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公开(公告)号：CN103177761A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439905.5
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种阻变存储设备及其操作方法。该设备包括：设置成矩阵形式的多个阻变存储单元，每个阻变存储单元包括开关元件和阻变器件，所述开关元件控制端连接字线，一端连接阻变器件，另一端连接位线；字线解码器，对输入的地址信号进行解码，导通至少一个阻变存储单元中的开关元件；驱动电路，通过位线与所述开关元件的导通同步地向所述阻变器件两端施加前沿缓慢变化的电压脉冲。利用上述实施例的方案，能够提高阻变器件耐久特性，例如减小高低阻值窗口退化和器件随转变次数失效。
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公开(公告)号：CN102306706A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110279718.5
申请日：2011-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO2材料的MIM结构的器件，在适当的操作方法下该器件可以产生多级电阻态，能够在一个单元内实现多位存储，且能提高存储器的存储密度。多阻态阻变存储器的阻变层采用基于SiO2的材料，具有工艺简单，与CMOS工艺兼容性好的优点。
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公开(公告)号：CN102156625A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110079815.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。本发明的方法是仅通过两个器件就可以实现除法功能，该器件结构简单，便于集成，非常适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN103390629B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310302371.0
申请日：2013-07-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 提供了一种阻变存储器，包括存储阵列，所述存储阵列包括：衬底；衬底隔离层，设置在衬底上；多个叠层结构，设置在衬底隔离层上；多个梳状金属层，沿所述叠层结构的长度方向设置在衬底隔离层和所述多个叠层结构上，每个梳状金属层的梳齿夹在相邻的叠层结构之间；以及多个阻变材料层，每个阻变材料层形成在相应的一个梳状金属层与所述衬底隔离层之间以及所述相应的一个梳状金属层与所述多个叠层结构之间。还提供了该阻变存储器的操作方法和制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931993B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210460723.0
申请日：2012-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种模数转换装置及模数转换方法。该模数转换装置包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电压信号，并对模拟电压信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电压信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；所述数据采样保持单元包括阻变存储器。本发明利用阻变存储器实现模数转换过程中的数据存储（或称为保持），实验表明，数据保持时间可以长达10年，因此能够保证数据的可靠性，从而也保证了模数转换装置的工作可靠性。另外，本发明的装置结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102623046B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110032218.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/50
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083
Abstract: 一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1，通过施加一reset脉冲电压使阻变器件的存储值置0，同时通过施加一个set脉冲电压使高位阻变器件的存储值加1，由此实现多进制加法计算。通过对阻变器件的操作可以同时实现数据存储和多进制加法运算，从而大大简化了电路结构，便于实现存储和计算的统一应用。
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公开(公告)号：CN102709306A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210195545.3
申请日：2012-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。
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公开(公告)号：CN102623046A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110032218.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083
Abstract: 一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1，通过施加一reset脉冲电压使阻变器件的存储值置0，同时通过施加一个set脉冲电压使高位阻变器件的存储值加1，由此实现多进制加法计算。通过对阻变器件的操作可以同时实现数据存储和多进制加法运算，从而大大简化了电路结构，便于实现存储和计算的统一应用。
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公开(公告)号：CN102142516A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010580793.0
申请日：2010-12-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。本发明还提供了一种包括上述阻变存储器的交叉阵列存储电路。本发明采用具有阻变特性的氧化物材料作为存储介质，从而利用在阻变层和电极之间形成整流特性来实现了存储器的自选择抗串扰功能，由于不需要引入额外的选择器件，这种1R存储单元在高密度集成和功耗上都具有明显的优势，即，能够简化工艺步骤，降低电路功耗和提高阻变存储器集成密度，从而能够满足交叉阵列存储电路的需求。
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