公开(公告)号：CN105551941A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02365

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。

公开(公告)号：CN105336694A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510657587.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  林猛 ,  黄如 ,  安霞 ,  张冰馨 ,  赵阳 ,  郝培霖 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0

公开(公告)号：CN103295890A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN102201364A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110138670.6

申请日：2011-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  郭岳 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种GeOI衬底制备方法，该方法在制备GeOI衬底过程中同步实现了对背界面的钝化处理，具体步骤为：分别提供半导体锗衬底和硅衬底，对锗衬底和硅衬底进行清洗，去除锗衬底和硅衬底表面的自然氧化层；随后，在硅衬底上生长一层SiO2；在SiO2上淀积一层SixNy；在SixNy上淀积用于键合的SiO2，在锗衬底上淀积用于键合的氟化SiO2(FSG)；对SixNy的SiO2和锗衬底上的氟化SiO2(FSG)做表面激活处理，随后沿激活表面对准键合；键合后退火；减薄。本发明可提高GeOI衬底的背界面质量。