一种电源钳位ESD保护电路及集成电路结构

    公开(公告)号:CN110518561B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201910681905.2

    申请日:2019-07-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种电源钳位ESD保护电路及集成电路结构,该电路包括:ESD检测模块、ESD触发模块和ESD泄放模块;其中,ESD检测模块,用于检测ESD脉冲信号,当ESD脉冲信号满足预设条件时,输出ESD信号;ESD触发模块,用于接收ESD信号,并根据ESD信号产生开启信号;ESD泄放模块,用于接收开启信号,并根据开启信号泄放由ESD脉冲信号产生的静电电荷。本发明提供的电源钳位ESD保护电路及集成电路结构,通过设置探测模块检测满足触发模块工作的ESD信号,解决了瞬态探测型电源钳位电路易误触发,易发生latch up和静态探测型电源钳位电路漏电流较大的缺点,且具有结构简单,触发电压可以调节的优点。

    一种突触对称性时间依赖可塑性算法电路及其阵列结构

    公开(公告)号:CN111325330A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN202010102818.X

    申请日:2020-02-19

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王源 郇重阳 张兴

    Abstract: 本发明实施例提供一种突触对称性时间依赖可塑性算法电路及其阵列结构,电路包括两个指数波形电压产生电路、两个时间窗口产生电路、SRAM模块和权值读出电路,指数波形电压产生电路将输入脉冲转化为指数波形,时间窗口产生电路将指数波形转换成所需要的时间窗口信号,SRAM模块构成的阵列可以共用时间窗口产生电路进行计算,权值读出电路在脉冲的作用下将权值转换成脉冲电流输出。本发明实施例实现了一种量化的突触对称性时间依赖可塑性算法电路,电路能够实现权值存储与计算一体化,避免了因数据在存储和计算单元之间的来回搬运造成的能耗开销与计算时间开销;权值更新与读出可以同时实现行列并行操作,提高了电路的能效及计算速度。

    多模态突触时间依赖可塑性算法的电路及实现方法

    公开(公告)号:CN110991635A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911338785.2

    申请日:2019-12-23

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王源 郇重阳 张兴

    Abstract: 本发明实施例提供一种多模态突触时间依赖可塑性算法的电路及实现方法,包括时间窗口产生电路、开关切换电路、OTA突触电路、时间窗口产生电路的对称电路和开关切换电路的对称电路;其中,时间窗口产生电路用于在第一控制信号和外加电压的作用下输出时间窗口采样电压;开关切换电路用于切换与时间窗口采样电压和外部参考电压连接的OTA突触电路的输入端口;OTA突触电路用于计算第一外部脉冲信号和第二外部脉冲信号到来时,在时间窗口采样电压和外部参考电压的作用下突触权值的变化量,并将变化量以电荷的形式存放在与OTA突触电路的输出端口相连的存储电容上。本发明实施例实现多种突触时间依赖可塑性算法,实现简单,调节灵活。

    神经元电路和神经形态电路

    公开(公告)号:CN107194463B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201710260278.6

    申请日:2017-04-20

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 王源 张津

    Abstract: 本发明涉及一种神经元电路和神经形态电路,该神经元电路包括一个脉冲产生电路以及与所述脉冲产生电路的控制端连接的一个U单元;脉冲产生电路用于将输入电流转化为脉冲序列,U单元用于控制脉冲产生电路产生脉冲的激发模式和脉冲间距。本发明提供的神经元电路和神经形态电路利用U单元对脉冲产生电路进行控制,以实现不同的生物特性,而并没有采用任何的偏置电压,相对于现有技术中采用改变偏置电压的方式实现不同生物特性,避免了电路自身对工艺、电压及温度三者的波动的敏感性,且使得电路更易实现;同时电路中不存在常开的通路,使得电路功耗较低。

    一种基于FDSOI的gc-NMOS器件
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110350025A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910573915.4

    申请日:2019-06-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明实施例提供一种基于FDSOI的gc-NMOS器件,该器件包括:N阱注入区和P阱注入区设置于P型衬底之上,N阱注入区和P阱注入区在P型衬底上的接触位置可调,埋氧区设置于所述N阱注入区和P阱注入区之上,漏区和源区均设置于埋氧区上,漏区和源区之间设置有沟道,沟道上设置金属栅区,源区上设置第一金属区,第一金属区接地,金属栅区与外接电阻的一端连接,外接电阻的另一端接地,外接电阻的可调电阻。本发明通过对外接电阻阻值大小以及埋氧区下方N阱注入区与P阱注入区接触位置的改变实现对触发电压的调节,从而能进一步降低触发电压,满足不同的ESD防护需求。

    基于FDSOI gg-NMOS辅助触发的ESD保护器件

    公开(公告)号:CN109817615A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201910026317.5

    申请日:2019-01-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明实施例提供了一种基于FDSOI gg-NMOS辅助触发的ESD保护器件,在P型衬底内设置N阱注入区,且N阱引出区与漏区连接,可以获得体硅级别的ESD电流泄放能力,满足FDSOI工艺下内部核心电路的ESD设计窗口的要求,可以在ESD到来时起到有效的保护作用。

    一种半速率随机数据相位检测电路

    公开(公告)号:CN104682954B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201510065232.X

    申请日:2015-02-06

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种半速率随机数据相位检测电路,通过综合鉴相器和电荷泵的功能,相位检测电路工作在半速率时钟状态下,根据输入数据和时钟的相位关系,产生相应的控制电压值。本发明提出的一种半速率随机数据相位检测电路应用于延时锁相环结构的时钟数据恢复电路中,优化的相位检测电路使时钟数据恢复电路工作在半速率时钟条件下,简化了电路设计复杂度和功率消耗。相位检测电路综合鉴相器和电荷泵的功能,并且全部采用数字逻辑单元实现,降低了整个时钟数据恢复电路的硬件实现代价。

    防过压击穿型输入级ESD保护电路

    公开(公告)号:CN104253410B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201410461278.9

    申请日:2014-09-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种防过压击穿型输入级ESD保护电路,所述防过压击穿型输入级ESD保护电路包括二极管模块、电源钳位ESD保护电路、镇流模块、传输门模块以及直流电压探测模块。本发明公开的防过压击穿型输入级ESD保护电路通过有效探测输入压焊点上的过压现象,在ESD事件发生时,断开压焊点与输入级反相器栅氧化层之间的电连接,并把输入级反相器的输入端强制偏置到零,同时,对输入级反相器到电源线之间采用动态电阻的连接方式,确保了芯片功能电路在最坏ESD冲击情况下的安全,并保证在芯片正常操作时,数据传输没有衰减。

    一种ESD电源钳位保护电路
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105680433A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610173875.0

    申请日:2016-03-24

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: H02H9/04

    Abstract: 本发明提供了一种ESD电源钳位保护电路,包括:电源端、接地端、静电放电ESD探测电路、触发维持电路及泄放电路;所述电源端,用于提供电源电压;所述接地端,用于提供地电平;所述ESD探测电路,用于探测ESD冲击信号,并输出ESD触发信号;所述触发维持电路,用于根据所述ESD触发信号触发所述泄放电路中的泄放晶体管导通,并通过反馈机制延长泄放晶体管的开启时间;所述泄放电路,用于在接收到所述触发维持电路输出的ESD触发信号时提供电源与地之间的低阻通道,以泄放静电电流。本发明提供的ESD电源钳位保护电路电路能够有效抑制静电保护电路的漏电电流,有效保护内部电路不受静电放电的损伤。

    SCR型LDMOSESD器件
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102832233B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201210316646.1

    申请日:2012-08-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域,公开了一种SCR型LDMOS ESD器件。本发明的SCR型LDMOS ESD器件的N阱区设有P+掺杂区,使得在SCR型LDMOS ESD器件的背向形成寄生的SCR晶体管。当ESD冲击发生时,寄生的SCR晶体管作为主要静电放电器件,使得SCR型LDMOS ESD器件的单位面积静电放电电流增大,从而获得高的ESD保护水平。另外,本发明的SCR型LDMOSESD器件的触发电压由LDMOS晶体管的漂移区长度决定,实现了触发电压可调节。

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