(公告)号：CN107611000A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710857667.7
申请日：2017-09-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
Abstract: 本发明公布了一种等离子体激励的非高温扩散掺杂装置及方法。该装置在真空腔室顶部设置等离子体发生单元和等离子体耦合窗口，在紧挨等离子体耦合窗口下设置平行板腔，平行板腔的上下板暴露于真空腔室中的表面均沉积有掺杂杂质层，下板位于可升降支架上的恒温中空盒上；中空盒裸露的表面镀有防沾污层，但与支架通过绝缘层隔开；真空腔室和支架暴露在真空腔室中的表面覆盖双层内衬材料，内层为绝缘层，外层为防沾污层，该防沾污层连接提供正偏压的直流电压源；待掺杂半导体材料或器件置于平行板腔内。本发明装置结构简单、成本低廉，最大限度降低了非掺杂杂质对待掺半导体材料或器件造成的沾污，大大提高了掺杂的纯净度。
-
公开(公告)号：CN106328474A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610899050.7
申请日：2016-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32 , H01L21/223
CPC classification number: H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明公布了一种在室温环境下向氮化镓材料引入杂质的方法，将待掺杂的氮化镓材料或器件和固态杂质源都置于利用射频在惰性气体中产生的等离子体中，使固态杂质源的原子和/或离子进入等离子体，杂质原子和/或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，从而进入到氮化镓材料或器件中。该方法既便捷又经济，其特点是样品表面掺杂浓度较高，可实现超浅深度掺杂，并且可同时引进多种杂质，无刻蚀作用，不仅适用于氮化镓薄膜或晶片的掺杂，还可对部分完成的氮化镓器件进行掺杂。
-
公开(公告)号：CN104882377A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510190748.7
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3221
Abstract: 本发明公开了一种吸除硅材料中金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，功率为1～2000W，时间为1～60min，在硅晶片或硅器件表面形成缺陷区的同时将硅中的金属杂质吸至表面。该方法在室温下进行，且不需要伽玛射线等作为吸杂激励源，ICP处理既引入了表面缺陷区，又是吸杂激励源，一步完成吸杂工艺，节约了成本和时间，减少了危险性，可广泛应用于大规模集成电路、太阳能电池、光电探测器等硅器件除杂领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102881841A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210391045.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高器件的出光效率，增加器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN102832111A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210328185.X
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳电池转换效率的方法。通过适度低剂量伽玛射线辐照促使太阳电池p-n结区中过渡金属杂质向p-n结附近缺陷区扩散并沉淀，且帮助那些不处于太阳电池材料晶格中代位位置的施主或受主杂质原子进入代位位置，从而获得转换效率提高的太阳电池。太阳电池转换效率的提升率取决于p-n结附近缺陷区和适度低剂量伽玛射线辐照的具体情况。由于不同太阳电池之间有很大差异，对于一些太阳电池，其p-n结附近原有的缺陷区加上适度低剂量伽玛射线辐照就可使其转换效率明显提高；而对于另一些太阳电池，必须更新p-n结附近的缺陷区，结合适度低剂量伽玛射线辐照，增加太阳电池转换效率的提升率。
-
公开(公告)号：CN101840999B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010131806.6
申请日：2010-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光器件领域。本发明通过对n型硅片进行辐照，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明主要利用低能电子或伽玛射线等对n型硅进行辐照，在n型硅中引入深能级缺陷，起到有效的产生中心的作用，从而提高其构成的有机发光二级管的发光效率，使n型硅可充作有机发光二极管的阳极。本发明使n型硅为阳极的有机发光二极管应用范围得到拓展,同时，这种方法还可推广到以其他类型的n型半导体材料为阳极的有机发光二极管中去。
-
公开(公告)号：CN101872120B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010215355.4
申请日：2010-07-01
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶连同其上的石墨烯剥离掉，得到器件所需的图形化的石墨烯。该方法相比现有技术，具有精确定位的优点，且无需刻蚀，不需要制作压印模版，从而成本较低。本发明不仅实现了精确定位地图形化石墨烯，而且很容易实现大面积器件集成。此外，利用曝光、剥离的方法，避免了氧等离子体刻蚀的步骤，从而避免了辐照损伤带来的器件性能的降低。
-
公开(公告)号：CN101741007B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810226036.6
申请日：2008-11-04
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/1032 , H01S5/34373
Abstract: 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.024 seconds)
