公开(公告)号：CN104694901A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410738665.2

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  深谷创一 ,  中川秀夫 ,  稻月判臣

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  G03F1/68

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/352 ,  G03F1/68 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447

Abstract: 本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。

公开(公告)号：CN103229099A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180056117.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  深谷创一 ,  稻月判臣 ,  山本恒雄 ,  中川秀夫

IPC: G03F1/54 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 ,  C22C29/00 ,  C23C14/14

CPC classification number: G03F1/80 ,  B32B15/01 ,  C22C27/06 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/0676 ,  G03F1/00 ,  G03F1/30 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54

Abstract: 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。

公开(公告)号：CN100394559C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200310114943.9

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L23/5222 ,  C08K3/34 ,  C08L83/02 ,  C09D183/04 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4-n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。

公开(公告)号：CN1651515A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510005885.5

申请日：2005-01-27

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  笹子胜 ,  中川秀夫

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。

公开(公告)号：CN1536023A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410031387.3

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  浅野健 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C08L83/00 ,  C08J5/18 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供介电常数为2.2或更低的，并具有实用价值的机械强度的多孔膜，本发明提供了形成多孔膜的组合物，该组合物包括组分(A)和(B)：(A)100重量份的至少一种可水解的硅化合物和/或至少一种下式(1)表示的硅化合物水解缩合的产物：R1aSiZ14－a(1)；其中Z1表示可水解的基团；R1表示取代或未取代的一价烃基；以及a是0－3的整数；和(B)0.1－20重量份含有至少一种环状低聚物的交联剂，所述的低聚物在受热时可产生一种或多种硅烷醇基团，并用下述式(3)表示：{R31(H)SiO}d{R32(Z3)SiO}e(3)其中R31和R32各自表示取代或未取代的一价烃基；Z3表示受热时可以产生硅醇基的基团；和d和e各自表示0－10的整数，d和e之和大于或等于3。

公开(公告)号：CN118352439A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410474019.3

申请日：2019-12-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  小川敬典 ,  松本展明 ,  上田修平 ,  大堀敬司 ,  大竹滉平

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明为一种模板头单元，其包含：模板部件，其在石英玻璃基板上至少具备有机硅类橡胶膜；模板部件保持部件，其具备具有孔的面，该孔用于对前述模板部件的石英玻璃基板面进行真空抽吸；以及，管状部件，其具有排气抽吸孔且与前述模板部件保持部件结合固定，该排气抽吸孔以能够保持真空的状态与前述用于进行真空抽吸的孔连通连接。由此，提供一种能够通过简便的真空卡盘方式稳定地固定的模板部件、能够在短时间内对该模板部件进行更换的模板头单元、以及具备该模板部件、模板头单元的微小构造体移载装置。

公开(公告)号：CN118265743A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280074867.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 相田卓三 ,  伊藤喜光 ,  藤泽雄太 ,  后藤优太 ,  峯村正彦 ,  中川秀夫

IPC: C08G77/54

Abstract: [解决课题]提供自修复性优异的主链具有硅氧烷键的新型的聚合物材料。[解决手段]一种共聚物，其包含下述通式(I)所示的至少1种重复单元和下述通式(II)所示的至少1种重复单元。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118215699A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202280071664.X

申请日：2022-09-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野田大辅 ,  入船真治 ,  中川秀夫

IPC: C08G18/61 ,  C08G18/10 ,  C08G18/28

Abstract: 本发明提供一种聚有机硅氧烷，其特征在于，其为由下述式(1)所表示的聚有机硅氧烷。由此，本发明可提供一种即使在以往的环氧改性有机硅无法良好地相容的条件下也能够无问题地相容的聚有机硅氧烷。[化学式1]#imgabs0#在式(1)中，R1相互独立地表示选自碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为6～12的芳基及碳原子数为7～12的芳烷基的基团、或者羟基，X相互独立地为碳原子数为1～10的二价亚烷基，Y相互独立地为选自碳原子数为5～30的任选具有醚键的亚烷基、碳原子数为6～30的亚芳基、及碳原子数为7～30的亚芳烷基的基团，Z相互独立地为碳原子数为1～20的任选具有醚键的亚烷基，n为0～100的整数，m为1～2。

公开(公告)号：CN117625100A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311106244.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 楠木贵行 ,  安藤雅郎 ,  市六信广 ,  中川秀夫 ,  若宫淳志 ,  松重优子

IPC: C09J163/00 ,  C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  H01L31/048

Abstract: 本发明提供低粘度、低温固化、高粘合性且在密封前后维持钙钛矿型太阳能电池的发电性能的高可靠性环氧树脂系粘合剂组合物及膜状密封材料。该粘合剂组合物含有：(A)通式(2)所示的双官能型环氧树脂、通式(3)所示的3官能以上的环氧树脂及通式(4)所示的饱和型酸酐的反应产物；(B)UV敏感性反应引发剂；及(C)稀释溶剂，所述组合物的特征在于，所述(A)成分为通式(1)所示的化合物，所述双官能型环氧树脂与3官能以上的环氧树脂的环氧基的合计摩尔数相对于所述饱和型酸酐的摩尔数的比率为1.30～3.00，所述双官能型环氧树脂的摩尔数相对于双官能型环氧树脂与3官能以上的环氧树脂的合计摩尔数为0.001～0.15。

公开(公告)号：CN103424981A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310182377.9

申请日：2013-05-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 深谷创一 ,  中川秀夫 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/29 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。